自1911年卡末林?昂内斯首次发现超导电以来，这一研究领域持续受到广泛关注，先后有众多科学家获得诺贝尔物理学奖，除了卡末林?昂内斯，还有超导微观理论的创始人巴丁、库珀、徐瑞弗，超导电子学领域开拓者约瑟夫森，高温铜氧化物超导体的发现者柏诺兹和缪勒，以及提出有关实用超导材料第二类超导体理论的阿布里科索夫，可见超导体研究不断出现突破性的进展，或在概念上对其他研究领域有重要启示。 本书详细描述了超导体研究有关工作，并对超导应用前景进行了展望，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。

低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重组成部分。它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作，器件性能与载流子输运动力学等内容。本书主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。

半导体行业现在是世界上 、 有价值的行业之一，与我们的生活、工作和学习密切相关。这本书是为非专业人士提供的科技指南，介绍与半导体有关的各种基础知识，包括物理、材料和电路，分立元件和集成电路系统、应用和市场，以及半导体的历史、现状和未来。 这本书适合所有对半导体感兴趣的读者。中学生 可以读懂这本书，专业人士也可以从中了解到市场、投资和政策制定方面的信息。

松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象，利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论，也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗，而该运动则源于磁通运动引起的电场，读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响，另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下

《超导体中的磁通钉扎》主要介绍了超导体中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的各种电磁现象,详细的论述了同临界电流密度相关的所有理论，也讨论了由于磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡流相位图像的影响，描述了另外一些参数对不可逆场的影响，例如超导体的各向异性、晶粒大小、电场强度等。本书也解释了接近理想状态的超导材料中交流损耗的减少主要来自于二维钉扎中起主导作用的可逆磁通运动。本书还涉及到以下方面：超导体中电流和磁场平行时同约瑟夫森效应相悖的现象；同临界态模型相悖的钉扎势中的可逆磁通运动现象；建立在临界态模型上的磁通钉扎中的最小的能量损耗现象等等。本书可供广大涉及超导研究的科研人员参考，也可作为高等院校相关学科的选用教材。本书为中外物理学精品书

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本书是一本很好的英文教科书和参考书，与目前我国大学本科生的同类教材相比，这本书具有以下特点： （1）全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理（包括统计物理、量子力学等）、固体物理，再学半导体物理，最后学半导体器件，一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起，学生只需具有高等数学和大学物理的基础，用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 （2）注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图，帮助读者理解概念。 （3）可读性强，便于自学。全书思路清晰，说理清楚，易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌