本书经过全面修订，讲解了如何为当今尖端电子产品设计可靠、高性能的开关电源，涵盖现代拓扑结构和变换器，内容包括设计或选择带隙基准、使用详细的新型邻近效应设计方法进行变压器设计、Buck变换器效率损耗分解方法、有源复位技术、拓扑形态学和详细的AC-DC前级电路设计方法。 本版更新包含全面反馈环路的设计方法和实例、世界上第一个宽输入电压范围谐振（LLC）变换器的简化通用设计方法，以及正激和反激变换器的分步比较设计步骤。

本书将电子散热设计分析的基本概念与ANSYS Icepak热仿真实际案例紧密结合，对ANSYS Icepak的基础操作进行了系统的讲解说明，通过大量原创的分析案例，向读者全面介绍ANSYS Icepak电子散热分析模拟的方法、步骤。全书共10章，详细讲解了ANSYS Icepak的技术特征、ANSYS Icepak建立热仿真模型的方法、ANSYS Icepak的网格划分、ANSYS Icepak热模拟的求解及后处理显示、ANSYS Icepak常见技术专题案例、ANSYS Icepak宏命令Macros详细讲解等，并在部分章节列举了相关案例。另外，本书附带在线资源，内容包括部分章节实际操作、相关的案例模型及计算结果，这些资料对读者学习、使用ANSYS Icepak软件有很大的帮助。本书适合作为电子、信息、机械、力学等相关专业的研究生或本科生学习ANSYS Icepak的参考书，也非常适合从事电子散热优化分析的工程技术人员学习参考。

《晶圆级芯片封装技术》主要从技术和应用两个层面对晶圆级芯片封装（Wafer-Level Chip-Scale Package，WLCSP）技术进行了全面的概述，并以系统的方式介绍了关键的术语，辅以流程图和图表等形式详细介绍了先进的WLCSP技术，如3D晶圆级堆叠、硅通孔（TSV）、微机电系统（MEMS）和光电子应用等，并着重针对其在模拟和功率半导体方面的相关知识进行了具体的讲解。《晶圆级芯片封装技术》主要包括模拟和功率WLCSP的需求和挑战，扇入型和扇出型WLCSP的基本概念、凸点工艺流程、设计注意事项和可靠性评估，WLCSP的可堆叠封装解决方案，晶圆级分立式功率MOSFET封装设计的注意事项，TSV/堆叠芯片WLCSP的模拟和电源集成的解决方案，WLCSP的热管理、设计和分析的关键主题，模拟和功率WLCSP的电气和多物理仿真，WLCSP器件的组装，WLCSP半导体的可靠性和一般测试等内容。 《晶圆级芯

本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向。本书对于我国宽禁带（国内也称为第三代）半导体产业的发展有积极意义，适合相关的器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读。

本书是作者在已经出版的 《Xilinx Zynq-7000嵌入式系统设计与实现：基于ARM Cortex-A9双核处理器和Vivado的设计方法》 一书的基础上进行修订而成的。 本书新修订后内容增加到30章。修订后，本书的一大特色就是加入了Arm架构及分类、使用PetaLinux工具在Zynq-7000 SoC上搭建Ubuntu操作系统，以及在Ubuntu操作系统环境下搭建Python语言开发环境，并使用Python语言开发应用程序的内容。本书修订后。进一步降低了读者学习Arm Cortex-A9嵌入式系统的门槛，并引入了在Zynq-7000 SoC上搭建Ubuntu操作系统的新方法。此外，将流行的Python语言引入到Arm嵌入式系统中，进一步拓宽了在Arm嵌入式系统上开发应用程序的方法。

本书基于EMC测试原理，解读一种产品EMC设计的分析方法（包括产品机械架构设计、 滤波设计、 PCB设计），该方法可以用来指导产品的EMC设计，掌握该技术的工程师可以发现实际产品EMC设计的缺陷。避免了从技术角度出发谈论EMC设计而出现的过于理论化的问题, 通过本书所描述的EMC分析方法可以系统地指导开发人员避免产品开发过程中所碰到的EMC问题。同时，建立在这种产品EMC设计分析方法的基础上利用已有的风险评估手段，形成一种产品EMC设计风险评估技术，利用EMC设计风险评估技术可以评估产品在不进行EMC测试的情况下评估产品EMC测试失败的风险。这种分析方法和评估技术还可以与电子产品的开发流程融合在一起，通过每个步骤的EMC分析，指出产品设计的EMC风险，并给出解决方案或改进建议，以提高产品EMC测试的通过率，降低产品开发成本。大量的实践证明，

本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

电子管放大器以其独特的 高保真 音质，令广大音响发烧友趋之若鹜。这也是过去几十年电子管在半导体器件的碾压下，偏居一隅却历久弥坚的主要原因。 本书结合历年来见诸报道的电子管放大器制作，特别是知名品牌电子管放大器所用的管型，从适合音频放大的发射管、电视机用电子管中，遴选以300B、2A3、KT88和EL34为代表的功率放大管，以12AX7、12AT7、12AU7、6SN7和6DJ8为代表的电压放大管，以及整流管等约200种电子管，整理主要参数，总结应用经验

在21世纪，大数据、人工智能等高新信息科技飞速发展之际，自旋电子学凭借其在低功耗非易失存储和存算一体化方面的独特优势，已成为推动后摩尔时代集成电路革命性创新的关键技术。全书共10章。第1章概述自旋电子学的发展历程；第2章详细介绍自旋轨道力矩效应的物理原理、检测技术、材料选择及其调控与应用；第3章讨论电控磁效应的材料体系、物理机制和器件实用性；第4章专注于反铁磁自旋电子学，探讨反铁磁磁矩的调控与检测方法；第5章从横向输运、纵向输运和相干输运三个角度全面介绍磁子学；第6章解析磁斯格明子的生成、探测及其动力学特性，并探讨其在器件中的应用前景；第7章和第8章简要介绍拓扑磁性和二维磁性；第9章和第10章则阐述自旋电子学与光学、声学的交叉研究领域。

脉冲功率技术在军事和工业的众多领域都有着广泛应用。脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件之一,由于半导体器件具有体积小、寿命长、可靠性高等优点,脉冲功率开关出现了半导体化的趋势。本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述,然后分别论述了电流控制型器件(具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管)和电压控制型器件(具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用,特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关(包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管)的机理模型和实际运用等问题 ,论述了部分新型碳化硅基器件,最后阐述了脉冲功率应用技术。

本书以电子产品生产岗位上一个顶岗实习新员工的独特视角，以岗位常见技术操作规范、工艺要领和素质要求为出发点，通过大量高清图片、大量操作范例的展示和讲解，引导电子技术类专业学生、电子爱好者和初学者通过动手实践快速掌握电子元器件的识别和检测技能，快速掌握元器件安装和拆卸工具的识别、使用要点、操作规范、质量检测和维护保养，逐步熟练掌握电子元器件安装和拆卸技能，快速适应电子类行业各个技术岗位要求。

本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理 的图，其实是能带图。全书共7章，包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书 ，附加了常量表、室温下（300K）的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦 玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者，也可供半导体、芯片从业者阅读。

本书结合课程实践性较强的特点进行内容和章节的设计，采取图文并茂的方式介绍知识点。将大学物理、模拟电子技术和电路分析的概念和理论基础融合在章节内容之中，并利用Multisim仿真软件作为电子元器件的应用仿真测试平台，达到理论和实践的有效结合。器件类型分

《电力电子模块设计与制造》介绍了功率半导体模块的结构设计和关键材料，材料部分涵盖了当前功率半导体模块中使用的各种类型材料，包括连接材料、基板材料、底板材料、灌封材料、外壳材料和引线端子材料等。此外，《电力电子模块设计与制造》还包含了制造工艺、测试技术、质量控制和可靠性失效机理分析。《电力电子模块设计与制造》内容新颖，紧跟时代发展，重点围绕IGBT模块产品的设计与制造方面展开介绍，同时还综述了IGBT模块的新研究进展。《电力电子模块设计与制造》的读者对象包括在校学生、功率半导体模块设计、封装、制造、测试和电力电子集成应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。《电力电子模块设计与制造》适合高等院校有关专业用作或专业参考书，也可用作电力电子器件封装应用学术界和广大的功率半导体模块生产企业的

本书从电路基本原理的介绍开始，对各种类型的电子元器件进行了详细具体的分类介绍。介绍了各种电路的设计及实用电路；在数字电路中，介绍了寄存器、计数器等各种中规模集成数字器件，以及存储器、可编程逻辑器件等大规模集成电路，详细介绍了微控制器及模块化电子设备，并给出了相应的实际应用程序实例；介绍了各种电机及控制电路；同时，还结合图解的方法，介绍了制作实用电子电路的过程、方法、调试步骤、安全组装和注意事项等。

集成电路是采用微纳加工工艺将晶体管、电阻器、电容器和电感器等元器件互连集成在一起构成的，具有特定功能的电路系统，俗称“芯片”。 本书立足集成电路专业，帮助读者从理论到应用系统了解集成电路科学与工程的研究核心与行业动态，包括集成电路科学与工程发展史、集成电路关键材料、集成电路晶体管器件、集成电路工艺设备、集成电路制造工艺、大规模数字集成电路、大规模模拟及通信集成电路、先进存储器技术、先进传感器技术和集成电路设计自动化技术，共十章内容。 本书力求系统性、前沿性、创新性，同时与产业实践相结合，可作为集成电路科学与工程相关方向的，也可供集成电路领域的研究人员、工程技术人员及对集成电路产业与技术感兴趣的人士参考。

IGBT是新型高频电力电子技术的CPU，是目前 重点支持的核心器件，被广泛应用于国民经济的各个领域。本书共分10章，包括器件结构和工作原理、器件特性分析、器件设计、器件制造工艺、器件仿真、器件封装、器件测试、器件可靠性和失效分析、器件应用和衍生器件及SiC-IGBT。 本书面向电气、自动化、新能源等领域从事电力电子技术的广大工程技术人员和研究生，既满足从事器件设计、制造、封装、测试专业人员的知识和技术需求，也兼顾器件应用专业人员对器件深入了解以满足 好应用IGBT的愿望。