《透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质,既包含了作者近30年的研究成果,又反映了外透明氧化物半导体重要研究成果,既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论,又反映了当前国际上透明氧化物半导体的成果,重点突出,内容系统、全面、新颖,具有重要的科学意义和应用价值。
本书共包括15章:章概述了半导体制造工艺;第2章介绍了基本的半导体工艺技术;第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片,以及早期的制造工艺技术;第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长,以及硅外延技术;第5章讨论了半导体工艺中的加热过程;第6章详细介绍了光学光刻工艺;第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论;第8章讨论了离子注入工艺;第9章详细介绍了刻蚀工艺;0章介绍了基本的化学气相沉积(CVD)和电介质薄膜沉积工艺,以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积(ALD)工艺过程;1章介绍了金属化工艺;2章讨论了化学机械研磨(CMP)工艺;3章介绍了工艺整合;4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程;5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
《光电二极管及其放大电路设计》内容简介:光电技术是一个高科技行业,光电二极管是光通信接收部分的核心器件。《光电二极管及其放大电路设计》系统地讨论了光接收及放大电路的设计和解决方案中的带宽、稳定性、相位补偿、宽带放大电路、噪声抑制等问题。《光电二极管及其放大电路设计》专业性强,系统架构由简到难,理论与实践相结合,具有较强的应用性、资料性和可读性。《光电二极管及其放大电路设计》适合光信息科学与技术、电子科学与技术、光通信相关专业的高校师生及研发人员使用。
本书是在国家自然科学基金委员会信息科学部的支持下,邀请了三十余位工作在半导体研究领域线的知名专家撰写而成的。本书系统介绍了当前国际、半导体科学和技术各个领域,包括半导体材料的生长、物理问题、重要实验和理论结果、器件结构和应用等方面的基础知识、研究现状、发展趋势和有待解决的关键问题。 本书适合从事半导体研究和教学的大学教师、科技工作者、工程技术人员、研究生、本科生以及科技管理部门有关工作人员和管理专家阅读和参考。