《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。
本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始,通过讨论激光器的基础理论,转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节,此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用,也适用于高年级本科生或研究生,作为主修的半导体激光器的课程,亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。
本书是本着突出近代真空镀膜技术进步,注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章,内容包涵了真空镀膜中物理基础,各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求,各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控,真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。本书可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用,亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章,包括引论,半导体的高分辨X射线衍射,光学检测与分析,表面、薄膜成分分析,扫描探针显微学在半导体中的运用,透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例,同时附有大量参考文献和常用的数据,以便读者进一步参考和应用。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生?传输?控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料?异质结构和能带?辐射复合发光和光吸收?光波传输模式;超晶格和量子阱?发光管?激光器?探测器?光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体?光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念?光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
电子信息材料是发展极为迅速的一类材料,但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少,要不数据陈旧,满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据,结合作者多年来的实验数据,编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较,作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段全部转换为数据文件,便于读者进行各种数据处理。手册数据量大,特性齐全,非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。
本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象,对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身,详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用,讨论高端制造的组织、调度和管理,工艺流程的监控,工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施,该部分的论述比较简明,但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。
本书分三章,章详细讨论半导体异质结构的注入(激发)及其电流机制、能带图表述、并着重探讨与新近垂直腔面发射激光器的发展密切相关的多层同型异质结理论。同时也为速率方程理论的建立提供坚实的物理和理论背景,并打好编程计算的基础。第二章建立为光子与电子相互作用作微观唯象表述的速率方程组、详细探讨光限制因子的全量子理论、并讨论电子和光子相互作用动平衡静态解,如阈值及其无阈值微腔效应、光功率-电流特性、端面返射、激光模式及其出射光束结构、模式竞争和转换等静态现象。第三章则将深入探讨半导体激光器包括激射延迟、激光过冲、和张弛振荡三个基本过程的瞬态行为、小信号的电流、光流、和微波加热三种调制方式及其调制带宽的理论、控制、和设计。大信号简谐调制及其调制带宽、脉码调制及其眼图的行为、不稳定和双稳态现
《真空科学技术丛书:真空镀膜》是本着突出近代真空镀膜技术进步,注重系统性、强调实用性而编著的。全书共11章,内容包涵了真空镀膜中物理基础,各种蒸发源与溅射靶的设计、特点、使用要求,各种真空镀膜方法以及薄膜的测量与监控,真空镀膜工艺对环境的要求等。本书具有权威性、实用性和通用性。 《真空科学技术丛书:真空镀膜》可作为从事真空镀膜技术的技术人员、真空专业的本科生、研究生教材使用,亦可供镀膜、表面改型等专业和真空行业技术人员参考。
本书是一本很好的英文教科书和参考书,与目前我国大学本科生的同类教材相比,这本书具有以下特点: (1)全新的体系结构。目前国内相关专业的教学体系是先学理论物理(包括统计物理、量子力学等)、固体物理,再学半导体物理,后学半导体器件,一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起,学生只需具有高等数学和大学物理的基础,用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 (2)注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图,帮助读者理解概念。 (3)可读性强,便于自学。全书思路清晰,说理清楚,易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该
《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章,47个专题,近300张图片(包括书末40余幅珍贵图片,既有著名的科学家,也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备)。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史,以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用,说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展,重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学
随着半导体器件和材料科学的发展,越来越多的纳米结构和纳米材料开始出现。界面特性深刻影响着纳米结构的导热及热设计,本书以半导体纳米界面导热特性为主题,针对纳米电子器件和纳米材料的研究前沿问题,对国内外发展动向和研究现状进行了调研和整理,研究融合了当前研究纳米结构界面导热特性的主要手段,力求在数值模拟及实验测量的基础上深入揭示影响纳米结构界面导热特性的主要因素及物理作用机制。本书可供相关专业高年级本科生、研究生以及相关领域科研与教学工作者阅读参考。
本书全面汇编了国内外电气和电子设备中所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和带环型号,内容涉及2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分*晶体三极管(包括晶体三极管模块)的型号。全书共分三部分:部分介绍了该手册的查阅方法;第二部分介绍了晶体三极管的型号命名、使用和检测访求等基础知识;第三部分以表格的形式介绍了晶体三极管的型号(国别)、主要参数、构成材料和近似置换。本书内容全面、查阅简单、携带方便,使一班介绍晶体三极管及其模块关键参数和代换资料的*工具书。 本书适合于电气和电子设备维修、设计、研究、生产、制作人员,电子器件销售人员及电子爱好者查阅。
本书以LED产品照明应用和广告应用技术为主线,详细介绍了LED应用的基础知识、LED照明驱动器及应用电路、LED灯光控制与信号处理技术、户内外常用LED灯饰产品的特性及应用、LED灯饰工程的设计规划与工程施工技术、LED显示屏及其数码管的工程应用、LED灯箱及大型LED发光字业余条件的制作技术等。
本书沿半导体全产业链的发展历程,分基础、应用与制造三条主线展开。其中,基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始,逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开,并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹,与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主,适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者;部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论,主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备,多数读者可以将这些内容略去,并不会影响阅读的连续性。
本书全面介绍了从只电阻器出现至今的200多种半导体器件,并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件,更包括新近的量子器件;不仅包括通用器件,还包括专用器件等。并且在附录中收录了一些基本的器件物理知识。本书的编排可以让广大读者快速了解各类半导体器件,同时也可就某一类器件展开深入的学习与研究。本书具有如下特点:收录全;反映*器件研究水平;编排独特。 本书是微电子学、电子科学与技术、材料学等专业的高校师生和从业工程师等在理论学习、科学研究以及实际工作中的教科书和参考书。