光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

本书分上、中、下三册，全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容，也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容，还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。

本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章，主要内容包括：MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势；谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术；谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术；谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为；微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法；谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术；通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术；微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术；谐振器中存在的典型失效模式与失效机理，以及多种可靠性评估方法和测试技术。

该书对目前的印刷电路设计原理、材料分析和工程设计、分析和测试进行了详尽讲解。作者对PCB电路设计和制造中的诸多关键问题给出了详尽的要点分析，通过深入浅出的解释和讲解，该书给出了PCB电路设计的理论知识、材料分析和工程设计方法及测试方法。

《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型，然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。 《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》可以作为工科院校相关专业高年级本科生和研究生的参考用书，也可以供半导体和集成电路设计领域技术人员阅读。

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间、差分电路及反馈中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

本书讲究实用性，希望其中的内容能帮助ASIC设计工程师清楚明了IC设计的基本概念，IC设计的流程，逻辑综合的基本概念和设计方法，解决进行IC设计时和工具使用时所遇到的问题。虞希清编著的《专用集成电路设计实用教程(第2版)》共分九章，章概述IC设计的趋势和流程；第二章介绍用RTL代码进行电路的高级设计和数字电路的逻辑综合；第三章陈述了IC系统的层次化设计和模块划分；第四章详细地说明如何设置电路的设计目标和约束；第五章介绍综合库和静态时序分析；第六章深入地阐述了电路的优化和优化策略；第七章陈述物理综合和简介逻辑综合的拓扑技术；第八章介绍可测性设计；第九章介绍低功耗设计和分析。本书的主要对象是IC设计工程师，帮助他们解决IC设计和综合过程中遇到的实际问题。也可作为高等院校相关专业的高年级学生和研究生的参考书。

本书内容主要讨论了电子互联、元器件到封装系统的可靠性问题。章提出了可靠性的相关概念，接着论述了焊点包括焊料和导电胶焊点可靠性的研究方法以及一般的失效机制，此后详尽描述了加速试验、元器件及封装系统的可靠性问题和工艺方面的可靠性设计等内容，后对可靠性及质量管理、可靠性分析测试手段进行了描述。

当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了 集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在 上发挥 加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

全书详细讲述了CMOS数字集成电路的相关内容，为反映纳米级别CMOS技术的广泛应用和技术的发展，全书在前版的基础上对晶体管模型公式和器件参数进行了修正，几乎章节都进行了重写，提供了反映现代技术发展水平和电路设计的资料。全书共15章。章至第8章详细讨论MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章至3章主要介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路、先进的半导体存储电路、低功耗CMOS逻辑电路、数字运算和转换电路、芯片的I/O设计；4章和5章分别讨论电路的产品化设计和可测试性设计这两个重要问题。

《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物

射频微机电系统技术是微机电系统的重要组成部分，本书主要从理论、设计、加工、封装和应用等方面介绍射频微机电系统器件与系统，结合作者及其团队近年来在相关领域的研究成果，详细分析和阐述传输线、天线、可调电感、可变电容、开关、滤波器、移相器等核心器件的基本原理、主要类型、设计方法、加工技术、性能测试和典型应用等，为读者勾勒出射频微机电系统技术较为全面的技术基础、研究现状和发展趋势。本书可作为微米纳米技术领域高年级本科生、研究生和教师的参考用书，并可供相关的科技人员参考。

《微电子封装超声键合机理与技术》是作者关于超声键合机理和技术研究的总结。主要内容包括：微电子制造的发展，超声键合在封装互连中的地位、研究现状、存在问题；换能系统的设计原则、段和实际使用中的特性测试；对超声键合微观实验现象以及机理的科学认识和推断；热超声倒装键合工艺的技术研究；键合过程和键合动力学的检测；叠层芯片互连；铜线键合、打火成球、引线成形、超声电源。

本书从一位集成电路分销商的角度观察集成电路供应链上下游发展规律，分析了集成电路二十一个原厂的发展历程、集成电路的典型封装和命名规则、知名品牌历史和特殊个性，直指各大集成电路厂商的恩怨情仇和江湖世界；其中还杂糅了颇具代表性的创业经历和多位从业者的职业感悟，可以感受到他们对集成电路供应链的前瞻和国内半导体行业的期望。