本标准等同采用SEMI MF 1630-0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法》。 本标准与SEMI MF l630—0704相比，主要有如下变化： ——用实际测量到的红外谱图代替SEMI MF 1630—0704标准中的图2、图3。 用实验得到的单一实验室测试精密度代替SEMI MF 1630—0704中给出的单一实验室测试精密度。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。 本标准主要起草人：梁洪、过惠芬、吴道荣。
本标准由中国轻工业联合会提出。 本标准由全国照明电器标准化技术委员会(SAC／TC 224)归口。 本标准起草单位：杭州能源工程技术有限公司、浙江省能源研究所、佛山市华全电气照明有限公司、绍兴晶彩光电技术有限公司、宁波大学。 本标准主要起草人：陈哲艮、朱萃汉、金步平、区志杨、谢炳高、柯柏权、汪鹏君。
《半导体芯片制造技术》全面系统地介绍了半导体芯片制造技术，内容包括半导体芯片制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀、掺杂及封装。书中简要介绍了半导体芯片制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《半导体芯片制造技术》以半导体硅材料芯片制造为主，兼顾化合物半导体材料芯片制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，书中用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。 《半导体芯片制造技术》针对高职高专学生的特点，以“实用为主、够用为度”为原则，系统地介绍了半导体芯片制
本书共分9章，内容包括半导体器件基础、基本放大电路、负反馈放大器、信号运算与处理电路、功率放大器、信号产生电路、振幅调制、解调与混频、角度调制与解调和直流稳压电源。在内容介绍上，注重概念的解释、原理的讲解、电路的分析和电路的应用。 本书可作为电子技术的基础教材可供高等院校相关专业的师生使用，也可供相关工程技术人员和从业人员学习参考。
本标准的附录A和附录B为资料性附录。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本书结合近年来LED的技术发展趋势和工程应用实际，系统地介绍了LED的基础理论及其在景观照明、广告设计及室内外装饰工程等领域中的应用知识，并且对工程施工中的常见问题进行了比较详细的分析。全书分为基础理论篇、驱动电路篇、工程施工篇和资料篇，共13章。 本书题材新颖，内容丰富，图文并茂，注重实用性和资料性，可供从事LED产品开发、设计和应用的工程技术人员阅读，也适合电气工程技术人员、建筑工程技术人员和装饰工程技术人员阅读，还可供大中专院校相关专业师生阅读。
本书讨论以半导体激光器为光源的干涉理论及在几何量测量中的应用技术，全书共八章。以半导体激光器体积小，重量轻、输出光可调谐、易集成等优点为基础所形成的半导体激光干涉技术，为实现许多物理量的高精度、非接触、在线测量提供可能。本书作为半导体激光干涉理论及其应用技术的系统总结，详细介绍有关的理论基础、可能出现问题的具体解决方法，详细讨论了利用各种输出光调谐方式进行几何量干涉测量的理论及技术。 本书所讨论的内容基本上反映了近年来该领域的主要成就，涉及到了几何量测量的大部分内容，有广泛的适用性，可以作为从事精密仪器、光学仪器以及其他仪器仪表研究、应用的专业技术人员的参考书，对从事机械制造、航天航空、电子工业等领域的有关人员也一定会有较大的帮助。
本书全面、系统地阐述了LED照明基础知识及LED照明驱动电路设计，按室内照明应用给出了LED球泡灯、LED日光灯、LED筒灯、LED日光灯支架、LED平板灯等许多典型LED驱动电源设计与应用实例。本书共含7个项目，l4个任务。书中全部项目紧密结合典型LED驱动电源技术，LED灯具装配与真实的工作过程相一致，完全符合企业需求，贴近生产实际。本书遵循职业教育教学规律，分任务先易后难，突出重点和难点的原则，从LED照明驱动的基本原理，常见LED室内照明灯具应用、技术要求，到典型照明驱动电路设计和测试，再到驱动电源组装和测试任务实施，可帮助读者全面、系统地掌握室内LED照明驱动电路的设计方法及典型应用设计，掌握LED驱动电源组装和测试方法。 本书融“教、学、做”于一体，内容由浅入深，循序渐进，通俗易懂，图文并茂，可作为中高等职业院校的
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出并归口。
本标准与JB/T 7483-1994相比，主要变化如下： 条款3“型号命名”和条款4“产品分类”合并为条款3“产品分类”，随后各章的序号相应向前高速1号。原条款5.2.1修订为条款4.2.1，表2中输出灵敏度由“大于400V/V”修订为“大于等于10mV/V”。“零点移”修订为“短期零点稳定性”；增加“注3”。原条款5.3.2修订为条款4.3.2其中的“四项技术指标”修改为“四项性能参数”。原条款5.3.2-条款5.3.6修订为条款4.3.2条款4.3.6，其中的“产品”修订为“传感器”。原条款6.7.1修订为条款5.7.1，图1中的“调零电位器”取消。原条款6.7.3取消。原条款7.2.3修订为条款6.2.3，其中的“合格质量水平”修订为“接收质量限”。原条款7.2.1的a）条取消。原条款7.3修订为条款6.3，其中的“周期检验”修订为“型式检验”，6.3.3条款中增加了“0”组、“1”组和“2”组之间的关系和检验顺序。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
《半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究》由周庆涛著，近年来，一维纳米结构，例如纳米管、纳米线、纳米带以及纳米同轴电缆 等，引起了人们广泛的研究，不仅是因为它们是研究尺度和维度决定的物理和化学性质的理想体系，而且它们在未来纳米器件中有着重要的潜在应用。 虽然一维纳米材料的研究已经取得了长足进步，在短短的十几年间就完成了由材料制备向原型器件的跨越，但值得注意的是，如何在形貌、排列、成 分、结构以及性质上可控制备一维纳米材料，依然是一个很大的挑战，而一维纳米材料的可控制备是其应用于纳米器件的前提和基础。围绕着一维纳 米材料的可控合成及其物性，《半导体纳米线及其阵列可控生长和物性研究》开展了一系列的研究工作。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC／TC 203／SC2)归口。本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司。本标准主要起草人：杜娟、孙燕、卢立延、楼春兰。
本书是在1989年出版的高等工科学校试用教材《晶闸管变流技术》的基础上修订的。 本书主要内容为：晶闸管可控整流电路、有源逆变电路、晶闸管的选择和保护、晶闸管的触发电路、晶闸管交流开关、交流调压、变频电路等与斩波电路以及新型全控功率电子器件的介绍。本书可作为高等工科学校电气技术、电气自动化等专业的教材，也适用于高职院校、职工大学、电视大学，并可供其他有关专业师生及工程技术人员参考。
本标准按GB／T 1．1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB／T 11490一1989《彩色显像管管基尺寸》。 本标准与GB／T 11490--1989相比主要变化如下： ——增加了第2章规范性引用文件； ——增加了第3章术语和定义； ． ——用3种类型管基外形尺寸图和具体尺寸标注示例代替了原标准的具体管基尺寸图，并对标注尺寸的名称进行了规定； ——增加了管基电极接线图示例； ——删除了第3章检验量规。 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC／TC 167)归口。 本标准起草单位：彩虹集团公司。 本标准主要起草人：黄宁歌、牛少梅、韩胜。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB／T 11490--1989。
本书主要内容有半导体的电学性质、半导体界面的电子现象，各种半导体二级管、双极型功能器件、MOS 型控制器件及异质结器件等。
本书融合了半导体物理和晶体管原理两部分的内容。考虑到对高职学生的教育要求，本书在编写时尽量减少理论推导，用通俗易懂的语言来阐述半导体物理的基本知识和晶体管的基本原理。全书共分10章，第1章介绍半导体物理的基本知识，第2章阐述P-N结的特性，第3到6章讲述晶体管的直流特性、交流特性、开关特性和高频大功率晶体管的设计，第7到第10章讲述MOS器件的相关内容。每章均有与教学内容相结合的适量习题。 本书可作为高职高专院校微电子技术专业的教材，又可作为微电子技术人员的参考书。
