《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导

应用现代微电子及信号处理技术，可充分利用补偿接地电网故障行波及暂态量所含有的丰富故障信息，构建"群体比幅比相"的暂态分析法单相接地故障选线一系列新算法，利用输电网"方向元件"概念建立配网单相接地故障暂态量保护，以及直配线路和多分支树型辐射网的行波及其频差法故障定位。

掺杂作为重要的材料改性方法，在压电陶瓷微结构优化与力、电性能提升方面有着重要应用。本书基于作者十余年来在压电陶瓷掺杂研究方面的工作积累，对多元系复杂结构压电陶瓷掺杂机理、改性技术和相关压电器件应用进行了系统的介绍。全书主要包括以下内容：章绪论，第2章压电陶瓷基体的结构与性能，第3章压电变压器用陶瓷掺杂改性和第4章能量收集器用陶瓷掺杂改性。

《国际电气工程先进技术译丛·先进的高压大功率器件：原理、特性和应用》共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结

《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时，从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发，详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术；另外，还介绍了避雷器的维护检修方法、国内外产品的发展，并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。 《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读，也可作为有关电力专业的师生学习、参考。

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《10~35kV高压开关柜隐患和故障分析及预防》以图文并茂的方式，介绍了10~35kV高压开关柜的隐患及故障分析和预防措施。全书共4章，分别对开关柜内部放电隐患、发热隐患、柜内设备严重损坏故障的原因进行了分析，并给出了预防措施。本书通俗易懂、针对性强，所述内容都配有相应的现场照片，所举案例具有一定的普遍性和典型性，是一本实用的科技书。

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