本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间、差分电路及反馈中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。 本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 本书自出版以来得到了外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

教材、手册的中文化可能是台湾地区近年来在发展科技诸般努力中最弱的一环，但也可能是使科技生根深化最重要的一环。适当的中文教材不仅能大幅提高学习效率，而且经由大家熟悉的文字更能传递理论的逻辑概念、关联脉络以及深层意义，勾画出思路发展，学习的效果更不可以道里计。“材料科学学会”体认到教材中文化的重要性，落实及扩大教学成效，规划出版一系列观念正确、内容丰富的中文教科书。本书章将微电子材料与工艺作一概览，第二章介绍半导体基本理论。第三章至第十章为集成电路工艺各重要的问题:单晶成长、硅晶薄膜、蚀刻、光刻技术、离子注入、金属薄膜与工艺、氧化、介电层、电子封装技术基础教材，第十一章则为材料分析技术应用。各章邀请专家学者撰写或合撰，务求内容精到详实，兼顾理论与应用，深入浅出，希望不仅成为莘莘学

《现代VLSI设计：基于IP核的设计（第4版）》全面介绍了现代VLSI芯片先进设计技术和方法，并重点讨论基于IP核的SOC设计方法。《现代VLSI设计：基于IP核的设计（第4版）》中反映出了SOC芯片设计的新进展及新技术。《现代VLSI设计：基于IP核的设计（第4版）》共分8章，内容包括数字系统与VLSI、制备与器件、逻辑门电路、组合逻辑、时序逻辑、子系统设计、平面布图、体系结构设计。每章结尾附有难度不同的习题，附录给出了详细的词汇表和专用名词解释，并介绍了硬件描述语言。

《ASIC设计:混合信号集成电路设计指南》全面介绍ASIC设计的各个环节。，2章对IC设计进行了概述，介绍晶体管及SPICE模型、芯片代工厂、制备工艺等知识；第3章阐述ASIC的经济成本问题，对ASIC设计中每一环节的成本进行有效的分析；第4章重点介绍ASIC设计所用的CAD工具；第5，6章分别介绍版图设计中的标准单元和外围电路，以及焊盘、保护电路、外围金属环等可靠性设计的内容；第7，8章重点分析数字电路中的特殊逻辑结构和存储器，以及逻辑、二进制数学与处理；第9～12章分别介绍常用的模拟电路知识，包括电流源、放大器、带隙基准源、振荡器、锁相环、转换器、开关电容技术等；3章介绍封装和测试的相关知识；，作者依据自己多年的设计经验对ASIC设计进行总结。