本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料,学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
本书共包括15章:章概述了半导体制造工艺;第2章介绍了基本的半导体工艺技术;第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片,以及早期的制造工艺技术;第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长,以及硅外延技术;第5章讨论了半导体工艺中的加热过程;第6章详细介绍了光学光刻工艺;第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论;第8章讨论了离子注入工艺;第9章详细介绍了刻蚀工艺;0章介绍了基本的化学气相沉积(CVD)和电介质薄膜沉积工艺,以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积(ALD)工艺过程;1章介绍了金属化工艺;2章讨论了化学机械研磨(CMP)工艺;3章介绍了工艺整合;4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程;5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
半导体光放大器是一种处于粒子数反转条件下的半导体增益介质对外来光子产生受激辐射放大的光电子器件,和半导体激光器一样,是一种小体积、高效率、低功耗和具有与其他光电子器件集成能力的器件。尽管掺铒光纤放大器(EDFA)后来居上,在光纤通信中获得应用,但半导体光放大器在光纤通信网络中应用前景仍不容置疑。黄德修等编著的这本《半导体光放大器及其应用》共分9章,前4章介绍半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用。第5章介绍半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善,特别介绍低微量子材料的性能对半导体光放大器性能提高的影响。第6~8章分别阐述半导体光放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果。第9章介绍半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。《半导体光放大器及
《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件:原理、特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件:原理、特性和可靠性》内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的的成果。本书是一本精心编著,并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版,必将有助于我国电力电子事业的发展。
《功率半导体器件基础(英文版)》作者是功率半导体器件领域的专家,IGBT器件发明人之一。《功率半导体器件基础(英文版)》结合作者多年的实践经验,深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 《功率半导体器件基础(英文版)》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书,也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
《场效应管实用备查手册》是《半导体器件实用备查手册》系列书之一,《场效应管实用备查手册》介绍了新型与常用场效应管以及具体场效应管的生产厂家、主要极限参数与电参数、尺寸图或外形图或内部图示,均为电工电子行业从业人员实际工作必需的珍贵信息,尤其是详尽的参数与一一对应的图,构成了《场效应管实用备查手册》突出的特点。 作为一本实用的工具书,《场效应管实用备查手册》可供广大电工电子科技人员、各类电器设计人员、各类电器维修人员以及相关学校师生查阅。
本书是一本介绍如何使用意法公司推出的集成开发环境STVD、配合使用意法公司的ST-LINK/V2在线仿真/编程器完成STM8系列单片机开发的入门书籍。全书以STM8主流系列大容量产品STM8S208RB单片机为例,对STM8S系列单片机的片内功能、开发环境、功能模块以及接口电路等方面做了详细介绍。本书也是一本零基础入门单片机C语言开发的实践指导书。
本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强(IE)等新技术进行了详细介绍。 本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书,也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。
本书主要叙述了全球半导体晶圆制造业线产布局的现状,是目前对全球半导体晶圆制造业 线产现状进行梳理的书籍。编者历时多年,通过与各大公司的沟通和跟踪整理,决定以全球半导体晶圆制造业发展为主线,辅以晶圆材质(Si、GaAs、SiC、GaN、InP)和尺寸(3 ~ 12英寸),按照总部所在国划分,对现有的晶圆制造设施进行了全面的梳理,包括产能、工艺节点、产品,还对相关资产转移情况进行了整理;并透过对全球半导体晶圆制造公司的发展情况、业务整合、财务信息、经营团队、产品与市场、重大战略合作协议等方面的整理和归纳,让读者可以对他们的运营方式有个比较全面的了解。
随着电子产品向多功能、高密度、微型化方向发展,电子?联工艺发生了很大的变化,涉及焊料、PCB、元器件等组装材料面临更多的挑战,对?联工艺技术和可靠性提出了更高的要求,因此,迫切需要一本能系统阐述现代电子 联工艺并为后续产品实际组装提供指导的图书。 本书从PCB、元器件和焊接材料入手,系统讲解了现代电子?联工艺中常见的技术,包括软钎焊、压接、胶接、螺装、分板等工艺技术,对电子?联过程失效和可靠性进行了分析,并站在工艺管理的角度阐述了现代电子?联的工艺管理要求。
本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用,内容集学术性与实用性为一体。全书共12章,内容包括:Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论,InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED,AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED,Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析,LED的应用,最后介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
本书基于TFT-LCD工厂生产的实践,科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念,组成材料,工艺和设计流程等;列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法;最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例,介绍中小尺寸,特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。
本手册内容包括各种电力电子设备的基本原理、设计方法和应用技术。全手册分为两大部分。部分包括有关电力电子设备的通用资料、基本元器件和单元、基本电路计算及设计、配套件等共性内容。第二部分为各类电力电子设备的原理与设计,包括各类交直流电机调速装置用变流器、高压大容量电力电子装置、牵引变流器、感应加热电源、交流电力控制器、开关电源、焊机电源、不间断电源、照明电力电子技术、无功补偿和谐波抑制装置等内容。书中配有大量计算实例,以便读者能很快地掌握设计计算技能。 本手册主要供从事电力电子设备研究、设计和应用的工程技术人员使用,对于从事电力电子技术专业学习和研究的大专院校师生也有较大的参考价值。
《功率半导体器件基础(英文版)》作者是功率半导体器件领域的专家,IGBT器件发明人之一。《功率半导体器件基础(英文版)》结合作者多年的实践经验,深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,不仅详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 《功率半导体器件基础(英文版)》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书,也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料,学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
本书首先回顾了半导体材料的发展史,简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术;然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述;接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-V族化食物单晶衬底材料、趣晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用,宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单aaa、外延材料及其相关器件应用;进而重点描述近年来得到迅速发展的以Zn0为代表的II-VI族半导体材料的研究现状与发展趋势;最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的研究进展。 本书可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研工作者的参考读物。
DC-AC逆变技术是应用电力半导体器件,将直流电能变换成交流电能的一种静止变流技术。在以直流发电机、蓄电池为主直流电源的二次电能变换和可再生通顺(太阳能、风能等)的并网发电等场合,逆变技术具有广泛的应用前景。 本书在论述了电力电子及其逆变技术现状与发展的基础上,按电气隔离、功率流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关技术等类型,系统,深入并有创新地论述了方波、多重移相叠加阶梯波合成、脉宽调制、单向电压源高频环节、高频脉冲直流环节、双向电压源高频环节、谐振式双向电压源高频环节、电流源高频环节、直流变换器型高频环节、三相、并联、多电平、可再生能源并网、Delta等逆变技术和控制、驱动、缓冲、滤波等相关技术
场效应晶体管是半导体器件的重要门类之一,由于它具有普通晶体三极管所没有的独特优异性能而得到广泛应用,即使在集成电路迅速发展的,仍具有广阔的应用前景,将继续拓宽在各种仪器设备、家用电器、电子计算机机及其它电子领域中应用。 随着改革开放的深入发展,我国直接进口、引进组装、开发生产的大量电子仪器设备和家用电器中,都应用着各种各样的场效应晶体管。从事以上各项工作的工程技术人员、维修人员及电子器材营销人员,都迫切需要一本内容准确、种类齐全、实用性强的场效应晶体管特性参数与代换手册。为此我们编写了本手册。
有机场效应晶体管是有机电路的基本构筑单元,也是分析有机半导体传输性能的有力工具。基于有机场效应晶体管的显示器、电子纸、射频商标等产品已经走人人们的视野,预示有机场效应晶体管具有巨大的应用前景。胡文平编著的《有机场效应晶体管》共分10章,系统、全面地介绍了有机场效应晶体管的发展历史,基本概念与原理,材料的选取、制备与表征,晶体管的构筑与实际应用等内容。 《纳米科学与技术:有机场效应晶体管》可供高等院校化学、材料、物理和信息等专业高年级本科生、研究生、教师,研究院所科研人员等阅读和参考。
本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上,结合外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用,内容丰富,文字通俗,具有很高的实用价值,可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。
本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用,概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括:半导体物理基础,电力电子器件的基本原理、特性及典型器件,电力电子器件的材料优选,碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块,以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。 本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生,在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时,也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。
本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上,结合外电力电子器件的应用和发展趋势,全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术,突出实用性。全书共7章,分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用,内容丰富,文字通俗,具有很高的实用价值,可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。