本书从微观分子角度出发系统地介绍了高分子结晶热力学、动力学和形态学的基本概念以及当前研究进展，并重点介绍了在无规共聚物、纳米空间和嵌段共聚物自组装微畴等受限条件下高分子结晶学的研究进展，附录还介绍了作者所擅长的动态蒙特卡罗分子模拟方法。 本书适合从事高分子凝聚态物理、高分子材料、高分子化学和化工、生物物理等研究和开发领域的科研人员、教师、企业技术人员、研究生和高年级本科生阅读。

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以 Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以 Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

本书主要以沸石分子筛材料的绿色合成，即无有机模板剂合成与无溶剂合成为核心展开。其中无有机模板剂合成主要是介绍各种策略，包括调节起始凝胶配比、利用沸石导向剂及晶种法等；无溶剂合成更侧重于晶化过程、晶化机理及成品性能等方面的讨论。最后还提出了沸石分子筛材料绿色合成面临的新的挑战和机遇。

本书是 B K 伐因斯坦（主编）、 A A 契尔诺夫和 L A 舒瓦洛夫主持编写的《现代晶体学》 4 卷本中的第 3 卷，本书的主要作者是 A A 契尔诺夫，参加编写的还有其他 5 位专家。本书由结晶过程和晶体生长两大部分组成。*部分包含的内容有：平衡、成核和外延、生长机制、杂质、质量和热输运、生长外形及其稳定性、缺陷的产生和团块结晶等；第二部分介绍气相生长、溶液生长和熔体生长。本书可作为固体物理、材料科学、晶体学、金属学、矿物学、化学等专业的教师、研究生、大学生的教材或教学参考书，并可供有关科技人员参考。

本书是在研究生工作办公室的研究生教材《现代晶体化学——理论与方法》一书的基础上，与时俱进修改补充完善而成的。《BR》 全书共有十四章。系统介绍了晶体化学的形成和发展，晶体几何学理论，倒易点阵及晶体衍射方向，晶体化学基本原理，晶体生长与晶体合成，晶体结构缺陷，准晶体学基础，单质、氧化物及类似物的晶体化学，硅酸盐晶体化学，配合物晶体的设计与合成，几种新颖配合物的晶体化学，纳米材料晶体化学，晶体的X射线分析，晶体的显微分析等。内容安排符合教学要求，富有启发性，有利于学生素质、能力的培养和提高;理论论证科学，实践性也很强，及时、准确地反映了国内外的先进成果。

本书主要介绍了X射线晶体衍射的基本原理，晶体的培养与衍射数据的收集，晶体结构解析与精修的基本概念、结果的表达，有关的晶体学数据库和软件资源，结构解析的实际例子及常用软件的使用方法等。本书结合作者多年从事晶体结构分析所积累的经验，总结了结构解析过程中常见的问题与解决方法，并提供了最新的有关文献资料。作者对第一版进行增删、修改，旨在进一步提高理论基础的易读性和实用性，突出与实践密切相关的内容，对面探衍射仪的操作、数据处理等内容做了适当的增加，提供了更多有助于读者解决结构解析和精修过程中容易遇到问题的内容和实例。

本书系统地介绍了多晶X射线衍射技术的原理、仪器、方法和应用。全书内容循序渐进，在介绍X射线的物理基础、射线强度检测技术及其发展、晶体和晶体衍射的理论知识基础上，着重阐述了X射线衍射仪器和多晶衍射仪的原理，详细论述了如何获得正确的衍射数据、如何评估衍射实验数据的可信度以及仪器的工作状态等实验技术问题。之后，又在物相分析、晶面间距或晶胞参数精测、峰形分析三方面深入介绍了多晶衍射数据在各方面的实际应用，列举了一些实例和已发布的应用多晶衍射的测试方法标准。 本书凝结了作者50余年的X射线仪器研发和应用经验，具有很强的实用性，可供化学、化工、材料、矿冶等领域中从事固体物质材料分析鉴定的研究人员和X射线衍射仪器操作的技术人员参考。

本书是一部经典的结晶学教材，1961年初版， 1972年第2版，1992年第3版，1994年、1995年重印出版，1997年简装版出版，2001年第4版全面修订出版，备受关注。书中系统阐述了结晶学的基本原理，包括晶体学、晶体学的物性、结晶动力学、结晶技术以及结晶设备的设计原理和操作。新版在第3版的基础上进行了较全面的改写，同时增加了不少新的内容，反映了该领域近年来的主要进展。该书附录提供了大量有关

本书论述了各类压电谐振器件的基本理论。前五章从弹性动力学和压电学及电学的基本理论出发，系统的分析了处于各种边界条件或应力条件下的压电器件的谐振特性；第六章论述了压电谐振器的等效参数、压电材料常数与频谱的关系及这些常数的测定方法；第七章讲述了求解压电谐振器谐振频谱的若干实用的近似方法。

本书由电催化基础和重要电催化过程两部分组成。内容包括从纳米结构、表面结构、电子结构出发认识电催化过程和催化剂材料的性质，到电催化剂的理论设计、理论模拟和制备；从氢、氧及有机分子电催化基础，到燃料电池、太阳能电池、生物电化学乃至工业电化学过程等电催化应用。本书在内容的选择上，既注重基础知识和研究方法的介绍，同时又紧紧围绕前沿方向。 本书既适合选择电催化、电化学、催化化学、表面科学、材料科学等学科作为研究方向的研究生，也适合从事电催化及相关领域科学研究和技术研发的科技工作者参考。

本书系统论述了光子晶体原理、制备方法和作为生化传感器的应用，分别介绍了一维、二维、三维光子晶体基本概念、设计原理、广泛使用的材料，以及在爆炸物、有机磷、环境污染物、食品中有害物质的残留(如药物、抗生素、重金属等)、VOC气体、生物大分子等检测中的应用，此外，对光子晶体作为温度和压力传感器、可穿戴设备，以及其在诊断中的应用和仿生光子晶体的研究现状做了系统性总结。

《光子晶体光纤——特性及应用（影印版）》试图对光子晶体光纤作专业的导读，特别是在通信方面。本书深刻地分析了光子晶体光纤的物理与几何特性，并说明这些特性是如何导致了这种新型光纤的特殊表现。本书主要应用了有限元方法这一有力工具。并且，本书还关注了光子晶体光纤制造技术的极限和可能性。本书将对通信领域及其他光纤技术应用的领域的研究者提供帮助，也可作为这些领域的研究生的参考读物。

本书首先介绍准晶的发现及其概念，然后阐述其弹性性质。接着给出一些常见准晶平面问题中裂纹缺陷问题的复变函数解法，得到其解析解。后探讨准晶中塑性变形的一些简化模型，这和经典弹塑性研究是一致的，得到了这些准晶在变形时的一些断裂参量，能观察出准晶存在相位子场对准晶变形的影响。

《结晶化学导论（第3版）》包括几何结晶学、X光结晶学和结晶化学三部分。几何结晶学用对称性几何理论讨论了32种点群和230种空间群。X光结晶学包括X射线衍射理论、X光粉末衍射法及其在无机化学中的应用，并结合电子显微镜技术研究了纳米材料的形状和物相。结晶化学部分对于无方向性的金属键、离子键、范德瓦尔斯键构成的晶体结构用球的密堆积模型来描述；而对于复合化合物的晶体结构则用配位多面体构型来描述，如钙钛矿八面体配位的超导氧化物，八面体和四面体复合配位的尖晶石磁性氧化物，硅氧四面体为骨架的分子筛；对于多种化学键的如储氢化合物和插层化合物的晶体结构也从结晶化学角度加以描述。 《结晶化学导论（第3版）》适合作为高等学校化学、材料学科的本科生教材，也可供相关学科研究人员参考。

本书共分为10章，主要内容包括:晶体的宏观对称；晶体定向与结晶符号；单形和聚形；实际晶体的形态和规则连生；晶体的面角恒等及投影；晶体生长的基本规律；晶体结构的几何理论；晶体化学基础；晶体结构。针对无机非金属材料科学与工程专业、矿物材料专业及宝石学专业的特点，本教材以几何结晶学和晶体化学的内容为主，对晶体结构的几何理论、晶体生长学部分侧重于基本概念和基本理论的介绍。后介绍了常见典型晶体结构。

由中国晶体学会编著，介绍了晶体学学科发展情况，并对本学科的进展做了全面而准确的总结。学会对所负责的学科发展研究初稿进行研讨及学术交流后，为研究成果的后完成提出实质性修改意见和建议。整套丛书的特点：，确保权威性，注重研究工作的质量，确保研究报告为反映各学科发展情况的*权威性的指导性丛书；第二，体现前瞻性，学科涉及面较大的不要求面面俱到，应注重体现*热点、前瞻和重大学术进展；第三，将2007年第四季度学科发展的内容纳入进去，做到严谨、完整；第四，时效性好；第五，整体性强。

本书系统介绍了人工晶体生长的基础理论和相图技术，在此基础上全面介绍了人工晶体生长主流技术如水溶液法、助熔剂法、水热法、焰熔法、提拉法和坩埚下降法等，详细介绍了上述人工晶体生长技术的基本原理、设备设计与构造、生长工艺以及它们的优缺点等。同时，作者结合自身多年科研工作成果积累，选择性介绍了几种重要的光电子晶体材料的生长技术。

本书主要是关于通过电子显微学对新型介观晶体的结构特征和形成机理进行详细表征的 研究，包括介孔材料的共结构导向法合成体系及以DNA分子为模板进行自组装矿化。第1章 介绍了晶体学和电子显微学的概括，第2章是关于介孔晶体的相转变与曲率研究，第3章是关 于具有多面体内部形貌的介孔空心球晶体研究，第4章是关于DNA-二氧化硅共组装介观晶体 的研究，第5章是关于阴离子表面活性剂导向形成纳米颗粒和空心球的机理研究，第6章在总 结的基础上提出了该研究领域的展望。

本书对坩埚下降法的历史进行总结回顾，并分章节重点介绍几种功能晶体的生长和应用，其中包括闪烁晶体锗酸铋、硅酸铋及其混晶，四硼酸锂压电晶体生长与应用，卤化物晶体坩埚下降法生长与闪烁性能，钨酸铅闪烁晶体及其在大科学工程中的应用，弛豫铁电单晶生长于表征进展，钨酸镉闪烁晶体的坩埚下降法生长研究，中红外非线性光学晶体磷化锗锌和砷化锗镉的生长与表征等。此外，依据研究对象和目的的不同，本专著还对坩埚下降法的一些技术创新工作进行了介绍。

本书是作者在多年的科研和教学基础上积累而成。运用几何学的概念和方法系统地分析和推导晶体的对称性原理及晶体的衍射原理，给读者以鲜明的立体概念，便于理解、掌握和应用。全书共分为三部分:几何晶体学基本原理、微观空间对称原理和晶体中X射线衍射基本原理。第一、二篇运用一般位置等效点系中的等效点在空间的对称分布与空间对称性相一致的原理，分别对晶体的宏观对称性、微观对称性及对称组合规律进行深人的阐述和分析，并对32个点群和230个微观空间对称组合给予系统推导。第三篇在晶体点阵与其倒易点阵相互关系的基础上，运用倒易点阵与反射球的数学模型及其相互作用关系，详细阐明劳埃散射方程和布拉格反射方程，并从原理上简明地描述了几种常用的重要的单晶衍射方法和仪器的实际运用。此外，从晶体微观空间中的平移矢量所导致

Fundamentals of X-Ray Crystallography is thecondensation and crystallization of the author's over 50 years ofscientific research and teaching experience. In order to helpreaders to understand crystallography theory, to establish vividthree dimensional concepts of symmetry operations, simple geometryconcepts and methods are employed in the analysis and derivation ofthe symmetry principles and diffraction theory in this book. Thisbook is divided into three sections: fundamental principle ofgeometric crystallography, symmetry principle in the microscopicspace and fundamental principles of crystal X-ray diffraction.InSection I and Section II, with the application of consistencyprinciple between the distribution of general symmetry equivalentpoints and the spatial symmetry,the macroscopic and microscopicsymmetry and their combinations are intensively analyzed anddiscussed. The 32 point groups and 230 microscopic symmetrycombinations are systematically derived as well. In Section III,based on the relation betw

《声子晶体的基本原理与应用》的目的是从材料、装置和应用等角度为读者详尽地综述声子晶体领域的研究现状，并为准备介入这一领域的研究者们提供必要的研究工具。为实现这一目标，该书涵盖了声子晶体设计与实验中所用到的各种仿真手段、制备过程和描述方法等内容，无论是本领域的成熟研究人员还是新手都能轻松地理解和掌握。此外，该书还对近期声子晶体领域出现的一些非常重要的研究进展做了介绍。 撰写该书的想法*初萌发于2009年的夏天，那时我们联合主办了*届国际光子晶体研讨会（Nice，法国，2009），会议过程中人们认识到有必要为声子晶体领域撰写一本包罗万象的参考书，因此，会议之后，我们花了相当长的时间调查了声子晶体研究者们的需求，以此为依据形成了该书的内容框架，进而邀请了多位专家分别执笔撰写了相应的章节内容。

本书从晶界与晶体塑性关系着手，基于原子尺度、纳观尺度、微观尺度、介观尺度和宏观尺度，系统介绍了晶界基本结构与晶体材料力学行为之间的关系，强调了晶界对于工程应用领域中的多晶体材料所具有的重要意义。本书共六章，第 1 章为晶界结构与缺陷，第 2 章为晶界变形的基本机制，第 3 章为冷变形晶界 ? ，第 4 章为蠕变与高温塑性——晶界动力学，第 5 章为晶间疲劳，第 6 章为晶间偏析与晶体材料的断裂。

《晶体中的位错（重排本）》成书背景如下：位错理论在本世纪30年代发源于英国，成熟于40年代末，得到国际学术界广泛的重视。而我国由于受苏联学术界的影响，位错理论一时无法推广。直至1959年，钱临照才开始在物理研究所内写讲义，讲授和讨论这个国际公认的学说。随后，举行了两次全国性的晶体缺陷和金属强度的讨论会。钱临照和杨顺华合写了10万字的《晶体中位错理论基础》赴会报告，后集结成册出版，向那一代物理学工作者介绍了此领域的基本理论，对他们的科研与工作具有很大的指导意义。