本书主要介绍从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，具体包括晶体生长、硅的氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积、工艺集成、集成电路制造、半导体制造的未来趋势和挑战等。每章均提供一些实例及解答，*后附有课外习题。 本书可供高等学校微电子、集成电路设计相关专业的学生使用，也可供从事半导体相关研究和开发的工程师与科学工作者参考。

光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.

本书内容包括半导体工艺的6个主要单项实验、半导体材料特性表征与器件测试实验、工艺和器件特性仿真实验，并通过综合流程实验整合各单项实验知识和技能，着重培养学生的半导体器件的综合设计能力。

模式理论是研究激光在波导光腔中的传播规律、各种波导结构中可能存在的各种光模类型和模式结构特点，揭示激光模式结构与波导结构的内在联系，从而发现控制波导结构和模式结构的途径。由于光在传播过程中主要突出其波动性，量子场论和经典场论基本上导出相同的结果，因此完全可以从麦克斯韦方程组出发进行分析。其任务是找出器件性能所需的**激光模式结构和设计出其合理的波导光腔结构方案。本书是在作者1989年12月出版的《半导体激光模式理论》的基础上，作了修订和大量补充完备，以反映作者及其团队几十年来取得的重要研究成果和该领域的**进展。全书论述既重基础又涉及前沿，既重物理概念又重推导编程演算。

为了指导全国LED道路照明灯具（以下简称 LED灯具 ）的推广应用，保证照明工程质量，制定本规范。 本规范适用于新建、扩建和改建的城市道路及与道路相连的特殊场所采用LED道路照明的设计、施工与验收、养护与检测。本标准的主要技术内容是：1总则；2术语；3产品技术要求；4工程技术要求；5施工与验收；6养护与检测。

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。

本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材，介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为低维结构半导体材料；第11章为氧化物半导体材料；第12章为照明半导体材料；第13章为其他半导体材料。

垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一，也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法，较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书，读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品，以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程，工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。