《计算物理学习指导/高等学校理工科物理类规划教材辅导用书》是与《计算物理学》(刘金远等编著,科学出版社,2012年出版)相配套的辅导用书。《计算物理学》自2012年6月出版以来,广受好评,被很多院校选用,2014年9月入选国家十二五规划教材。
本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、 第7章MOS结构及MOSFET器件。 第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像, 在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
The progress made in physics and technology of semiconductors depends main.ly on three families of materials: the group—IV elemental,Ⅲ—Ⅴ, and Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors.Almost all ⅡⅥ pound semiconductors crystallize either in the zincblende or wurtzite structure.The first research papers on Ⅱ—Ⅶ pound semiconductors date back to the middle of the nieenth century.In the ensuring hundred years extensive literature haeen accumulated as much research and development works are being carried out on these pound semiconductors.At present, the Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors are widely used as photodetectors, x—ray sensors and scintillators, phosphors in lighting, displays, etc.New applications are continuously being proposed.Thus, it seems to timely bring together the most up—to—date information on the material and semiconducting properties of Ⅱ—Ⅵ pound semiconductors.
松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象,利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论,也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗,而该运动则源于磁通运动引起的电场,读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响,另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下
周桥主编的《病理学学习指导及习题集(供8年制及7年制5 3一体化临床医学等专业用全国高等学校配套教材)》是在长学制《病理学》(第3版)基础上编写的配套教材,包含简明的学习大纲和丰富多样的习题,以帮助学习者掌握主干教材的内容。本书主要根据长学制《病理学》(第3版)编写,但亦参考了五年制规划教材《病理学》(第8版)以及国际上广泛使用的主要教材,故可适用于各医药院校修习病理学课程的学生、研究生及进修生,亦可作为研究生入学考试、执业医师资格考试等的复习参考书。
本书是一本很好的英文教科书和参考书,与目前我国大学本科生的同类教材相比,这本书具有以下特点: (1)全新的体系结构。目前相关专业的教学体系是先学理论物理(包括统计物理、量子力学等)、固体物理,再学半导体物理,最后学半导体器件,一般需要用2至3个学期来学完这些课程。这本书次上述课程的有关内容有机地结合在一起,学生只需具有高等数学和大学物理的基础,用1至2个学期时间就可以系统地学习到半导体物理与器件课程提供的内容。 (2)注重概念方法。从内容的整体编排到具体内容的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。本书还采用了大量的插图,帮助读者理解概念。 (3)可读性强,便于自学。全书思路清晰,说理清楚,易于读者理解和掌握。每章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌
本书涵盖了量子力学、固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。靠前部分为半导体基本属性,包括靠前章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。本书既可作为高等学校电子科学与技术、光电信息工程、微电子技术等专业本科生的教材,也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。
本书是吴亚非主编的《大学物理》(第二版)教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点,并做了适当的扩展,另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。
本书是吴亚非主编的《大学物理》(第二版)教材的配套学习指导书。本书一方面概括总结了主教材所涉及的所有知识点、难点,并做了适当的扩展,另一方面对主教材中各章的思考题与习题给出了相应的参考解答。