半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的最终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读,也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人
本书针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
《车用功率半导体器件设计与应用》使用大量图表,通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术,其中,第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类,同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角;第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT,从基本单元结构描述制造过程,然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作,此外,还提到了功率器件所需的各种特性,并加入改进这些特性的器件技术的说明;第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述;第5章概述SiC功率器件,讲解二极管、MOSFET和封装技术,对于近取得显著进展的的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。
本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术,覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺,以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外,还介绍一些相关的工艺设备。
《LED灯具设计》全部采用彩色印刷,文字清晰,插图非常精美。《LED灯具设计》的特点在于融合了灯具设计的光学、电气等理工科专业知识与造型、材料等艺术类专业知识,按照灯具产品从设计到生产涉及的知识来组织知识结构,全面介绍灯具设计各个方面,详细叙述了灯具光学设计、造型设计的要素及方法、灯具检测与组装等知识,主要内容包括:灯具概述、灯具设计原则与要素、灯具光学设计、灯具造型设计、LED灯具设计、灯具检测、典型灯具产品组装与工程施工等。 同时,《LED灯具设计》为了适应职业教育改革的需要,贯彻以培养高职高专学生以实践技能为重点,基础理论与实际应用相结合的指导思想,力求体现精炼与实用,是一本难得的文理兼修的综合性教材。 《LED灯具设计》可供电光源技术爱好者或者灯具设计施工人员阅读参考,本书还适用于高等职
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
电子信息材料是发展极为迅速的一类材料,但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少,要不数据陈旧,满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据,结合作者多年来的实验数据,编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较,作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件,便于读者进行各种数据处理。手册数据量大,特性齐全,非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。
本书是由四十余位知名青年学者撰写而成的。全书共分16章,重点介绍光纤光学技术的进展,其中包括微纳光纤、光纤光源、光纤传感及其应用、光纤信息处理、光纤通信系统与接入网、光纤微波光子技术、光纤保密通信技术等方面的新技术和新应用,并对相关技术进行了较为全面的分析和比较。本书着重突出前沿性,书中很多内容是作者近年来所发展的新概念和新技术,例如波长编码技术、光跳频编码保密通信技术等,部分内容属于首次公开发表。 本书适合从事光纤通信、传感、微波光电子学教学与研究的科技工作者、工程技术人员、研究生和高年级本科生阅读和参考。
本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象,对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身,详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用,讨论高端制造的组织、调度和管理,工艺流程的监控,工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施,该部分的论述比较简明,但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。
《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》在简要介绍半导体光谱测量基本手段后,比较系统地阐述了几种常用的半导体光谱分析方法,同时对光谱的拟合方法作了理论探讨和具体介绍。《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还介绍了一些作者白行编写的光谱拟合程序,用这些程序可以方便地在计算机上进行光谱拟合与分析,从而定量地得到材料或器件的物理参数。除了文字及图表论述外,《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》还特别提供一张包含所有程序以及运行范例的光盘。书本与光盘的有机结合将极大地方便读者对光谱知识的掌控以及在自己工作中的运用。 《半导体科学与技术丛书:半导体光谱分析与拟合计算》适合从事半导体光谱研究的科研工作者阅读,对该领域的研究生也会有所裨益。
《太阳能光伏产业:半导体硅材料基础(第2版)》共分12章,较全面地讲述了有关硅材料的基本知识。内容包括硅材料的发展史与当前的市场状况;半导体材料的基本性质;晶体结构及其结构缺陷;能带理论的基本知识;pn结和金属半导体接触的特性;硅材料的制备;化合物半导体材料的基本特性及用途;硅材料的加工。重点讲述了制备高纯多晶硅的三氯氢硅氢还原法,制备硅单晶的直拉法和浇铸多晶硅的制备方法以及杂质在硅中的特性;砷化镓材料的特性和制取方法。《太阳能光伏产业:半导体硅材料基础(第2版)》易懂、实用,可作为本科和高职院校硅材料技术专业的教材和从事硅材料生产的技术工人的培训教材,也可供相关专业工程技术人员学习参考。
光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生?传输?控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料?异质结构和能带?辐射复合发光和光吸收?光波传输模式;超晶格和量子阱?发光管?激光器?探测器?光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体?光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念?光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
本书是作者长期从事胶体量子点研究成果的总结,同时汲取了近几年相关领域主要的**研究报道。主要内容包括:胶体量子点的激子结构和多激子效应,量子点中激子与声子的相互作用。胶体量子点的主要特性,如光学特性、电学特性、温度特性等;详细描述胶体量子点的合成和表征方法,以及典型胶体量子点(如Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族、掺杂量子点等)的合成工艺和主要性能;还以较大篇幅展示胶体量子点在光电子器件和生命科学中的应用,如量子点LED、量子点太阳电池、量子点激光器、量子点掺杂光纤和光纤放大器、量子点在生命科学和医学中的应用等。
本书主要论述了半导体太赫兹(THz)辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。全书共分11章,包括第1章THz波产生、探测与应用概述;第2章THz场与低维半导体的相互作用及高场电子输运;第3章电子学THz振荡器与器件模拟;第4章THz半导体负有效质量振荡器非线性动力学;第5章THz场作用下微带超晶格非线性动力学;第6章石墨烯THz光电特性;第7章THz半导体量子级联激光器;第8章THz半导体量子阱探测器;第9章THz波的传输;第10章THz通信;第11章THz成像。
刘汉诚编写的《三维电子封装的硅通孔技术》系统讨论了用于电子、光电子和微机电系统(MEMS)器件的三维集成硅通孔(TSV)技术的近期新进展和可能的演变趋势,详尽讨论了三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和潜在解决方案。首先介绍了半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史,然后重点讨论TSV制程技术、晶圆减薄与薄晶圆在封装组装过程中的拿持技术、三维堆叠的微凸点制作与组装技术、芯片与芯片键合技术、芯片与晶圆键合技术、晶圆与晶圆键合技术、三维器件集成的热管理技术以及三维集成中的可靠性问题等,很后讨论了具备量产潜力的三维封装技术以及TSV技术的未来发展趋势。 本书适合从事电子、光电子、MEMS等器件三维集成的工程师、科研人员和技术管理人员阅读,也可以作为相关专业大学高年级本科生和研究生教材和参考书
《场效应管实用备查手册》是《半导体器件实用备查手册》系列书之一,《场效应管实用备查手册》介绍了新型与常用场效应管以及具体场效应管的生产厂家、主要极限参数与电参数、尺寸图或外形图或内部图示,均为电工电子行业从业人员实际工作必需的珍贵信息,尤其是详尽的参数与一一对应的图,构成了《场效应管实用备查手册》突出的特点。 作为一本实用的工具书,《场效应管实用备查手册》可供广大电工电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员以及相关学
功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件,包括 pin 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家,作者斯蒂芬 林德( Stefan Linder )还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书,也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。
本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品,以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程,工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。