在21世纪，大数据、人工智能等高新信息科技飞速发展之际，自旋电子学凭借其在低功耗非易失存储和存算一体化方面的独特优势，已成为推动后摩尔时代集成电路革命性创新的关键技术。全书共10章。第1章概述自旋电子学的发展历程；第2章详细介绍自旋轨道力矩效应的物理原理、检测技术、材料选择及其调控与应用；第3章讨论电控磁效应的材料体系、物理机制和器件实用性；第4章专注于反铁磁自旋电子学，探讨反铁磁磁矩的调控与检测方法；第5章从横向输运、纵向输运和相干输运三个角度全面介绍磁子学；第6章解析磁斯格明子的生成、探测及其动力学特性，并探讨其在器件中的应用前景；第7章和第8章简要介绍拓扑磁性和二维磁性；第9章和第10章则阐述自旋电子学与光学、声学的交叉研究领域。

辐射效应指的是辐射与物质相互作用产生的现象。为揭示电子器件中的辐射效应机理规律，探寻有效的抗辐射加固手段，科研工作者将辐射效应仿真视作一种有用的研究方法。《电子器件辐射效应仿真技术》主要介绍总剂量效应仿真技术、单粒子效应仿真技术、位移损伤仿真技术、瞬时剂量率效应仿真技术、辐射效应仿真软件等内容，给出粒子输运仿真、器件级仿真、电路级仿真等不同层级仿真手段在辐射效应研究中的应用案例。

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

电子管放大器以其独特的 高保真 音质，令广大音响发烧友趋之若鹜。这也是过去几十年电子管在半导体器件的碾压下，偏居一隅却历久弥坚的主要原因。 本书结合历年来见诸报道的电子管放大器制作，特别是知名品牌电子管放大器所用的管型，从适合音频放大的发射管、电视机用电子管中，遴选以300B、2A3、KT88和EL34为代表的功率放大管，以12AX7、12AT7、12AU7、6SN7和6DJ8为代表的电压放大管，以及整流管等约200种电子管，整理主要参数，总结应用经验

《电子管音频放大器入门级制作10例》收录了MJ音频艺术节及其他试听活动中实际使用的10款电子管放大器，供初学者制作和学习。如今，电子管放大器的设计技术仍在进步，资深爱好者可借鉴《电子管音频放大器入门级制作10例》的设计理念与制作经验，创新设计与制作方法。 为了降低制作难度，电路设计上留有较大的裕量，以弥补元器件参数偏差与电子管离散性，配合实物配线图，用一块万用表就能完成调试和制作。此外，元器件均选用容易购买且成本低廉的常用件，以期读者在制作电子管放大器的过程中产生兴趣，进而钻研Hi-Fi音频放大器技术。

本书包括：主要种类元器件及其用途、主要元器件性能参数及其含义、质量保证标准及质量等级、元器件监制和验收、可靠性试验及可靠性设计、静电和辐射损伤及其防护、主要元器件应用注意事项、失效分析及失效机理、制造工艺，以及附表。本书几乎不涉及深奥的数理知识，紧密结合应用中的实际问题，深入浅出、通俗易懂、简明扼要地叙述了与元器件有关的一般要求及应用的基本知识。本书具有较强的实用性、可操作性，可供从事元器件质量控制、测试、管理的人员和工程技术人员查阅和参考。

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纳电子器件是继微电子器件的新一代电子器件，是电子器件发展的重大变革。而基于新型低维材料的纳电子器件更是满足了当今信息化社会对器件微型化、存储数据大和信息传输速度快的高要求。本书针对当今新型低维电磁材料

《气动元件与系统(原理·使用·维护)》介绍了气动元件的结构、原理、特点、选用方法和使用时的注意事项，阐述了典型气动回路及系统设计的基本方法、气动回路的管理知识，以及系统维护、故障分析方法和对策等，还介绍了气动设备的维护、维修和保养方面的知识。