本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识，并给出许多典型设计与应用实例。较之于*版，本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章，内容主要包括LED及其驱动电源基础知识，LED驱动电源的基本原理，LED驱动电源的设计与应用指南，LED灯具保护电路的设计，从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则，从LED驱动电源的基本原理，到LED驱动电源各单元电路的设计，再到整机电路设计，可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。

《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

本书全面汇编了国内外电气和电子设备中所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和带环型号，内容涉及2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分晶体三极管（包括晶体三极管模块）的型号。全书共分三部分：部分介绍了该手册的查阅方法；第二部分介绍了晶体三极管的型号命名、使用和检测访求等基础知识；第三部分以表格的形式介绍了晶体三极管的型号（国别）、主要参数、构成材料和近似置换。本书内容全面、查阅简单、携带方便，使一班介绍晶体三极管及其模块关键参数和代换资料的工具书。 本书适合于电气和电子设备维修、设计、研究、生产、制作人员，电子器件销售人员及电子爱好者查阅。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

本书力图以通俗易懂的方式，介绍电力电子器件的原理与应用技术，重点介绍了PN结原理，二极管、功率场效应晶体管（MOS．FET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、晶闸管、集成门极换向晶闸管（IGCT）的原理、特性、保护、驱动等。根据现代电力电子器件发展的特点，本书还介绍了NPT、PT、Trench结构，逆阻型IGBT等器件概念和SiC二极管、CoolMOS、同步整流器等新技术，另外结合器件的特点，介绍了相应的典型功率变换电路。本书可作为电力电子与电气传动专业及相关专业的工程技术人员和研究生的参考书，也可作为从事开关电源、变频器、逆变器、UPS等电力电子装置开发、设计工程技术人员的参考书。

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pin 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬? 林德（Stefan Linder ）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

DC-AC逆变技术是应用电力半导体器件，将直流电能变换成交流电能的一种静止变流技术。在以直流发电机、蓄电池为主直流电源的二次电能变换和可再生通顺（太阳能、风能等）的并网发电等场合，逆变技术具有广泛的应用前景。 本书在论述了电力电子及其逆变技术现状与发展的基础上，按电气隔离、功率流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关流向、电源性质、相数、模块数、电平数、能量去向、功率变换量、相关技术等类型，系统，深入并有创新地论述了方波、多重移相叠加阶梯波合成、脉宽调制、单向电压源高频环节、高频脉冲直流环节、双向电压源高频环节、谐振式双向电压源高频环节、电流源高频环节、直流变换器型高频环节、三相、并联、多电平、可再生能源并网、Delta等逆变技术和控制、驱动、缓冲、滤波等相关技术

本书介绍了现代半导体器件的物理原理和先进的工艺技术．它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为工程师和科学家们需要了解器件和技术发展的参考资料、首先，章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。接着，本书分为三个部分： 部分（第2、3章）描述半导体的基本特性和它的传导过程，尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体材料上。第l部分的概念将在本书接下来的部分被用到，了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。 第2部分（第4-9章）讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始，接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。 第3部分（0-14章）则介绍从晶体生长到掺杂等工艺技

本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期，不要求必须开设相应的实验课。同时，本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨

半导体材料是微电子、光电子和太阳能等工业的基石，而其电学性能 、光学性能和机械性能将会影响半导体器件的性能和质量，因此，半导体 材料性能和结构的测试和分析，是半导体材料研究和开发的重要方面。本 书主要介绍半导体材料的各种测试分析技术，涉及测试技术的基本原理、 仪器结构、样品制备和应用实例等内容：包括四探针电阻率、无接触电阻 率、扩展电阻、微波光电导衰减、霍尔效应、红外光谱、深能级瞬态谱、 正电子湮没、荧光光谱、紫外-可见吸收光谱、电子束诱生电流、I-V和C-V 等测试分析技术。 本书可供大专院校的半导体物理、材料与器件、材料科学与工程和太 阳能光伏等专业的高年级学生、研究生和教师作教学用书或参考书，也可 供从事相关研究和开发的科技工作者和企业工程师参考。

为了满足半导体工艺和器件及其相关领域人员对 计算机仿真知识的需求，帮助其掌握当前先进的计算 机仿真工具，特编写本书。唐龙谷编著的《半导体工 艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程(附光盘)》 以Silvaco TCAD 2012为背景，由浅入深、循序渐进 地介绍了Silvaco TCAD器件仿真基本概念、 Deckbuild集成环境、Tonyplot显示工具、ATHENA工 艺仿真、ALTAS器件仿真、MixedMode器件电路混合 仿真以及C注释器等高级工具。 本书内容丰富、层次分明、突出实用性，注重语 法的学习，例句和配图非常丰富； 所附光盘含有书 中具有独立仿真功能的例句的完整程序、教学PPT和 大量学习资料。读者借助本书的学习可以实现快速入 门，且能深入理解TCAD的应用。 本书既可以作为高等学校微电子或电子科学与技 术专业高年级本科生和研究生的教材，也可供相关专 业的工程技术人员学习

《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研究的贡献

本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。

本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。