进入21世纪以来, 应变硅和SOI(Silicon-On-Insulator, 绝缘体上硅)被公认为是深亚微米和纳米工艺制程维持摩尔定律(Moore s Law)和后摩尔定律的两大关键技术, 也被称为21世纪的硅集成电路技术。 本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。 本书主要面向硅基应变半导体理论与技术领域的研究者, 同时也可作为本科微电子科学与工程专业和研究生微电子学与固体电子学专业相关课程的教学参考书。

《车用功率半导体器件设计与应用》使用大量图表，通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术，其中，第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类，同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角；第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT，从基本单元结构描述制造过程，然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作，此外，还提到了功率器件所需的各种特性，并加入改进这些特性的器件技术的说明；第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述；第5章概述SiC功率器件，讲解二极管、MOSFET和封装技术，对于近取得显著进展的的SiC MOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。

《半导体激光器件物理》一书从不同的视角研究了半导体器件物理的相关进展，既有理论阐述，又有详细的操作技法剖析，对学生深入了解半导体器件物理相关知识具有重要的导引作用。

汤安著的这本《白光LED用红色荧光粉发光性能研究》介绍了白光LED用红色荧光粉的制备并研究了其发光性能。本书从固体发光理论出发，阐释了荧光粉的发光原理，较系统地论述了荧光粉的制备方法，优化了红色荧光粉的相关制备工艺；较全面地研究了所制备荧光粉的发光性能，并对其发光机理进行了深入探讨；也对稀土掺杂的红色荧光粉研究进行了展望。 本书可供从事白光LED方面的研究、开发、生产等人员阅读，也可作为高等院校无机材料、光电子、半导体等相关专业的参考书。

由史志达主编的《LED照明应用与施工技术450问》为介绍LED基础和照明应用施工技能的基础读物，书中收集和整理了LED照明灯具设计(如LED荧光灯、台灯、射灯，LED汽车照明、景观亮化，LED路灯、隧道灯等)、驱动电路、智能控制系统等方面的各类问题，将基础知识和技能融会贯通，为读者全面了解LED应用技术和提高施工技能扫清障碍。 本书可供LED行业工人、技术人员和即将人行的初学者阅读。

本书详细阐述了宽禁带功率半导体器件的发展现状、电热行为模型建模方法与模型参数提取优化算法、开通和关断过电压问题分析和抑制方法、串扰导通问题机理与抑制方法。通过LLC变换器展示了如何借助宽禁带器件电热行为模型完成功率变换器硬件优化设计和控制算法的仿真验证，并分析了平面磁集成矩阵变压器的优化设计方法，建立了LLC变换器小信号模型，提出并验证了基于LLC变换器小信号模型的输出电流纹波抑制方法。附录提供了基于Ansys Q3D的电路板寄生参数提取方法、宽禁带器件电热行为模型建模方法、遗传算法和列文伯格-麦夸尔特算法组成的复合优化算法实现、LLC变换器小信号模型建模方法，方便读者学习参考。 本书适合电力电子与电力传动专业研究生和电气工程及其自动化专业的高年级学生使用，也可供其他相关专业高校师生、工程技术人员

由史志达主编的《LED照明应用与施工技术450问》为介绍LED基础和照明应用施工技能的基础读物，书中收集和整理了LED照明灯具设计(如LED荧光灯、台灯、射灯，LED汽车照明、景观亮化，LED路灯、隧道灯等)、驱动电路、智能控制系统等方面的各类问题，将基础知识和技能融会贯通，为读者全面了解LED应用技术和提高施工技能扫清障碍。 本书可供LED行业工人、技术人员和即将人行的初学者阅读。

芯片封测是指芯片的封装和测试，当芯片设计和制作完成后，需要进行封装和测试。封装类似于给芯片穿上坚固的防护外衣，使其可以在复杂的环境下工作，也可以保护芯片，便于散热。测试即检测芯片的好坏，同时检查相关工艺环节所带来的影响。 《芯片封测从入门到精通》分为12章，章简要介绍了芯片封测的概念和流程；第2章介绍了晶圆测试，包括检测芯片的功能和晶圆的制造工艺；第3~8章重点介绍了传统芯片封装的工艺流程和原理；第9~10章主要介绍了先进封装及载带焊接技术；1章介绍了最终测试，检测芯片的最终功能及封装环节所带来的影响；2章介绍了芯片封测的相关系统及数据异常分析。 《芯片封测从入门到精通》涉及传统芯片封装测试的所有流程，叙述通俗易懂，并辅以大量的图示，既可以作为微电子或集成电路专业的参考用书，也可以作为封装测

图字：01-2022-3232号本书使用大量图表，通俗易懂地讲解功率器件的运行和设计技术，其中，第1章概述功率器件在电路运行中的作用以及功率器件的种类，同时解释为何功率MOSFET和IGBT已成为当前功率器件的主角：第2章和第3章讲述硅功率MOSFET和IGBT,从基本单元结构描述制造过程，然后以浅显易懂的方式解释器件的基本操作，此外，还提到了功率器件所需的各种特性，并加入改进这些特性的 器件技术的说明；第4章以肖特基势垒二极管和PIN二极管为中心进行讲述；第5章概述SiC功率器件，讲解二极管、MOSFET和封装技术，对于 近取得显著进展的 的SiCMOSFET器件设计技术也进行了详细介绍。 本书适合从事功率器件研究的技术人员阅读，也可作为高等院校电力电子技术等相关专业的教材。

"本书是在国内外有关研究的基础上，结合作者多年来对半导体光催化剂的研究成果编写而成，系统介绍了光催化剂的设计及制备方法，同时对能级结构对半导体光催化剂催化活性的影响进行了探讨，为设计制造新型高效光催化剂给予了一定的理论指导。本书共分为9 章，主要内容包括：光催化物理基础；光催化技术基础和光催化剂的设计；半导体光催化剂的制备和表征；多孔纳米光催化剂、贵金属复合光催化剂、Ⅱ型异质结光催化剂和Z 型异质结光催化剂的制备、表征和性能分析。 本书可供光催化领域的科研技术人员学习使用，也可供高等院校相关专业师生参考。 "

本书是普通高等教育“十一五”***规划教材《半导体器件物理(第二版)》(孟庆巨、刘海波、孟庆辉等编著)的配套教学辅导资料。全书共分为11章，内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器。书末还给出了近几年吉林大学“微电子学与固体电子学”国家重点学科研究生入学考试试题及参考答案。