《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时,从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发,详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术;另外,还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展,并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读,也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
《电气设备及运行维护系列》主要从基础知识、原理、结构、相关标准要求及运行维护等方面对电气设备进行全面的介绍。本丛书内容是编者多年现场工作的经验与总结,实用性强。本书为《高压断路器分册》,共分4章,主要包括高压断路器基础知识、 SF6断路器、真空断路器、高压断路器的运行维护等内容。
《先进的高压大功率器件--原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管(EST),该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《高压开关柜安装与检修》编者收集了大量的高压开关柜资料,在此基础上由浅入深、通俗易懂地介绍了高压开关柜的结构、功能和安全要求,同时对高压开关的特点、要求、结构也做了简要介绍;重点介绍了高压开关柜的安装标准、施工流程、施工准备、就位、固定、接地以及质量验收;详细介绍了高压开关柜的调试、检修和维护的方法;后结合具体案例讲解了高压开关柜故障的诊断、分析及处理。本书的特点就是知识的讲解全部结合具体、真实的案例,能和读者的工作紧密结合,针对性和可操作性更强。本书可作为高压开关柜安装与检修人员的岗位实训指导书,也可作为职工培训及职业技能鉴定的参考书。
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时,从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发,详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术;另外,还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展,并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读,也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
《电气设备及运行维护系列》主要从基础知识、原理、结构、相关标准要求及运行维护等方面对电气设备进行全面的介绍。本丛书内容是编者多年现场工作的经验与总结,实用性强。本书为《高压断路器分册》,共分4章,主要包括高压断路器基础知识、 SF6断路器、真空断路器、高压断路器的运行维护等内容。
《先进的高压大功率器件--原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管(EST),该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时,从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发,详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术;另外,还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展,并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读,也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
《先进的高压大功率器件--原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管(EST),该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《先进的高压大功率器件--原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管(EST),该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时,从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发,详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术;另外,还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展,并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读,也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
《先进的高压大功率器件--原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用,定义了理想功率开关的电特性,并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构,以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层,以防止其提前击穿。另外,必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构,后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管(EST),该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时,从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发,详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术;另外,还介绍了避雷器的维护检修方法、外产品的发展,并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读,也可作为有关电力专业的师生学习、参考。