本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。 再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。
本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章，主要内容包括：MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势；谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术；谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术；谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为；微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法；谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术；通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术；微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术；谐振器中存在的典型失效模式与失效机理，以及多种可靠性评估方法和测试技术。
本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM 单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。
《硅基射频集成电路和系统》以硅基射频集成芯片系统为核心，介绍射频电路和系统基础、射频集成电路基本理论和设计方法，以及国内外硅基射频集成电路和系统技术的*新进展。《硅基射频集成电路和系统》分为射频电路和系统设计基础知识、射频收发机集成电路技术和面向特定应用的射频集成电路与系统技术三个部分。**部分主要包括射频电路和系统基础与高频器件及模型；第二部分主要包括射频收发通道和频率综合器的关键电路技术；第三部分面向低功耗物联网、可重构射频系统和毫米波雷达等应用介绍相关射频集成电路与系统技术。
本书由Veena S. Chakravarthi博士倾力撰写，是超大规模集成电路设计领域入门者的综合指南。本书紧密结合行业前沿动态，系统梳理了SoC设计的全流程，涵盖从基础概念到复杂芯片开发的各个环节。书中不仅详细介绍了SoC的定义、组成、设计策略和开发周期，还深入介绍了逻辑设计、硬件描述语言、综合与静态时序分析、可测试性设计、设计验证、物理设计与验证及封装等各个环节，涵盖了SoC设计所需的全部关键步骤，内容丰富且系统。本书以实例设计为主，丰富的设计案例和参考实例可帮助读者更好地理解和应用所学知识。 本书适合电子、电气、计算机科学等相关专业的学生，以及VLSI设计领域的初学者和从业者，可帮助他们掌握必 备技能，应对行业挑战。
《高密度电路板技术与应用》是 PCB先进制造技术 丛书之一。《高密度电路板技术与应用》针对电子产品小型化、多功能化带来的IC节距减小、信号传输速率提高、互连密度提高、线路长度局部缩短，讲解高密度线路及微孔制作技术。 《高密度电路板技术与应用》共15章，分别介绍了高密度互连技术的演变，高密度电路板的结构、特性、材料、制程，以及线路与微孔制作工艺、表面处理、电气测试、质量评价；还介绍了埋入式元件、先进封装与系统封装等前沿技术。
本书将全新的穿越方程和高频电磁场结构仿真软件(HFSS)相结合，对各类微波铁氧体器件进行了仿真设计。列举了各种结构的环行器、隔离器的设计范例，探索了获得高性能、高稳定性和高可靠性的设计途径，对其非互易性应用穿越方程进行了深入探讨；对各类变场器件如移相器、开关进行了仿真设计，应用穿越方程对其非互易相移、开关相移(或差相移)和磁化相移进行计算，提供了有效设计数据；对幅/相可控类器件如变极化器和全极化器介绍了多种实施方案，给出了仿真设计结果，理论上对法拉第旋转和变极化机制进行了探讨，用穿越方程计算了双模器件的变极化系数。在设计层面上具有一定的创新性；从旋磁理论层面上，给出了各类器件各种形式的三维电磁场穿越方程，弥补了经典旋磁器件理论中**方程的局限性。
后摩尔时代将硅通孔（through silicon via，TSV）技术等先进集成封装技术作为重要发展方向。本书系统介绍作者团队在TSV三维集成方面的研究工作，包括绪论、TSV工艺仿真、TSV工艺、TSV三维互连电学设计、三维集成微系统的热管理方法、三维集成电学测试技术、TSV转接板技术、TSV三维集成应用、发展趋势。为了兼顾全面性、系统性，本书综述国内外相关技术进展。
材料作为当今社会现代文明的重要支柱之一，在科技发展的今天发挥着越来越重要作用。材料科学与工程基础类课程是各高等院校材料专业的必修课和核心专业课。本书在材料科学与工程类课程基础上，结合当今材料专业的现状和材料人才的发展需求，以集成电路材料学科中的基础理论和工程工艺问题为主线，与相关学科和学科分支交叉，应用于集成电路材料设计、制备、成型、性能和工艺等关键问题的求解。本书主要介绍材料化学方面的基础知识，包括材料的组成、材料的结构、材料的性能、材料的制备与成型加工，以及集成电路衬底、工艺和封装三大类材料与制备工艺。
《薄膜晶体管集成电路》主要介绍薄膜晶体管（TFT）集成电路技术领域的基础知识和作者在该领域的代表性研究成果。内容涵盖图像显示和图像传感器件所需的TFT集成电路技术，如像素TFT电路、行驱动（扫描）TFT电路以及列（数据）驱动TFT电路等。《薄膜晶体管集成电路》共5章，分别为：薄膜晶体管（TFT）概述，有源矩阵液晶显示（AMLCD）TFT电路，有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）显示TFT电路，有源矩阵微型发光二极管（AM-MLED）显示TFT电路，以及X射线成像探测器TFT电路。各章均分别以非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、氧化物TFT以及低温多晶硅与氧化物混合TFT为集成器件，系统分析和详细讨论相应TFT电路的工作原理和设计 思路，并给出若干电路实例。
本根据高职院校培养应用型高技能人才的要求进行编写。内容涉及二极管、三极管、场效应管、晶闸管、集成运算放大器的应用，稳压电源制作、振荡器的分析设计。本书除了有原理分析以外，每一章后面还有对应的实训项目，通过功率放大器的安装实训，更好地把理论知识和实践操作结合在一起，培养学生项目制作的工程理念。2章为电子工作台EWB仿真软件的介绍，提高学生在电子技术方面的分析、实践和开发设计能力，拓展其设计平台。 本根据高职学生的学习特点，以器件运用为主线，突出基本概念，强调应用能力；用通用的实际电路来强化学生的基础知识，引用新型的电路来培养学生的创新能力；帮助学生建立电子电路知识体系，掌握现代电子技术。
全书共分11章，介绍了Altium%26nbsp;Designer%26nbsp;15基本操作，原理图的设计基础、绘制和不错编辑方法，层次化原理图设计，PCB设计基础，PCB设计环境、基本操作
