本书主要阐述真空电子学太赫兹源基本原理及相关技术，内容分为两部分共九章：第一部分是第1章至第7章，主要阐述太赫兹史密斯-珀塞尔辐射源、超短电子束团的太赫兹辐射源、行波管、返波管、扩展互作用速调管、回旋管的基本原理，以及新型太赫兹辐射源的方法和相关研制成果、实验等，在此基础上，阐述了太赫兹源的基本应用。第二部分是第8章和第9章太赫兹真空电子器件相关技术，主要是阴极技术和微纳加工技术，分别介绍太赫兹阴极高发射机理及太赫兹微纳结构制备方法。

本书由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。

《自旋电子学导论(下卷)(精)》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。本书适合物理(特别是自旋电子学)及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。

瞬时电离辐射效应是电子系统 常见的一种辐射效应。瞬时电离辐射与半导体材料相互作用，感生光电流，改变器件及电路的特性和功能，影响电子系统的可靠性。本书主要介绍核 辐射环境及其效应、模拟集成电路和大规模数字集成电路的瞬时电离辐射效应、瞬时电离辐射下的脉冲宽度效应、器件级及电路级仿真方法、瞬时辐射感生闩锁和阻锁、瞬时电离辐射效应试验技术、样本空间排序法在电子器件抗瞬时电离辐射性能评估中的应用等内容。

瞬时电离辐射效应是电子系统 常见的一种辐射效应。瞬时电离辐射与半导体材料相互作用，感生光电流，改变器件及电路的特性和功能，影响电子系统的可靠性。本书主要介绍核 辐射环境及其效应、模拟集成电路和大规模数字集成电路的瞬时电离辐射效应、瞬时电离辐射下的脉冲宽度效应、器件级及电路级仿真方法、瞬时辐射感生闩锁和阻锁、瞬时电离辐射效应试验技术、样本空间排序法在电子器件抗瞬时电离辐射性能评估中的应用等内容。

本书由十余位国内对自旋电子学前沿有研究经验的著名学者撰写，共10章。较深入地论述了自旋电子学的主要内容、形成与展望，兼顾理论、实验和应用。包括，多层膜与颗粒体系的磁性和巨磁电阻；磁性隧道结，特别是最新发展的MgO单晶隧道结的结构、理论和应用；庞磁电阻材料的理论、实验与应用；稀磁半导体的磁性、磁输运等以及相关的异质结构和自旋注入等研究；磁电阻理论，包括铁磁金属的散射理论、界面效应和介观体系中的磁电电路理论；铁磁/反铁磁界面的交换偏置在器件中的作用和基本性能，主要的实验研究和理论模型；自旋动量矩转移效应、电流引起磁化的原理和在自旋阅、隧道结、铁磁体-量子点耦合等系统中的研究，自旋动量矩转移引起的磁畴转动、畴壁位移、自旋波激发、自旋泵浦、自旋流等的原理和应用，电流引起磁化与传统的磁场引起磁

瞬时电离辐射效应是电子系统 常见的一种辐射效应。瞬时电离辐射与半导体材料相互作用，感生光电流，改变器件及电路的特性和功能，影响电子系统的可靠性。本书主要介绍核 辐射环境及其效应、模拟集成电路和大规模数字集成电路的瞬时电离辐射效应、瞬时电离辐射下的脉冲宽度效应、器件级及电路级仿真方法、瞬时辐射感生闩锁和阻锁、瞬时电离辐射效应试验技术、样本空间排序法在电子器件抗瞬时电离辐射性能评估中的应用等内容。

瞬时电离辐射效应是电子系统最常见的一种辐射效应。瞬时电离辐射与半导体材料相互作用，感生光电流，改变器件及电路的特性和功能，影响电子系统的可靠性。本书主要介绍核爆炸辐射环境及其效应、模拟集成电路和大规模数字集成电路的瞬时电离辐射效应、瞬时电离辐射下的脉冲宽度效应、器件级及电路级仿真方法、瞬时辐射感生闩锁和阻锁、瞬时电离辐射效应试验技术、样本空间排序法在电子器件抗瞬时电离辐射性能评估中的应用等内容。

《自旋电子学》由十余位对自旋电子学前沿有研究经验的学者撰写，共10 章. 较深入地论述了自旋电子学的主要内容、形成与展望，兼顾理论、实验和应用. 包括，多层膜与颗粒体系的磁性和巨磁电阻; 磁性隧道结, 特别是发展的MgO 单晶隧道结的结构、理论和应用; 庞磁电阻材料的理论、实验与应用; 稀磁半导体的磁性、磁输运等以及相关的异质结构和自旋注入等研究; 磁电阻理论, 包括铁磁金属的散射理论、界面效应和介观体系中的磁电电路理论; 铁磁/反铁磁界面的交换偏置在器件中的作用和基本性能, 主要的实验研究和理论模型; 自旋动量矩转移效应、电流引起磁化的原理和在自旋阀、隧道结、铁磁体-量子点耦合等系统中的研究, 自旋动量矩转移引起的磁畴转动、畴壁位移、自旋波激发、自旋泵浦、自旋流等的原理和应用, 电流引起磁化与传统的磁场引起磁化的比较;

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

《自旋电子学导论(下卷)(精)》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。本书适合物理(特别是自旋电子学)及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。

《自旋电子学导论(下卷)(精)》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。本书适合物理(特别是自旋电子学)及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。

《自旋电子学导论(下卷)(精)》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。本书适合物理(特别是自旋电子学)及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。