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    • 超越自由:神奇的超导体(修订版)
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    • 章立源 /2024-01-01/ 科学出版社
    • 自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来,这一研究领域持续受到广泛关注,先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖,除了卡末林?昂内斯,还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗,超导电子学领域开拓者约瑟夫森,高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒,以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫,可见超导体研究不断出现突破性的进展,或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作,并对超导应用前景进行了展望,超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。

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    • 病理学学习指导及习题集【正版书籍,满额减,电子发票】
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    • 周桥 主编 /2016-03-01/ 人民卫生出版社
    • 周桥主编的《病理学学习指导及习题集(供8年制及7年制5 3一体化临床医学等专业用全国高等学校配套教材)》是在长学制《病理学》(第3版)基础上编写的配套教材,包含简明的学习大纲和丰富多样的习题,以帮助学习者掌握主干教材的内容。本书主要根据长学制《病理学》(第3版)编写,但亦参考了五年制规划教材《病理学》(第8版)以及国际上广泛使用的主要教材,故可适用于各医药院校修习病理学课程的学生、研究生及进修生,亦可作为研究生入学考试、执业医师资格考试等的复习参考书。

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    • 半导体物理与器件实验教程
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    • 计峰 /2023-11-01/ 山东大学
    • 本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

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    • 半导体物理与器件
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    • 孙霞 /2017-02-01/ 西安电子科技大学出版社
    • 本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

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    • 半导体物理与器件实验教程
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    • 计峰 /2023-11-01/ 山东大学
    • 本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

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    • 半导体物理与器件实验教程
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    • 计峰 /2023-11-01/ 山东大学
    • 本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。

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    • 半导体物理与器件 孙霞 西安电子科技大学出版社【正版保证】
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    • 孙霞 /2017-02-01/ 西安电子科技大学出版社
    • 本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像, 在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

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    • 半导体物理与器件 孙霞 西安电子科技大学出版社【正版可开发票】
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    • 孙霞 /2017-02-01/ 西安电子科技大学出版社
    • 本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像, 在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

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    • 半导体物理与器件【正版书籍,满额减,电子发票】
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    • 孙霞 /2017-02-01/ 西安电子科技大学出版社
    • 本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

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    • 硅基应变半导体物理
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    • 宋建军//杨雯//赵新燕 /2019-05-01/ 西安电子科大
    • 本书共6章,主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容,重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型,并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习,可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。 本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书,也可供其他相关专业的学生参考。

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    • 半导体物理与器件【正版书籍,满额减,可开发票】
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    • 孙霞 /2017-02-01/ 西安电子科技大学出版社
    • 本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

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