本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。
本书以高温超导体为背景,主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质,作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果;强调物理图像的描述,对重要的理论结果都有比较完整的推导,反映了作者对高温超导前沿问题的理解,同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念,并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念,例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等,也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质,其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为,d波超导体准粒子的激发谱和光电响应行为,Andreev反射和单
本书以高温超导体为背景,主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质,作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果;强调物理图像的描述,对重要的理论结果都有比较完整的推导,反映了作者对高温超导前沿问题的理解,同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念,并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念,例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等,也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质,其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为,d波超导体准粒子的激发谱和光电响应行为,Andreev反射和单
  《d-Wave Superconductivity(d波超导体)》以高温超导体为背景,主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质,作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果;强调物理图像的描述,对重要的理论结果都有比较完整的推导,反映了作者对高温超导前沿问题的理解,同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念,并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念,例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等,也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质,其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为,d波超导体准粒子的激
本书以高温超导体为背景,主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质,作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果;强调物理图像的描述,对重要的理论结果都有比较完整的推导,反映了作者对高温超导前沿问题的理解,同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念,并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念,例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等,也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质,其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为,d波超导体准粒子的激发谱和光电响应行为,Andreev反射和单
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,分成三部分,共计15章。部分为半导体材料属性,主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子;第二部分为半导体器件基础,主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管;第三部分为专用半导体器件,主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。另外,全书各章难点之后均列有例题、自测题,每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献,书后附有部分习题答案。本书可作为
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、 固体物理、 半导体材料物理及半导体器件物理等内容, 分成三部分, 共15章。 部分为半导体材料属性, 主要讨论固体晶格结构、 量子力学、 固体量子理论、 平衡半导体、 输运现象、 半导体中的非平衡过剩载流子; 第二部分为半导体器件基础, 主要讨论pn结、 pn结二极管、 金属半导体和半导体异质结、 金属氧化物半导体场效应晶体管、 双极晶体管、 结型场效应晶体管; 第三部分为专用半导体器件, 主要介绍光器件、 半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识, 也分析讨论了小尺寸器件物理问题, 具有一定的深度和广度。另外, 全书各章难点之后均列有例题、 自测题, 每章末尾均安排有复习要点、 重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献, 书后附有部分习题
本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。
本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。
。。。
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、 固体物理、 半导体材料物理及半导体器件物理等内容, 分成三部分, 共15章。 部分为半导体材料属性, 主要讨论固体晶格结构、 量子力学、 固体量子理论、 平衡半导体、 输运现象、 半导体中的非平衡过剩载流子; 第二部分为半导体器件基础, 主要讨论pn结、 pn结二极管、 金属半导体和半导体异质结、 金属氧化物半导体场效应晶体管、 双极晶体管、 结型场效应晶体管; 第三部分为专用半导体器件, 主要介绍光器件、 半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识, 也分析讨论了小尺寸器件物理问题, 具有一定的深度和广度。另外, 全书各章难点之后均列有例题、 自测题, 每章末尾均安排有复习要点、 重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献, 书后附有部分习题