本书作者是高压开关设备领域的国际知名专家，英文版由国际高压设备试验和认证机构——KEMA组织出版，全面讲述了高压断路器的工作原理和技术现状，并介绍了国外实际产品的原理与设计，使读者能够更好地理解高压断路器的技术。本书充分反映了近年来国际范围内高压断路器基础理论、工作原理、产品设计、试验技术方面的当前进展，对现代高压断路器及开关设备的设计、制造、运行和科技管理具有积极的推动作用。与同类书相比，本书内容丰富且反映了国外产品的发展，详尽地说明了IEC标准及其他标准，特别阐述了高压断路器的试验方法，包括很多KEMA独有、专有的试验技术和方法以及试验报告内容。本书可为高压电器研究、设计、试验、运行和管理的广大工程技术人员提供很有价值的帮助，同时也可作为高等工科院校电气工程专业特别是电器、高电压技术

《电气设备及运行维护系列》主要从基础知识、原理、结构、相关标准要求及运行维护等方面对电气设备进行全面的介绍。本丛书内容是编者多年现场工作的经验与总结，实用性强。本书为《高压断路器分册》，共分4章，主要包括高压断路器基础知识、 SF6断路器、真空断路器、高压断路器的运行维护等内容。

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《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时，从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发，详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术；另外，还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展，并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。 《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读，也可作为有关电力专业的师生学习、参考。

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《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导

《高压开关柜安装与检修》编者收集了大量的高压开关柜资料，在此基础上由浅入深、通俗易懂地介绍了高压开关柜的结构、功能和安全要求，同时对高压开关的特点、要求、结构也做了简要介绍；重点介绍了高压开关柜的安装标准、施工流程、施工准备、就位、固定、接地以及质量验收；详细介绍了高压开关柜的调试、检修和维护的方法；后结合具体案例讲解了高压开关柜故障的诊断、分析及处理。本书的特点就是知识的讲解全部结合具体、真实的案例，能和读者的工作紧密结合，针对性和可操作性更强。本书可作为高压开关柜安装与检修人员的岗位实训指导书，也可作为职工培训及职业技能鉴定的参考书。

《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导

《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时，从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发，详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术；另外，还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展，并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读，也可作为有关电力专业的师生学习、参考。

《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导

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