本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
第二代涂层超导体（简称YBCO涂层超导材料）由于其高的临界转变温度以及高的不可逆场，在医学、军事、发电以及输电等领域有着广泛的应用。由于YBCO需要严格的双轴织构才能承载大的传输电流，所以在制备YBCO带材的过程中，普遍采用在韧性金属基带上沉积过渡层并外延生长出YBCO超导层的方法。现阶段最成熟的第二代涂层超导带材的制备路线分别是RABiTS和IBAD技术，近年来上述两种路线的研究都得到了长足的发展。另外获得高性能的金属模板层是制备具有高载流能力的涂层超导体线带材的基础。本书将围绕制备涂层超导体的RABiTS技术和IBAD技术，以及采用压延辅助双轴织构基板技术制备用于涂层超导的织构模板层及应用等多个方面，全面系统的总结并展示这个领域的最新研究现状和未来的发展方向。
本书是一本综合性很强的半导体集成电路制造方面的参考手册，由70多位 专家撰写，并在其前一版的基础上进行了全面的修订与 新。本书内容涵盖集成电路芯片、MEMS、传感器和其他电子器件的设计与制造过程，相关技术的基础知识和实际应用，以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。第二版新增了物联网、工业物联网、数据分析和智能制造等方面的内容，讨论了半导体制造基础、前道和后道工序、柔性复合电子技术、气体和化学品及半导体工厂的操作、设备和设施的完整细节。
本书主要介绍基于宽禁带功率器件的电机驱动控制技术的**研究成果。首先，介绍两种典型宽禁带功率器件，即碳化硅和氮化镓功率器件的内部结构及其外部特性；接着，分析宽禁带功率器件门极驱动电路的特点和要求，介绍了串扰抑制、过流保护及高温门极驱动电路；然后，从器件特性出发分析电机驱动器输出电压非线性，进而分析基于宽禁带功率器件的驱动器对电机损耗、动态性能及轴电流的影响； ，介绍一种基于线性功率放大器和宽禁带功率器件结合的电机驱动新拓扑，以及一种基于宽禁带功率器件的增强型无传感器控制技术。
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本书主要介绍基于宽禁带功率器件的电机驱动控制技术的**研究成果。首先，介绍两种典型宽禁带功率器件，即碳化硅和氮化镓功率器件的内部结构及其外部特性；接着，分析宽禁带功率器件门极驱动电路的特点和要求，介绍了串扰抑制、过流保护及高温门极驱动电路；然后，从器件特性出发分析电机驱动器输出电压非线性，进而分析基于宽禁带功率器件的驱动器对电机损耗、动态性能及轴电流的影响； ，介绍一种基于线性功率放大器和宽禁带功率器件结合的电机驱动新拓扑，以及一种基于宽禁带功率器件的增强型无传感器控制技术。
半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，本书将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专著和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一本全面介绍半导体材料物理知识、工艺基本原理和实用化技术的专业书籍。由于篇幅的限制，本书并未深入涉及物理学基本原理的推导、各种材料的性能参数和各类制备工艺的技术细节，需要时读者可运用搜索引擎来获取相关的内容。
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本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，分成三部分，共计15章。部分为半导体材料属性，主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分为半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管；第三部分为专用半导体器件，主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献，书后附有部分习题答案。本书可作为
