这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章，包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态；第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别，以及P型半导体和N型半导体的特性；第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等；第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读，也可以作为相关企事业单位人员的科普读物。

本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应，逐步揭示量子世界的奥秘。接着，通过能带理论和半导体能带结构的解析，阐明了半导体材料的电子行为。此外，还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后，探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富，结构清晰，能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。 本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。

本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺

光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.

《半导体产业人才发展指南》对我国半导体产业的人才发展状况进行了系统性的梳理,从产业角度出发,围绕产教融合,多维度、多视角地展现了我国半导体产业人才发展面临的机遇与挑战。具体内容包括:第1章介绍了全球及我国半导体产业现状及前景和趋势;第2章分析和介绍了半导体产业人才状况;第3章介绍并简要分析了半导体产业人才政策;第4章介绍了半导体产业从业人员能力体系,提出了以DMP-Based(设计、制造、封测为基础)的半导体产业链相关人才能力体系建设的思路和方法;第5章介绍了半导体产业贯通人才培养方案;第6章就半导体产业从业人员技能提升培训体系与知识更新工程做了具体且有一定前瞻性的介绍和阐述;第7章介绍了半导体产业国际化人才培养及引进的相关内容;第8章就半导体产业人才培养与发展进行了思考和展望。 本书适合半导体产业从业者及产业相关

表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT）是电子信息产业中印制电路板组装制造的核心技术，是电子信息产业技术链条表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT）是电子信息产业中印制电路板组装制造的核心技术，是电子信息产业技术链条上的重要环节，是持续发展的 制造技术。本书分为上、下两篇，介绍了当今电子信息产品制造过程中普遍采用的表面组装技术的总体情况。上篇主要阐述的是表面组装技术的基础知识，涉及电子元器件、印制电路板、材料、主要的生产和检测设备等方面的内容。下篇主要阐述了表面组装技术的应用情况，涉及印制电路板的可制造性设计（DFM）、表面组装技术通用工艺、可靠性、精益生产等方面的内容。

《异构集成技术》一书主要内容涉及异构集成技术的基本构成、技术体系、工艺细节及其应用，涵盖有机基板上的异构集成、硅基板（TSV转接板、桥）上的异构集成、扇出型晶圆级/板级封装、扇出型RDL基板的异构集成、PoP异构集成、内存堆叠的异构集成、芯片到芯片堆叠的异构集成、CIS、LED、MEMS和VCSEL异构集成等方面的基础知识，随后介绍了异构集成的发展趋势。本书图文并茂，既有工艺流程详解，又有电子信息行业和头部公司介绍，插图均为彩色图片，一目了然，便于阅读、理解。 《异构集成技术》一书内容对于异构集成的成功至关重要，将为我国电子信息的教学研究和产业界的研发制造提供参考，具有较强的指导价值，并将进一步推动我国 封装技术的不断进步。

《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》是一本实用而 的关于半导体芯片理论、制造和工艺设计的书籍。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》对半导体制造工艺和所需设备的解释是基于它们所遵守的基本的物理、化学和电路的规律来进行的，以便读者无论到达世界哪个地方的洁净室，都能尽快了解所使用的工艺和设备，并知道使用哪些设备、采用何种工艺来实现他们的设计和制造目标。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》理论结合实际，大部分的描述均围绕着实际设备和工艺展开，并配有大量的设备图、制造工艺示意图和半导体芯片结构图。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》主要包括如下主题：基本概念，例如等离子设备中的阻抗失配和理论，以及能带和Clausius-Clapeyron方程；半导体器件和制造设备的基础知识，包括直流和

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。

本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色能源时代等。本书适合与半导体业务相关的人士、准备涉足半导体领域的人士、对功率半导体感兴趣的职场人士和学生阅读。

辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到 研究，覆盖范围较广。

《半导体干法刻蚀技术（原书第2版）》是一本全面系统的干法刻蚀技术论著。针对干法刻蚀技术，在内容上涵盖了从基础知识到 技术，使初学者能够了解干法刻蚀的机理，而无需复杂的数值公式或方程。《半导体干法刻蚀技术（原书第2版）》不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺，而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。《半导体干法刻蚀技术（原书第2版）》讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术，介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理，例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体，并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。

传统软钎料合金在微电子工业中已得到了广泛的应用，然而软钎料合金已经不能满足第三代宽禁带半导体（碳化硅和氮化镓）器件的高温应用需求。新型银烧结/铜烧结技术和瞬态液相键合技术是实现高温器件可靠连接的关键技术，该技术对新能源电动汽车、轨道交通、光伏、风电以及国防等领域具有重要意义。本书较为全面地介绍了当前用于高温环境下的芯片连接所涉及的新型互连材料的理论基础、工艺方法、失效机制、工艺设备、质量控制与可靠性。 本书可作为功率电子领域材料、工艺和可靠性工程师的参考书，也可作为高校相关专业的教材。

《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的新进展与实用制备技术。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》共5章：章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料，包括SiC和GaN单晶、SiC的同质外延生长、GaN的异质外延生长；第3章介绍SiC高频功率器件，包括SiC功率二极管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介绍GaN微波功率器件与电路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N极性GaN HEMT；第5章介绍正在发展中的固态新型器件，包括太赫兹器件、金刚石器件和二维材料器件。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》可供从事宽禁带半导体和雷达、通信、电子对抗以及电力电子应用等领域的科研人员参考。