本书分上、中、下三册，全方位、多角度地介绍集成电路全产业链各个环节的相关知识。既综合了集成电路发展历程、应用技术、产业经济、未来趋势等内容，也详细讲解了集成电路设计、制造、生产线建设、封装测试、专用设备、专用材料等内容，还介绍了集成电路的新技术、新材料、新工艺以及前沿技术发展方向等具有前瞻性的新知识。

本书系统介绍了低功耗 CMOS 逐次逼近型模数转换器设计所涉及的一些关键问题，包括体系结构、高层次模型、电容开关时序、关键电路技术、低压模拟电路、电容阵列布局等，同时介绍当前最新的流水线 SAR A/D 转换设计技术和可配置 A/D 转换器设计技术，是当前国外低功耗 CMOS 混合信号集成电路的前沿研究内容。书中所提出的体系结构、电容开关时序及高层次模型、关键电路模块均经过流片验证或 Spice 仿真验证，可以直接供读者参考，且对想深入研究低功耗 CMOS 混合信号集成电路设计的设计人员和研究人员具有很强的指导意义和实用性。

本书详细介绍了半导体芯片制造中的晶片制备、外延、氧化、光刻、蚀刻、扩散、离子注入、薄膜沉积、封装以及VLSI工艺集成等内容，涵盖了集成电路制造工艺流程中主要步骤。本书图文并茂，内容全面，理论与实践紧密结合，有助于从事集成电路和半导体相关工作的技术人员迅速了解集成电路制造技术的关键工艺。本书可供半导体制造领域从业者阅读，也可供高校微电子、集成电路等相关专业教学参考。

本书的重要特点是以与现代集成微电子学相关的方式介绍半导体器件操作的基本原理，不涉及任何光学或者功率器件，重点强调集成微电子器件的频率响应、布局、集合效应、寄生问题以及建模等。本书分为两部分，合计11章。*部分（第1章至第5章）介绍半导体物理的基本原理，包括电子和光子及声子、平衡状态下的载流子统计学、载流子产生与复合、载流子漂移和扩散、载流子运动以及PN结二极管，涵盖能带结构、电子统计、载流子产生与复合、漂移和扩散、多数载流子和少数载流子等相关知识。第二部分（第6章至第11章）分别讲解肖特基二极管与欧姆接触、硅表面与金属氧化物半导体结构、长金属氧化物半导体场效应晶体管、短金属氧化物半导体场效应晶体管以及双极结晶体管，详细探讨各种器件的物理及操作原理。各章涵盖了不理想性、二阶效应以及其他与实

《硅基功率集成电路设计技术》重点讲述硅基功率集成电路及相关集成器件的设计技术理论和应用。第1章综述功率集成电路基本概念、特点及发展；第2～3章介绍功率集成电路*核心的两种集成器件(LDMOS和SOI-LIGBT)的结构、原理及可靠性；在器件基础上，第4～6章重点阐述高压栅驱动集成电路、非隔离型电源管理集成电路及隔离型电源管理集成电路三种常见典型功率集成电路的设计方法及难点问题。 《硅基功率集成电路设计技术》除讲述基本原理，还阐明近年来国际一流学术团体、一流企业在功率集成电路及相关集成器件设计技术方面的*新研究成果，以追求内容的先进性和实用性。

本书首先详细介绍了与压电结构健康监测（StructuralHealthMonitoring，SHM）有关的基础理论知识，内容覆盖结构断裂及失效的基础知识、有关的压电材料的及其性质、不同结构中的振动模式以及SHM中不同条件下的不同波的类型和其应用于实际结构中存在的挑战，介绍了压电主动式传感器（PiezoelectricWaferActiveSensors，PWAS）的相关内容，包括其基本原理及应用，介绍了如何理解传感器信号模式，如不同的波形，包括分析方法（快速傅里叶变换、短时傅里叶变换和小波变换），接下来，本书从理论过渡到实际，给出了利用PWAS来检测和量化结构中的损伤的综合应用。

《集成电路设计自动化》系统介绍集成电路设计自动化的理论、算法和软件等关键技术。*先介绍数字集成电路的设计流程、层次化设计方法及设计描述，重点介绍集成电路设计自动化的前端设计和后端设计中的关键技术与方法，包括高层次综合技术、模拟验证和形式验证技术、布图规划与布局技术、总体布线与详细布线技术、时钟综合与时序分析优化方法、供电网络分析和优化技术、3D集成电路自动设计方法，*后介绍集成电路的硬件安全相关问题。同时包含集成电路设计自动化近年来的*新研究成果。

本书以硅基毫米波集成电路与系统涉及的关键技术为主线，结合三位作者所在团队的科研工作，详细讨论在毫米波元器件、毫米波核心单元电路及毫米波集成系统等方面的关键技术和科研进展。 全书共分10章。第1章介绍毫米波的应用和毫米波集成电路面临的主要技术挑战；第2章讨论硅基片上集成毫米波无源元件的电学特性；第3章～第5章讨论宽带毫米波前端、毫米波功率放大器和毫米波信号源产生电路的设计技术；第6章介绍一款77GHz数模混合FMCW雷达信号源的设计技术；第7章讨论毫米波相控阵芯片的工作原理和国内外科研进展情况；第8章介绍全集成毫米波通信收发机芯片的设计技术；第9章讨论毫米波雷达收发机技术的基本原理、基本架构和国内外科研进展情况；第10章介绍一款77GHz FMCW相控阵雷达收发机芯片的设计技术。

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的近期新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名很好公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于 集成电路制造技术，为了保证 性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。