本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识，并给出许多典型设计与应用实例。较之于*版，本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章，内容主要包括LED及其驱动电源基础知识，LED驱动电源的基本原理，LED驱动电源的设计与应用指南，LED灯具保护电路的设计，从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则，从LED驱动电源的基本原理，到LED驱动电源各单元电路的设计，再到整机电路设计，可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。

本书以通用光通信以及对半导体激光器的需求开始，通过讨论激光器的基础理论，转入半导体的有关详细内容。书中包含光学腔、调制、分布反馈以及半导体激光器电学性能的章节，此外还涵盖激光器制造和可靠性的主题。 本书可供半导体激光器、通信类研发人员、工程师参考使用，也适用于高年级本科生或研究生，作为主修的半导体激光器的课程，亦可作为光子学、光电子学或光通信课程的教材。

本书针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.

本书为介绍LED基础和照明应用施工技能的基础读物，书中收集和整理了LED照明灯具设计（如LED荧光灯、台灯、射灯，LED汽车照明、景观亮化，LED路灯、隧道灯等）、驱动电路、智能控制系统等方面的各类问题，将基础知识和技能融会贯通，为读者全面了解LED应用技术和提高施工技能扫清障碍。 本书可供LED行业工人、技术人员和即将入行的初学者阅读。

本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时附有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。

本书从三个方面系统地论述集成电路的制造技术。首先是制造对象，对工艺结构及结构所对应的电子器件特性进行深人的分析与揭示。其次是生产制造本身，详细讨论集成电路各单步作用的本质性特征及各不同工艺技术在成套流程中的作用，讨论高端制造的组织、调度和管理，工艺流程的监控，工艺效果分析与诊断等内容。*后是支撑半导体制造的设备设施，该部分的论述比较简明，但是也从整体和系统的角度突出了制造设备的若干要素。

电磁兼容性能是电子信息设备和系统设计与使用过程中关注的重要方面。本书围绕电磁干扰三要素，系统阐述了电磁兼容理论，结合工程实践经验给出了电磁干扰问题的分析和解决方法。全书内容包括电磁兼容的内涵、信号完整性分析、非线性效应分析、复杂系统电磁兼容仿真预测、电磁兼容现场测量、电磁兼容设计、电磁兼容维护、电磁兼容评估、电磁防护技术以及电磁兼容新材料、新方法和新技术等。

本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。

本书在介绍半导体照明器件 发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光 电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、 全面，通过理论联系实际，重点突出了 半导体照明 主题，反映了国内外*的应用技术。

本书主要介绍与集成电路相关的主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管(BJT)，同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。本书作者是美国工程院院士、中国科学院外籍院士，多年从事半导体器件与集成电路领域的前沿性研究工作。本书内容简明扼要，重点突出，深度掌握适宜，讲解深入浅出，理论联系实际。

《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，*后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。

随着半导体器件和材料科学的发展，越来越多的纳米结构和纳米材料开始出现。界面特性深刻影响着纳米结构的导热及热设计，本书以半导体纳米界面导热特性为主题，针对纳米电子器件和纳米材料的研究前沿问题，对国内外发展动向和研究现状进行了调研和整理，研究融合了当前研究纳米结构界面导热特性的主要手段，力求在数值模拟及实验测量的基础上深入揭示影响纳米结构界面导热特性的主要因素及物理作用机制。本书可供相关专业高年级本科生、研究生以及相关领域科研与教学工作者阅读参考。

垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一，也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法，较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书，读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容，分成三部分，共计15章。*部分为半导体材料属性，主要讨论固体晶格结构、量子力学、固体量子理论、平衡半导体、输运现象、半导体中的非平衡过剩载流子；第二部分为半导体器件基础，主要讨论pn结、pn结二极管、金属半导体和半导体异质结、金属氧化物半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管；第三部分为专用半导体器件，主要介绍光器件、半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末尾均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献，书后附有部分习题答案。

第1~8章为*部分，主要阐述分立元件模拟电子电路的分析和设计方法。内容包括半导体材料、二极管基本原理及其基本应用电路、场效应管工作原理及其线性放大电路、双极型三极管工作原理及其线性放大电路和应用、频率响应、输出级和功率放大电路等。 第9~15章为第二部分，主要阐述更复杂的模拟电子电路的分析和设计，即运算放大器及构成集成放大电路的基本模块，以及运放的应用等。包括理想运放及其基本应用、集成电路的恒流源偏置电路和有源负载、差分放大电路、反馈及放大电路的稳定性、构成运算放大器的各种电路的分析和设计、模拟集成电路中非理想因素的影响以及有源滤波电路和振荡电路等。第16章和第17章为第三部分，主要阐述数字电子电路的分析和设计。第16章的内容是CMOS数字电路的分析和设计，包括基本逻辑门电路、触发器、寄存器、基本A/D