本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间、差分电路及反馈中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。 本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应; 接下来,本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学,包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等; 很后,本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。
《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计,并给出了一些相关设计实例,内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件,从电路到系统的全面内容,是一本的、综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。 《CMOS集成电路设计手册》是英文原版书作者近30年教学、科研经验的结晶,是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订,目前为第3版,内容较第2版有了改进,补充了CMOS电路设计领域的一些新知识,使得本书较前一版内容更加详实。 为了方便读者有选择性地学习,将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版,分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇,本书为模拟电路篇,介绍了电流源、电压源、放大器、数据转换器等电路的设计与实现。 《CMOS集成电路设计