本书讲述了功率半导体器件的基本原理，涵盖Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等；将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等，并详细介绍了测试标准、方法和原理，同步分析了测试设备和数据等；重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面，详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求，贴近工业实践，知识内容新颖，可为工业界以及高校提供前沿数据，为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书，也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。

《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程，内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面，而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面，如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求，以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件：原理、特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。 《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件：原理、特性和可靠性》内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的的成果。本书是一本精心编著，并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版，必将有助于我国电力电子事业的发展。

《光学投影曝光微纳加工技术》系统介绍主流光刻技术——光学投影光刻的工作原理、系统组成、应用和发展前景，详细介绍投影光刻物镜、掩模硅片对准、激光定位工件台、分辨力增强技术以及整机集成。

《LED 调光技术及应用》重点讲述了流行的ＬＥＤ调光调色产品相关知识，并列举了几个实际案例。全书共分6章，分别介绍了照明基础知识、ＬＥＤ 简介、ＬＥＤ 驱动基础知识，ＬＥＤ调光控制、常见控制通信方式，包括5个完整的实际应用实例。 《LED 调光技术及应用》内容由浅入深，以调光、调色为主线贯穿全书。各章节自成体系，读者不必按部就班从头到尾学习，可根据自己需要选择合适的章节直接学习、阅读。本书内容适合大专及以上学历工程师阅读，也可供大专院校相关专业师生参考。

《常用晶闸管触发器集成电路及应用》是“高科实用电力电子技术丛书”之一。《常用晶闸管触发器集成电路及应用》详细介绍了各种常用晶闸管触发器集成电路及其使用技术，内容包括常用晶闸管触发器集成电路的型号、引脚排列、参数限制、内部结构和工作原理、应用举例及典型工作波形等，列举并细致分析了多个已批量投入工程实际中应用的典型电力电子变流系统专用控制板实例。 《常用晶闸管触发器集成电路及应用》理论联系实际，内容丰富，图文并茂，语言通俗易懂，是一本实用电力电子技术参考书，可作为晶闸管为主功率器件的电力电子变流设备及特种电源设计、调试、安装和制造及研究开发的技术人员的实用参考书，也可供工科院校和从事电力电子行业及相近专业的广大师生参考。

本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能 、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体 材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本 书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、 仪器结构、样品制备和应用实例等内容：包括四探针电阻率、无接触电阻 率、扩展电阻、微波光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、 正电子湮没、荧光光谱、紫外-可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和C-V 等测试分析技术。 本书可供大专院校的半导体物理、材料与器件、材料科学与工程和太 阳能光伏等专业的高年级学生、研究生和教师作教学用书或参考书，也可 供从事相关研究和开发的科技工作者和企业工程师参考。

本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技