《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分，《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系，并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中，作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研

本书是一本介绍如何使用意法公司推出的集成开发环境STVD、配合使用意法公司的ST-LINK/V2在线仿真/编程器完成STM8系列单片机开发的入门书籍。全书以STM8主流系列大容量产品STM8S208RB单片机为例，对STM8S系列单片机的片内功能、开发环境、功能模块以及接口电路等方面做了详细介绍。本书也是一本零基础入门单片机C语言开发的实践指导书。

本书全面介绍了TFT-LCD的结构、显示原理及特性、制造技术。部分介绍技术发展、分类、工作原理及基本结构。第二部分介绍液晶的物理特性、显示模式、TFT结构及工作原理、TFT-LCD结构及显示原理、显示特性改善。第三部分介绍TFT-LCD的制造技术与生产经验，包括非晶硅TFT-LCD的工艺流程、制造技术、不良检查与分析及低温多晶硅TFT的工艺流程与制造技术。第四部分介绍TFT器件及显示技术的进展与展望，包括有机TFT、氧化物TFT、三维立体显示、透明显示器以及柔性显示等。

本书首先以问答的形式和快学速查的方式，介绍了电子管的基础知识与实用知识，然后介绍了一些电子管的主要参数、功能名称、封装特点、基础电路与应用电路等，从而满足读者快学电子管知识、速查电子管资料的目的。本书具有内容全面、查阅简单、携带方便的特点，是一本集电子管知识学习与资料速查的读物。本书适合音响专业师生使用，另外还可以供电子管应用领域的制作人员、电子管销售人员、胆机维修人员、电子发烧友阅读。

本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT，同时对其他器件如VDMOS、CoolMOS等也作了简单介绍。本书着重阐述基础理论，并适当吸收该领域近期的研究报道，各章后附有相关参考文献，书后还附有全书统一使用的符号表。 本书可作为高等院校电子科学与技术专业、微电子与固体电子学专业的教学用书，也可供从事物理专业及电子信息专业领域的教师、科研人员、研究生和本科生等参考阅读。

本书在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上，介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤，接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件，最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。 本书特别强调辐射效应的基本物理，介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的进展，对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。 本书适合于从事空间技术及高能物理研究和应用，以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读，也可以作为相关领域研究生及大学生的教学参考书。

本书首先以问答的形式和快学速查的方式，介绍了电子管的基础知识与实用知识，然后介绍了一些电子管的主要参数、功能名称、封装特点、基础电路与应用电路等，从而满足读者快学电子管知识、速查电子管资料的目的。 本书具有内容全面、查阅简单、携带方便的特点，是一本集电子管知识学习与资料速查的读物。本书适合音响专业师生使用，另外还可以供电子管应用领域的制作人员、电子管销售人员、胆机维修人员、电子发烧友阅读。

《半导体异质结构与纳米结构表征(导读版)》主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质(结构、物理，化学、电气等)的专门表征技术。此外，介绍了采用原理进行的模拟、建模方法，以及异质结构的电学与光学特性。 《半导体异质结构与纳米结构表征(导读版)》结构基于双重目标：以物理、化学，材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度，提供每一个被挑选的专门技术的基本概念；从的文献中挑选采用这些专门技术得到的结果作为例子，这些技术用来理解半导体异质结构的性质。这些章节综合了基本概念的讲解和最有关联的创新例子的讨论。此外，有关量子阱、量子线和量子点的内容可以看作是将先进表征技术应用到亚纳米尺度下材料的结构与电学性质的实例。 在学术界与工业实验室内从事异质结构器件设计，生长，

本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。 本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。