本书将系统地介绍微电子制造科学原理与工程技术，覆盖集成电路制造所涉及的晶圆材料、扩散、氧化、离子注入、光刻、刻蚀、薄膜淀积、测试及封装等单项工艺，以及以互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路为主线的工艺集成。对单项工艺除了讲述相关的物理和化学原理外，还介绍一些相关的工艺设备。
本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的 初级可靠性技术者 资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体
这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章，包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态；第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别，以及P型半导体和N型半导体的特性；第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等；第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读，也可以作为相关企事业单位人员的科普读物。 本书是围绕集成电路芯片发展和新一代信息产业技术领域（集成电路及专用设备）等重大需求，编著的集成电路芯片制程设备通识书籍。集成电路芯片作为信息时代的基石，是各国竞相角逐的 国之重器 ，也是一个国家高端制造能力的综合体现。芯片制程设备位于集成电路产业链的上游，贯穿芯片制造全过程，是决定产业发展的关键一环。本书首先介绍了集成电路芯片制
本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的 初级可靠性技术者 资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到最新研究，覆盖范围较广。 本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为11章，分别是：功率半导体的全貌、功率半导体的基本
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。
《碳化硅器件工艺核心技术》共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的 成果和发展趋势。 《碳化硅器件工艺核心技术》可作为理工科院校物理类专业、电子科学与技术专业以及材料科学等相关专业研究生的辅助教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个修订和更新的第3版，包括：反映新数据和信息的更新及订正图表和实例260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题读者将在每章中找到完全更新和修订的节。另外还增加了两个新章节：基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。可靠性和失效分析
《光通信用半导体激光器》以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。《光通信用半导体激光器》可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的。
永磁电机是应用非常广泛的电机。特别是无刷电机和永磁同步电机兴起后，其广泛用于各个行业，并逐步替代一些交流、直流、串励、步进电机。《永磁电机槽极配合及实用设计》是一本实用的电机设计工程书，着重介绍了永磁电机运行质量与电机槽极配合的内在关系、设计要素和设计准则、设计思考方法，并对电机设计时涉及槽极配合的各种参数进行了深入分析和讲解。书中包含大量典型的永磁电机设计实例，实例均源于作者的工作实践，从多方面讲述如何确保各种不同的永磁电机的运行质量，用不同的方法、从不同的设计角度进行分析、判断，以帮助设计人员快速及高质量地完成设计方案。 《永磁电机槽极配合及实用设计》从生产实践出发，提出确保永磁电机运行质量的理论和实用设计方法，对即将从事或正在从事与永磁电机有关的研发、
本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个修订和更新的第3版，包括：反映新数据和信息的更新及订正图表和实例260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题读者将在每章中找到完全更新和修订的节。另外还增加了两个新章节：基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。可靠性和失效分析
随着 的集成电路工艺节点不断向纳米级推进，对半导体纳米器件的研究就显得越发重要。本书详细介绍了半导体纳米器件的物理学原理、结构、制造工艺及应用等内容。开篇介绍了这一研究领域在过去几十年的发展；前半部分重点介绍电子纳米器件，包括准一维电子气、强电子相关的测量、量子点的热电特性、单电子源、量子电流标准、电子量子光学、噪声测量、拓扑 缘体纳米带、硅量子比特器件等；后半部分介绍光电子纳米器件，包括半导体量子点单光子源的电学控制、量子点太阳能电池、量子点激光器、纳米线激光器，以及氮化物单光子源等内容。 本书可供半导体器件、材料、物理相关科研人员和工程技术人员阅读参考，也可作为高校相关专业的拓展学习资料。
本书第3版完全囊括了该领域的新发展现状，并包括了新的教学手段，以帮助读者能更好地理解。第3版不仅阐述了所有新的测量技术，而且检验了现有技术的新解释和新应用。本书仍然是专门用于半导体材料与器件测量表征技术的教科书。覆盖范围包括全方位的电气和光学表征方法，包括更专业化的化学和物理技术。熟悉前两个版本的读者会发现一个修订和更新的第3版，包括：反映新数据和信息的更新及订正图表和实例260个新的参考文献有关新的研究和讨论的专题每章结尾增加用来测试读者对内容理解的新习题和复习题读者将在每章中找到完全更新和修订的节。另外还增加了两个新章节：基于电荷和探针的表征方法引入电荷测量和开尔文探针。本章还研究了基于探针的测量，包括扫描电容、扫描开尔文探针、扫描扩散电阻和弹道电子发射显微镜。可靠性和失效分析
半导体制造作为微电子与集成电路行业中非常重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的最终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读，也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的和参考书。
本书介绍了半导体自旋物理学当前研究全貌，共13章，每章都是由从事该方向研究多年、长期处于研究前沿的专家撰写。在概述了半导体物理学和自旋物理学的基本知识之后，本书重点介绍了当前研究的热点和重要成果，在实验技术和实验测量方面的描述更为详尽。本书可供对半导体自旋物理学感兴趣的研究生和初次涉足这一领域的研究人员使用，对该领域的一线研究人员也极具参考价值。
半导体制造作为微电子与集成电路行业中 重要的环节，其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定，并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析，以及工艺的 终认定，是一本实用的、全面的指南，提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读，也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
