当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。
本书分上、中、下三册，全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容，也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容，还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。
光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。
本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章，主要内容包括：MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势；谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术；谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术；谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为；微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法；谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术；通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术；微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术；谐振器中存在的典型失效模式与失效机理，以及多种可靠性评估方法和测试技术。
本书的重要特点是以与现代集成微电子学相关的方式介绍半导体器件操作的基本原理，不涉及任何光学或者功率器件，重点强调集成微电子器件的频率响应、布局、集合效应、寄生问题以及建模等。本书分为两部分，合计11章。*部分（第1章至第5章）介绍半导体物理的基本原理，包括电子和光子及声子、平衡状态下的载流子统计学、载流子产生与复合、载流子漂移和扩散、载流子运动以及PN结二极管，涵盖能带结构、电子统计、载流子产生与复合、漂移和扩散、多数载流子和少数载流子等相关知识。第二部分（第6章至第11章）分别讲解肖特基二极管与欧姆接触、硅表面与金属氧化物半导体结构、长金属氧化物半导体场效应晶体管、短金属氧化物半导体场效应晶体管以及双极结晶体管，详细探讨各种器件的物理及操作原理。各章涵盖了不理想性、二阶效应以及其他与实
本书是著作者承担国家科研项目的总结，是论述GaAs光电阴极的专著。全书共分10章，介绍了三代微光像增强器、数字微光器件、GaAs和GaAlAs材料和光电阴极的发展概况；研究了GaAs光电阴极的光电发射与光谱响应理论、多信息量测控与评估系统、激活工艺及其优化；提出了变掺杂GaAs光电阴极物理概念，探索了反射式和透射式变掺杂GaAs光电阴极理论，在三代微光像增强器中进行了实践；提出了窄带响应GaAs光电阴极物理概念，研究了窄带GaAlAs光电阴极的电子与原子结构，探索了阴极设计与制备工艺；很后针对新一代微光像增强技术，对GaAs光电阴极进行了回顾与展望。
本书以硅基射频集成芯片系统为核心，介绍射频电路和系统基础、射频集成电路基本理论和设计方法，以及 外硅基射频集成电路和系统技术的 新进展。全书分为射频电路和系统设计基础知识、射频收发机集成电路技术和面向特定应用的射频集成电路与系统技术三个部分。 部分主要包括射频电路和系统基础与高频器件及模型；第二部分主要包括射频收发通道和频率综合器的关键电路技术；第三部分面向低功耗物联网、可重构射频系统和毫米波雷达等应用介绍相关射频集成电路与系统技术。 本书可供从事射频集成电路与系统研究的科研人员和从事相关芯片研发的工程师参考，部分内容可供相关专业研究生和高年级本科生参考。
《微波电子学教程》主要讨论微波电子学基本原理以及相对应发展的器件工作机理和相关设计技术（包括速调管、行波管和回旋管），同时简要介绍器件向短毫米波和太赫兹频段的发展情况。通过研究电子在直流电磁场作用下的产生、运动、成形、控制，以及其在真空中与部分特殊高频电路（谐振腔、慢波和快波结构等）中电磁场相互作用，将电子的直流能量转换为微波能量（振荡、放大）。结合三种类型真空微波电子器件工作机理和设计技术的讨论，帮助读者熟悉电子注与谐振和行波电路以及高次模式电磁场相互作用的特点，为不同类型器件研制和在不同形式中应用（例如：雷达与加速器）奠定理论基础。
本书系统介绍集成电路设计自动化的理论、算法和软件等关键技术。首先介绍数字集成电路的设计流程、层次化设计方法及设计描述，重点介绍集成电路设计自动化的前端设计和后端设计中的关键技术与方法，包括高层次综合技术、模拟验证和形式验证技术、布图规划与布局技术、总体布线与详细布线技术、时钟综合与时序分析优化方法、供电网络分析和优化技术、3D集成电路自动设计方法， 介绍集成电路的硬件安全相关问题。同时包含集成电路设计自动化近年来的 研究成果。 本书适合电子和计算机等相关专业的高年级本科生和研究生阅读，也可作为集成电路设计和EDA研究人员的参考书。
当前和今后一段时期将是我国集成电路和光电芯片技术发展的重要战略机遇期和攻坚期，加强自主集成电路和光电芯片技术的研发工作，布局和突破关键技术并拥有自主知识产权，实现集成电路产业的高质量发展是我国当前的重大战略需求。《中国集成电路与光电芯片 2035发展战略》面向 2035年探讨了国际集成电路与光电芯片前沿发展趋势和中国从芯片大国走向芯片强国的可持续发展策略，围绕上述相关方向开展研究和探讨，并为我国在未来集成电路和光电芯片发展中实现科技与产业自立自强，在国际上发挥更加重要作用提供战略性的参考和指导意见。
《质谱分析技术原理与应用》是台湾质谱学会集结众学者之力，编撰的一本质谱分析技术的入门教科书。《质谱分析技术原理与应用》包括质谱分析技术基本原理和质谱分析技术应用两部分。章对质谱仪进行概述；第2~8章为部分，从离子化方法，质量分析器，串联质谱分析，质谱与分离技术的结合，真空、检测与仪器控制系统，质谱数据解析，定量分析等方面阐明质谱分析技术基本原理；第9~13章为第二部分，讨论质谱分析技术在食品安全分析、蛋白质组学/代谢组学、环境与地球科学、药物与毒物分析以及医学上的应用。
本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间、差分电路及反馈中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
