该书对目前的印刷电路设计原理、材料分析和工程设计、分析和测试进行了详尽讲解。作者对PCB电路设计和制造中的诸多关键问题给出了详尽的要点分析，通过深入浅出的解释和讲解，该书给出了PCB电路设计的理论知识、材料分析和工程设计方法及测试方法。

《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型，然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》对模拟设计概念的描述将诉诸更加直观的方法而不是繁琐的公式推导。 《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》可以作为工科院校相关专业高年级本科生和研究生的参考用书，也可以供半导体和集成电路设计领域技术人员阅读。

《硅通孔与三维集成电路》系统讨论了基于硅通孔的三维集成电路设计所涉及的一些关键科学问题，包括硅通孔寄生参数提取、硅通孔电磁模型、新型硅通孔结构、三维集成互连线、三维集成电路热管理、硅通孔微波／毫米波特性、碳纳米硅通孔及集成互连线等，对想深入了解硅通孔和三维集成电路的工程人员和科研人员具有很强的指导意义和实用性。《硅通孔与三维集成电路》所提出的硅通孔结构、硅通孔解析模型、硅通孔电磁模型、三维集成电路热管理、三维集成互连线建模和设计等关键技术，已经在IEEETED、IEEEMWCL等国外期刊上发表，可以直接供读者参考。

全书详细讲述了CMOS数字集成电路的相关内容，为反映纳米级别CMOS技术的广泛应用和技术的发展，全书在前版的基础上对晶体管模型公式和器件参数进行了修正，几乎章节都进行了重写，提供了反映现代技术发展水平和电路设计的资料。全书共15章。章至第8章详细讨论MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章至3章主要介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路、先进的半导体存储电路、低功耗CMOS逻辑电路、数字运算和转换电路、芯片的I/O设计；4章和5章分别讨论电路的产品化设计和可测试性设计这两个重要问题。

本书共9章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望。 本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。

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本书从一位集成电路分销商的角度观察集成电路供应链上下游发展规律，分析了集成电路二十一个原厂的发展历程、集成电路的典型封装和命名规则、知名品牌历史和特殊个性，直指各大集成电路厂商的恩怨情仇和江湖世界；其中还杂糅了颇具代表性的创业经历和多位从业者的职业感悟，可以感受到他们对集成电路供应链的前瞻和国内半导体行业的期望。

《聚合物微器件超声波成形与封接技术》为微器件超声波成形和封接领域的本专业书籍。聚合物微器件的制造属于非硅MEMS工艺，该类器件在生命科学和生物工程系领域极具应用前景。作者基于自己的主要研究成果，结合外相关超声波焊接方面的研究工作进展及相关理论，系统阐述了聚合物超声波产热机理、微结构的成形和封接机制与方法和精密超声波封接控制方法等。

在小型电池供电的手持设备中，低功耗是一个关键的性能指标。移动终端可选择集成的无线通信模块越来越多(包括GPS，蓝牙，GSM，3G，WiFi和DVB-H)。近年来，由于电池容量提升缓慢．每种模块总的可用功耗受到了限制，因此高效的电路显得相当重要。艾尔瓦拉多等人编著的《基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计》展现了一些用于低功耗射频CMOS模拟电路设计的基本技术。书中给电路设计者提供了完整的替代电路准则以优化功耗，并且讲解了这些准则在常见的射频模块如LNA，mixers和PLLs中的运用。《基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计》运用了实际的案例并提供了独特的视角，这是因为它的读者是工作存有局限性的标准CMOS工艺下的设计者。

本书共9章，基于公开文献全方位地介绍了低温等离子体蚀刻技术在半导体产业中的应用及潜在发展方向。以低温等离子体蚀刻技术发展史开篇，对传统及已报道的先进等离子体蚀刻技术的基本原理做相应介绍，随后是占据了本书近半篇幅的逻辑和存储器产品中等离子体蚀刻工艺的深度解读。此外，还详述了逻辑产品可靠性及良率与蚀刻工艺的内在联系，聚焦了特殊气体及特殊材料在等离子体蚀刻方面的潜在应用。最后是先进过程控制技术在等离子体蚀刻应用方面的重要性及展望。本书可以作为从事等离子体蚀刻工艺研究和应用的研究生和工程技术人员的参考书籍。

本书从一位集成电路分销商的角度观察集成电路供应链上下游发展规律，分析了集成电路二十一个原厂的发展历程、集成电路的典型封装和命名规则、历史和特殊个性，直指各大集成电路厂商的恩怨情仇和江湖世界；其中还杂糅了颇具代表性的创业经历和多位从业者的职业感悟，可以感受到他们对集成电路供应链的前瞻和半导体行业的期望。

《硅通孔与三维集成电路》系统讨论了基于硅通孔的三维集成电路设计所涉及的一些关键科学问题，包括硅通孔寄生参数提取、硅通孔电磁模型、新型硅通孔结构、三维集成互连线、三维集成电路热管理、硅通孔微波／毫米波特性、碳纳米硅通孔及集成互连线等，对想深入了解硅通孔和三维集成电路的工程人员和科研人员具有很强的指导意义和实用性。《硅通孔与三维集成电路》所提出的硅通孔结构、硅通孔解析模型、硅通孔电磁模型、三维集成电路热管理、三维集成互连线建模和设计等关键技术，已经在IEEETED、IEEEMWCL等国外期刊上发表，可以直接供读者参考。

《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物

《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于32nm节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。《超大规模集成电路先进光刻理论与应用》可供高等院校的高年级本科生和研究生、集成电路设计和制造人员、微纳器件研发和制造工程师参考。

随着集成电路（IC）制造工艺的不断发展以及芯片复杂度的不断提升，IC的静电放电（ESD）防护设计需求日益增长，设计难度也越来越大，传统的ESD设计技术已不能很好地满足新型芯片的ESD防护要求。《集成电路ESD防护设计理论、方法与实践》系统深入地阐述了IC的ESD防护设计原理与技术，内容由浅入深，既涵盖了ESD防护设计初学者需要了解的入门知识，也为读者深入掌握ESD防护设计技能和研究ESD防护机理提供参考。

集成电路封装技术主要基于四大关键技术，即高密度封装基板技术、薄/厚膜制作技术、层间微互连技术和高密度电路封装技术。封装材料是封装技术的基础，对封装基板制造、薄/厚膜制作、层间微互连和高密度封装等都具有关键的支撑作用。本书系统介绍高密度集成电路有机封装材料的制备、结构与性能及典型应用，主要内容包括高密度集成电路有机封装材料引论、刚性高密度封装基板材料、挠性高密度封装基板材料、层间互连用光敏性 缘树脂、环氧树脂封装材料、导电导热黏结材料、光刻胶及高纯化学试剂。

本书通过四种有代表性的封装类设计实例(QFP、PBGA、FC-PBGA、SiP)，详细介绍了封装设计过程及基板、封装加工、生产方面的知识。本书还涵盖封装技术的概念、常用封装材料介绍及封装工艺流程、金属线框QFP的设计、WireBond介绍、PBGA设计、基板工艺、封装工艺、8个Die堆叠的SiP设计与制作过程、高速SerDes的FC-PBGA设计关键点、FlipChip设计过程中Die与Package的局部Co-Design。本书免费提供作者在日常封装设计过程中自行开发的多个高效率封装辅助软件小工具，并不定期到www.eda365.com网站的“IC封装设计与仿真”版块更新及增加。