当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。

本书分上、中、下三册，全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容，也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容，还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。

在整个现代芯片设计的过程中，由于其复杂性，从而使得专业软件的广泛应用成为了必然。为了获得优异结果，使用软件的用户需要对底层数学模型和算法有较高的理解。此外，此类软件的开发人员必须对相关计算机科学方面有深入的了解，包括算法性能瓶颈以及各种算法如何操作和交互。《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛（原书第2版）》介绍并比较了集成电路物理设计阶段使用的基本算法，其中从抽象电路设计为开始并拓展到几何芯片布局。更新后的第2版包含了物理设计的新进展，并涵盖了基础技术。许多带有解决方案的示例和任务使得阐述更加形象生动，并有助于加深理解。 《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛（原书第2版）》是电子设计自动化领域中为数不多的精品，适合集成电路设计、自动化、计算机专业的高年级本科

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

本书以ADS 2023为平台，介绍了射频电路的设计与仿真。主要内容包括初识ADS 2023、原理图设计基础、原理图的绘制、元器件库设计、原理图的后续处理、仿真电路设计、仿真结果显示、微波网络法仿真分析、布局图设计视图、电路板设计、电路板的后期制作、微带线设计和EM仿真分析。全书内容循序渐进，案例丰富实用，讲解通俗易懂，实例操作部分配套视频教学，扫码学习，方便快捷。同时，随书附赠全书实例素材、源文件，便于读者上手实践。本书适合从事电路设计的电子、通信领域的工程师自学使用，也可用作高等院校相关专业的教材及参考书。

《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为上册。主要从集成电路和计算架构的发展介绍软件定义芯片的概念演变，系统分析了软件定义芯片的技术原理、特性分析和关键问题，重点从架构设计原语、硬件设计空间、敏捷设计方法等方面系统介绍了软件定义芯片硬件架构设计方法，并从编译系统角度详细介绍了从高级语言到软件定义芯片配置信息的完整流程。

《软件定义芯片》共分上、下两册，本书为下册。通过回溯现代通用处理器和编程模型协同演化历程分析了软件定义芯片编程模型的研究重点，介绍了如何利用软件定义芯片的动态可重构特性提升芯片硬件安全性和可靠性，分析了软件定义芯片面临的挑战并展望未来实现技术突破的发展方向，涵盖了软件定义芯片在人工智能、密码计算、5G通信等领域的最新研究以及面向未来的新兴应用方向。

《集成电路设计自动化》系统介绍集成电路设计自动化的理论、算法和软件等关键技术。*先介绍数字集成电路的设计流程、层次化设计方法及设计描述，重点介绍集成电路设计自动化的前端设计和后端设计中的关键技术与方法，包括高层次综合技术、模拟验证和形式验证技术、布图规划与布局技术、总体布线与详细布线技术、时钟综合与时序分析优化方法、供电网络分析和优化技术、3D集成电路自动设计方法，*后介绍集成电路的硬件安全相关问题。同时包含集成电路设计自动化近年来的*新研究成果。

本书首先详细介绍了与压电结构健康监测（StructuralHealthMonitoring，SHM）有关的基础理论知识，内容覆盖结构断裂及失效的基础知识、有关的压电材料的及其性质、不同结构中的振动模式以及SHM中不同条件下的不同波的类型和其应用于实际结构中存在的挑战，介绍了压电主动式传感器（PiezoelectricWaferActiveSensors，PWAS）的相关内容，包括其基本原理及应用，介绍了如何理解传感器信号模式，如不同的波形，包括分析方法（快速傅里叶变换、短时傅里叶变换和小波变换），接下来，本书从理论过渡到实际，给出了利用PWAS来检测和量化结构中的损伤的综合应用。

《电路板组装技术与应用》是 PCB先进制造技术 丛书之一。《电路板组装技术与应用》基于电子产品制造与代工行业的相关经验与数据，试图厘清电路板组装前、组装中、组装后出现的问题及责任。 《电路板组装技术与应用》共17章，结合笔者积累的工作经验与技术资料，分别介绍了来料检验、表面处理、焊接技术、压接技术、表面贴装技术、免洗工艺、阵列封装焊料凸块制作技术、回流焊温度曲线的优化、无铅组装的影响、电路板组件的可接受性与可靠性，以及常见的组装问题与改善措施。

《片上光互连技术》系统描述了片上光互连的背景、基本理论、研究现状、设计应用以及发展前景；侧重片上光互连的设计，为该领域发展提供一定的技术参考。《片上光互连技术》共8章：第1章介绍片上光互连的背景、技术概念、基本理论；第2章阐述片上光路由器的基本原理和分类；第3章介绍新型片上光路由器的设计；第4章阐述片上光互连架构的研究现状；第5章介绍新型片上光互连架构的设计；第6章介绍新型交换机制的设计；第7章介绍热感知的设计方法；第8章为片上光互连的技术展望。

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于32nm节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

《硅基射频集成电路和系统》以硅基射频集成芯片系统为核心，介绍射频电路和系统基础、射频集成电路基本理论和设计方法，以及国内外硅基射频集成电路和系统技术的*新进展。《硅基射频集成电路和系统》分为射频电路和系统设计基础知识、射频收发机集成电路技术和面向特定应用的射频集成电路与系统技术三个部分。**部分主要包括射频电路和系统基础与高频器件及模型；第二部分主要包括射频收发通道和频率综合器的关键电路技术；第三部分面向低功耗物联网、可重构射频系统和毫米波雷达等应用介绍相关射频集成电路与系统技术。

《功率集成电路设计技术》介绍功率集成电路设计领域的基础理论与方法。从功率集成电路的特点出发，以功率集成电路设计基本原理为主线，从构成功率集成电路的核心器件入手，贯穿工艺制造、芯片级电路设计和系统级电源转换技术。《功率集成电路设计技术》共7章，内容包括功率集成电路发展、分类及技术特点；可集成功率半导体器件；功率集成电路工艺；电源转换技术；电源管理技术；栅驱动电路和功率集成电路发展展望。

射频微机电系统技术是微机电系统的重要组成部分，本书主要从理论、设计、加工、封装和应用等方面介绍射频微机电系统器件与系统，结合作者及其团队近年来在相关领域的研究成果，详细分析和阐述传输线、天线、可调电感、可变电容、开关、滤波器、移相器等核心器件的基本原理、主要类型、设计方法、加工技术、性能测试和典型应用等，为读者勾勒出射频微机电系统技术较为全面的技术基础、研究现状和发展趋势。 本书可作为微米纳米技术领域高年级本科生、研究生和教师的参考用书，并可供相关的科技人员参考。

本书的重要特点是以与现代集成微电子学相关的方式介绍半导体器件操作的基本原理，不涉及任何光学或者功率器件，重点强调集成微电子器件的频率响应、布局、集合效应、寄生问题以及建模等。本书分为两部分，合计11章。*部分（第1章至第5章）介绍半导体物理的基本原理，包括电子和光子及声子、平衡状态下的载流子统计学、载流子产生与复合、载流子漂移和扩散、载流子运动以及PN结二极管，涵盖能带结构、电子统计、载流子产生与复合、漂移和扩散、多数载流子和少数载流子等相关知识。第二部分（第6章至第11章）分别讲解肖特基二极管与欧姆接触、硅表面与金属氧化物半导体结构、长金属氧化物半导体场效应晶体管、短金属氧化物半导体场效应晶体管以及双极结晶体管，详细探讨各种器件的物理及操作原理。各章涵盖了不理想性、二阶效应以及其他与实

本书以硅基毫米波集成电路与系统涉及的关键技术为主线，结合三位作者所在团队的科研工作，详细讨论在毫米波元器件、毫米波核心单元电路及毫米波集成系统等方面的关键技术和科研进展。 全书共分10章。第1章介绍毫米波的应用和毫米波集成电路面临的主要技术挑战；第2章讨论硅基片上集成毫米波无源元件的电学特性；第3章～第5章讨论宽带毫米波前端、毫米波功率放大器和毫米波信号源产生电路的设计技术；第6章介绍一款77GHz数模混合FMCW雷达信号源的设计技术；第7章讨论毫米波相控阵芯片的工作原理和国内外科研进展情况；第8章介绍全集成毫米波通信收发机芯片的设计技术；第9章讨论毫米波雷达收发机技术的基本原理、基本架构和国内外科研进展情况；第10章介绍一款77GHz FMCW相控阵雷达收发机芯片的设计技术。

本书对超大规模集成电路与系统的分析与设计进行了全面介绍。从电路与版图设计基础知识出发，再逐步深入，对超大规模集成电路设计进行了详尽阐述。本书由浅入深，理论联系实际，同时提供了大量的图表和设计实例。全书共16章。第1章至第6章主要介绍层次化IC设计、标准CMOS逻辑设计、金属氧化物半导体（MOS）晶体管的物理学原理、器件制造、物理版图、电路仿真、功耗和低功耗设计规则及技巧。第7章至第9章介绍了静态逻辑和动态逻辑以及时序逻辑。第10章至第16章以及附录部分关注系统设计，主要包括数据通路子系统设计、存储器模块、设计方法和实现方式、互连线、电源分布与时钟设计、输入/输出模块、ESD保护网络以及测试和可测性设计等内容。

微机电系统(MEMS)技术是一个快速发展的前沿技术领域，使用的材料种类多、工艺方法复杂，需要系统地归纳、分析与整理，以便于读者查阅。《MEMS材料与工艺手册》由利萨·格迪斯著，内容包括MEMS材料，MEMS加工工艺和制造工艺，MEMS工艺集成方法以及工业届已经采用的工艺制造流程案例。本手册适合相关专业高年级本科生、研究生及工程科研技术人员阅读和参考。

《微电子封装超声键合机理与技术》是作者关于超声键合机理和技术研究的总结。主要内容包括：微电子制造的发展，超声键合在封装互连中的地位、研究现状、存在问题；换能系统的设计原则、仿真手段和实际使用中的特性测试；对超声键合微观实验现象以及机理的科学认识和推断；热超声倒装键合工艺的技术研究；键合过程和键合动力学的检测；叠层芯片互连；铜线键合、打火成球、引线成形、超声电源。

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于 集成电路制造技术，为了保证 性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

本书详细介绍微电子器件的基本结构、工作原理和主要特性等。全书共7章，介绍半导体物理基础知识、PN结及二极管、双极型晶体管、金属-氧化物-半导体（MOS）电容、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、纳米CMOS器件、金属-半导体接触和结型场效应晶体管。同时，介绍微电子器件发展的**成就。

本书首先介绍辐射环境、辐射相互作用物理过程及若干种辐射效应； 接下来，本书详细介绍集成电路抗辐射加固设计方法学，包括单粒子闩锁加固策略及测试、辐射加固器件的SPICE模型、抗辐射单元库设计、自动综合的抗辐射数字电路设计、模拟和混合信号电路加固设计等； *后，本书介绍集成电路辐射效应仿真、单粒子效应的脉冲激光测试原理和辐射加固保障测试。 本书可作为微电子和核科学等领域相关教师、研究生和工程人员在学术研究和工程技术方面的参考书。

本书是一本有关专用集成电路（ASIC）的综合性书籍。书中叙述了VLSI系统设计的一些方法。利用商业化工具及预先设计好的单元库，使得ASIC设计成为速度快、成本低而且错误少的一种IC设计方法，因而ASIC和ASIC设计方法迅速在工业界的各个应用领域得到推广。 本书介绍了半定制和可编程的ASIC。在对每种ASIC类型的数字逻辑设计与物理特性的基本原理进行描述后，讨论了ASIC逻辑设计——设计输入、逻辑综合、仿真及测试，并进一步讲述了相应的物理设计——划分、布图规划、布局及布线。此外，本书对在ASIC设计中需要了解的各方面知识及必需的工作都有详尽叙述。