《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生?传输?控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料?异质结构和能带?辐射复合发光和光吸收?光波传输模式;超晶格和量子阱?发光管?激光器?探测器?光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体?光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念?光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
电子信息材料是发展极为迅速的一类材料,但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少,要不数据陈旧,满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据,结合作者多年来的实验数据,编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较,作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件,便于读者进行各种数据处理。手册数据量大,特性齐全,非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。
本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象,对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身,详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用,讨论高端制造的组织、调度和管理,工艺流程的监控,工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施,该部分的论述比较简明,但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。
本书分三章,章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景,并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解,如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现
《OLED显示基础及产业化》从OLED技术知识、OLED关键技术、OLED显示、OLED照明、OLED产业现状及发展趋势、OLED市场现状及发展趋势及OLED的应用价值及发展可能性的分析几方面,深入浅出的进行了较为详细的阐述。《OLED显示基础及产业化》对从事OLED技术研究、相关产品开发和生产的有关工程人员和大专院校师生来说,是正确理解相关技术的重要参考书,同时也是面向我国广大消费者普及OLED技术知识,指导消费者选择和正确使用OLED电视机的指南。
半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石,而其电学性能、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量,因此,半导体材料性能和结构的测试和分析,是半导体材料研究和开发的重要方面。本书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术,涉及测试技术的基本原理、仪器结构、样品制备和应用实例等内容:包括四探针电阻率、无接触电阻率、扩展电阻、微披光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、正电子1里没、荧光光谱、紫外.可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和ιy等测试分析蜘忙。
本书主要介绍与集成电路相关的主流半导体器件的基本原理,包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管(BJT),同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。本书作者是美国工程院院士、中国科学院外籍院士,多年从事半导体器件与集成电路领域的前沿性研究工作。本书内容简明扼要,重点突出,深度掌握适宜,讲解深入浅出,理论联系实际。
20世纪60年代中期GaAs负电子亲和势半导体光电阴极的出现,有力地推动了以单晶半导体为基础的光电阴极的发展。除了负电子亲和势半导体光电阴极外,各种场助半导体光电阴极也有很大发展。与半导体工业的融合,使得光电阴极技术的发展在一定程度上摆脱了以经验为基础的局面,进入了以半导体带隙工程为基础的科学设计新阶段。 今天,半导体光电阴极不仅是用于光电探测和计量用的光电倍增管和夜视仪所用像增强器的关键光电转换部件,而且作为电子加速器、自由电子激光器、同步辐射光源、电子束光刻、电子显微镜、太赫兹辐射器以及X射线源等方面的高亮度电子源,也表现出明显的潜力和实用价值。半导体光电阴极的应用领域包括军事、安全、医学、天文、航空航天、生物化学以及光纤通信等诸多方面。 贾欣志编著的《半导体光电阴极》全面介
电磁兼容性能是电子信息设备和系统设计与使用过程中关注的重要方面。本书围绕电磁干扰三要素,系统阐述了电磁兼容理论,结合工程实践经验给出了电磁干扰问题的分析和解决方法。全书内容包括电磁兼容的内涵、信号完整性分析、非线性效应分析、复杂系统电磁兼容仿真预测、电磁兼容现场测量、电磁兼容设计、电磁兼容维护、电磁兼容评估、电磁防护技术以及电磁兼容新材料、新方法和新技术等。
本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍,在半导体领域享有很高的声誉。本书的范围包括半导体工艺的每个阶段:从原材料的制备到封装、测试和成品运输,以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例,每章包含回顾总结和习题,并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展,讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术,使隐含在复杂的现代半导体制造材料和工艺中的物理、化学和电子的基础知识更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容;加入了半导体业界的新成果,可以使读者了解工艺技术发展的趋势。
全书搜集了近几年国内外数百家生产商生产的三万余种场效应管和晶闸管型号,并采用表格形式将其主要参数、用途及相关信息展现出来,同时还对各类管子的基本常识及手册的应用方法做了较为详细的说明。全书内容丰富,几乎涵盖了当今市面上流行的各种场效应管及晶闸管,是一部实用价值极强的工具书,可供电路设计、电器维修及电子爱好者查阅及收藏,还可作为初学者入门使用。
《半导体纳米结构(影印版)》这是一部由各个领域*专家共同编写的关于半导体纳米结构的专著,内容包括量子点、自组织生长理论、电子激子态理论、光学特性和各种材料中的输运等。它涵盖了从上世纪九十年代早期到现在的研究工作。本书中的专题都是世界范围内领袖级半导体或光电器件实验室的研究焦点。本书适合在凝聚态物理、材料科学、半导体技术、纳米技术、光电器件研究等领域工作的研究者及研究生阅读。
本书全面介绍了从只电阻器出现至今的200多种半导体器件,并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件,更包括新近的量子器件;不仅包括通用器件,还包括专用器件等。并且在附录中收录了一些基本的器件物理知识。本书的编排可以让广大读者快速了解各类半导体器件,同时也可就某一类器件展开深入的学习与研究。本书具有如下特点:收录全;反映*器件研究水平;编排独特。 本书是微电子学、电子科学与技术、材料学等专业的高校师生和从业工程师等在理论学习、科学研究以及实际工作中的教科书和参考书。
方祖捷、蔡海文、陈高庭、瞿荣辉编*的《单频 半导体激光器--原理技术和应用》对单频半导体激光 器的物理原理、技术和应用进行了完整、全面、深入 的论述,主要内容包括半导体激光器的基本原理和特 性、单片集成单频半导体激光器的原理和特性、外腔 单频半导体激光器的原理和特性、单频半导体激光器 的调谐技术、单频半导体激光器的稳频技术、单频半 导体激光器的锁相技术、单频半导体激光器的应用等 内容。 本书可作为相关领域研发工程师的参考书,也可 作为研究生的教科书和参考书。
《新型纤维状电子材料与器件》重点介绍了纤维状的有机太阳能电池、锂离子电池、超级电容器、光电转换与储能集成器件以及聚合物发光电化学池。与板状和块状的电子器件相比,这些纤维状的电子器件体积更小、质量更轻,可三维扭曲变形,并可以像化学纤维那样被进一步编成织物,成为多学科交叉研究的一个重要发展方向。