第二代涂层超导体（简称YBCO涂层超导材料）由于其高的临界转变温度以及高的不可逆场，在医学、军事、发电以及输电等领域有着广泛的应用。由于YBCO需要严格的双轴织构才能承载大的传输电流，所以在制备YBCO带材的过程中，普遍采用在韧性金属基带上沉积过渡层并外延生长出YBCO超导层的方法。现阶段最成熟的第二代涂层超导带材的制备路线分别是RABiTS和IBAD技术，近年来上述两种路线的研究都得到了长足的发展。另外获得高性能的金属模板层是制备具有高载流能力的涂层超导体线带材的基础。本书将围绕制备涂层超导体的RABiTS技术和IBAD技术，以及采用压延辅助双轴织构基板技术制备用于涂层超导的织构模板层及应用等多个方面，全面系统的总结并展示这个领域的最新研究现状和未来的发展方向。

本书主要介绍二维半导体物理的国际研究近况和本书作者近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。

nbsp nbsp《d-Wave Superconductivity（d波超导体）》以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的

金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性，并在此基础上构建缺陷结构模型，揭示光致变色机理。

半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，本书将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专著和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一本全面介绍半导体材料物理知识、工艺基本原理和实用化技术的专业书籍。由于篇幅的限制，本书并未深入涉及物理学基本原理的推导、各种材料的性能参数和各类制备工艺的技术细节，需要时读者可运用搜索引擎来获取相关的内容。

本书是吴亚非主编的《大学物理》（第二版）教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点，并做了适当的扩展，另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。

本书是普通高等教育“十一五”***规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。

近年来，半导体光催化技术在环境净化、CO2还原及有机合成化学等领域发挥了重要作用，利用光生电子及半导体表面结构可以实现特定的氧化还原反应。本书不仅重点分类阐述半导体光催化前沿研究方向，而且重视半导体基础物理、化学及表面结构等基础内容。 本书前3章重点介绍了半导体物理、化学及表面结构的基础内容，这些为从基础物理和化学的角度理解和优化相关能源和催化科学中“卡脖子”及核心问题提供了重要基础。接着本书结合前沿研究方向重点阐述和总结了半导体光催化在材料调控方面的策略和设计。第4章主要阐述半导体光催化分解水，第5章主要阐述半导体光催化在水体净化方面的前沿研究。第6章重点介绍半导体光催化在CO，还原及综合利用方面的研究，表明半导体光催化在“双碳”领域的应用潜力。第7章主要介绍半导体光催化在精细化工

半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，本书将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专著和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一本全面介绍半导体材料物理知识、工艺基本原理和实用化技术的专业书籍。由于篇幅的限制，本书并未深入涉及物理学基本原理的推导、各种材料的性能参数和各类制备工艺的技术细节，需要时读者可运用搜索引擎来获取相关的内容。

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董建伟著的《几类半导体模型的理论分析》共分 五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型： 量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子 Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。 我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模 型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳 态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力 学稳态模型弱解的存在性，另外我们在一维有界区间 上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰 减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型，介绍 其稳态方程组解的存在性和独有性。

本书主要介绍二维半导体物理的 研究近况和本书作者 近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、 性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。

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