本书主要阐述真空电子学太赫兹源基本原理及相关技术，内容分为两部分共九章：第一部分是第1章至第7章，主要阐述太赫兹史密斯-珀塞尔辐射源、超短电子束团的太赫兹辐射源、行波管、返波管、扩展互作用速调管、回旋管的基本原理，以及新型太赫兹辐射源的方法和相关研制成果、实验等，在此基础上，阐述了太赫兹源的基本应用。第二部分是第8章和第9章太赫兹真空电子器件相关技术，主要是阴极技术和微纳加工技术，分别介绍太赫兹阴极高发射机理及太赫兹微纳结构制备方法。

\"本书着眼于电介质材料的基础理论和电介质材料的前沿问题，深入浅出地介绍了电介质材料的基础知识，并对一些新型电介质材料进行了系统介绍，主要内容包括：电介质材料的电极化、电导和驰豫及损耗等基本理论，结合科研实际情况着重介绍了几种 电介质材料的结构和介电性能及电磁响应特性。 本书可供高等院校高年级本科生、研究生和教师参考，也可供物理、化学、材料、生物、能源、电子和信息等领域的相关研究者和工程技术人员参考使用。\"

\"本书的内容主要聚焦于二次电子发射的理论模型和相关应用方面，在部分章节列举了几个典型案例展开讨论。本书的内容涵盖了二次电子的发射理论模型、测量、数据结果、表面工艺、介质带电分析以及典型应用场景介绍。内容涉及粒子物理理论、仿真算法、磁流体力学、表面工艺、表面表征等多领域。 本书共分为六章，其中， 章为绪论，介绍了二次电子发射和与此相关的介质带电概念和现状。第二章中主要介绍了四种主要的二次电子发射模型，以及分别针对导电金属和导电不良体的介质研制的测试平台，除此之外，还列出了部分典型金属和介质材料的二次电子发射数据。本书的第三部分介绍了常用的二次电子发射表面调控技术，列举了几种用于抑制二次电子发射的表面陷阱结构和用于表面调控的材料工艺。第四部分介绍了电子轰击表面的带电效应和二次电

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翟宏如等编著的《自旋电子学（典藏版）》共10章。较深入地论述了自旋电子学的主要内容、形成与展望，兼顾理论、实验和应用。包括，多层膜与颗粒体系的磁性和巨磁电阻；磁性隧道结，特别是 发展的MgO单晶隧道结的结构、理论和应用；庞磁电阻材料的理论、实验与应用；稀磁半导体的磁性、磁输运等以及相关的异质结构和自旋注入等研究；磁电阻理论，包括铁磁金属的散射理论、界面效应和介观体系中的磁电电路理论；铁磁/反铁磁界面的交换偏置在器件中的作用和基本性能，主要的实验研究和理论模型；自旋动量矩转移效应、电流引起磁化的原理和在自旋阀、隧道结、铁磁体一量子点耦合等系统中的研究，自旋动量矩转移引起的磁畴转动、畴壁位移、自旋波激发、自旋泵浦、自旋流等的原理和应用，电流引起磁化与传统的磁场引起磁化的比较；自旋电子

本书介绍大气压介质阻挡放电(DBD)表面改性的相关原理及其应用。首先，介绍大气压介质阻挡放电产生与诊断、放电模式，以及等离子体表面改性原理、方法及表征。其次，具体介绍大气压介质阻挡放电表面改性引入官能团、大气压介质阻挡放电表面薄膜沉积这两种改性方法。 ，从工业应用的角度分别介绍大气压介质阻挡放电在高压 缘领域、新能源领域，以及纺织品、农膜、医用导管、木质材料等其他领域的应用效果。

本书的主要内容是介绍如何用LHCb探测器收集的数据测量质子-质子在质心系能量为7 TeV碰撞下W玻色子的产生截面。 本书 章为概述。第二章对标准模型和质子一质子对撞下W玻色子截面的理论计算做了较详细的介绍。 第三章和第四章对LHCb探测器以及事例重建做了较完整的描述。第五章具体陈述了W玻色子产生截面的测量。第六章是对全书的总结。

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本书为北京市高等教育精品立项项目，根据高职高专有机分析教学大纲编写。全书分三部分。靠前部分为有机化合物系统鉴定，介绍有机化合物物理常数的测定、元素定性分析、溶度试验、官能团的检验、查阅文献及衍生物的制

本书在结合了靠前、二版的编写经验，听取了使用过本教材师生的意见和建议并考虑当前工科学校的教学实际基础上修订而成。全书简明扼要，注重加强基础理论的同时，突出训练和培养学生科学思维创新能力，拓展学生的学术襟怀和眼光。全书分上、下两册，内容分五篇。靠前篇力学；第二篇电磁学；第三篇波动光学；第四篇热学；第五篇相对论与量子力学基础。

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瞬时电离辐射效应是电子系统 常见的一种辐射效应。瞬时电离辐射与半导体材料相互作用，感生光电流，改变器件及电路的特性和功能，影响电子系统的可靠性。本书主要介绍核 辐射环境及其效应、模拟集成电路和大规模数字集成电路的瞬时电离辐射效应、瞬时电离辐射下的脉冲宽度效应、器件级及电路级仿真方法、瞬时辐射感生闩锁和阻锁、瞬时电离辐射效应试验技术、样本空间排序法在电子器件抗瞬时电离辐射性能评估中的应用等内容。