本书分为两个部分；靠前部分包括SOI材料及制造，第二部分包括SOI器件及应用。本书的前几章介绍SOI晶片的制造技术，优选SOI材料的电学特性，以及短沟道SOI半导体晶体管的建模。涉及部分耗尽及全耗尽二种SOI技术。第6章和第7章关注的是无结及氧化物上鳍（fin）型场效应晶体管。还介绍了CMOS器件变化趋势和静电放电中的一些关键技术。第二部分涵盖很近的和已成熟的技术。它们包括射频应用的SOI晶体管，超低功耗应用的SOICMOS电路，以及利用SOI的三维集成来提高器件性能的方法.
本书分为两个部分；靠前部分包括SOI材料及制造，第二部分包括SOI器件及应用。本书的前几章介绍SOI晶片的制造技术，优选SOI材料的电学特性，以及短沟道SOI半导体晶体管的建模。涉及部分耗尽及全耗尽二种SOI技术。第6章和第7章关注的是无结及氧化物上鳍（fin）型场效应晶体管。还介绍了CMOS器件变化趋势和静电放电中的一些关键技术。第二部分涵盖很近的和已成熟的技术。它们包括射频应用的SOI晶体管，超低功耗应用的SOICMOS电路，以及利用SOI的三维集成来提高器件性能的方法.
