近年来，半导体光催化技术在环境净化、CO2还原及有机合成化学等领域发挥了重要作用，利用光生电子及半导体表面结构可以实现特定的氧化还原反应。本书不仅重点分类阐述半导体光催化前沿研究方向，而且重视半导体基础物理、化学及表面结构等基础内容。 本书前3章重点介绍了半导体物理、化学及表面结构的基础内容，这些为从基础物理和化学的角度理解和优化相关能源和催化科学中“卡脖子”及核心问题提供了重要基础。接着本书结合前沿研究方向重点阐述和总结了半导体光催化在材料调控方面的策略和设计。第4章主要阐述半导体光催化分解水，第5章主要阐述半导体光催化在水体净化方面的前沿研究。第6章重点介绍半导体光催化在CO，还原及综合利用方面的研究，表明半导体光催化在“双碳”领域的应用潜力。第7章主要介绍半导体光催化在精细化工
本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、 固体物理、 半导体材料物理及半导体器件物理等内容， 分成三部分， 共15章。 部分为半导体材料属性， 主要讨论固体晶格结构、 量子力学、 固体量子理论、 平衡半导体、 输运现象、 半导体中的非平衡过剩载流子； 第二部分为半导体器件基础， 主要讨论pn结、 pn结二极管、 金属半导体和半导体异质结、 金属氧化物半导体场效应晶体管、 双极晶体管、 结型场效应晶体管； 第三部分为专用半导体器件， 主要介绍光器件、 半导体微波器件和功率器件等。书中既讲述了半导体基础知识， 也分析讨论了小尺寸器件物理问题， 具有一定的深度和广度。另外， 全书各章难点之后均列有例题、 自测题， 每章末尾均安排有复习要点、 重要术语解释及知识点。全书各章末尾列有习题和参考文献， 书后附有部分习题
松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象，利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论，也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗，而该运动则源于磁通运动引起的电场，读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响，另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下
半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，本书将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专著和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一本全面介绍半导体材料物理知识、工艺基本原理和实用化技术的专业书籍。由于篇幅的限制，本书并未深入涉及物理学基本原理的推导、各种材料的性能参数和各类制备工艺的技术细节，需要时读者可运用搜索引擎来获取相关的内容。
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本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。
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本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。
松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象，利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论，也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗，而该运动则源于磁通运动引起的电场，读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响，另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下方
本书主要分为半导体物理实验及半导体器件实验两部分。半导体物理实验包括单晶硅材料的激光定向、单晶硅中晶体缺陷的腐蚀显示、半导体材料导电类型测定、四探针法测试半导体电阻率、霍尔效应实验、高频光电导法测少子寿命、半导体材料光学特性的测量、MOS 结构 C-V 特性测量、PN 结势垒特性及杂质的测试分析、PN 结正向特性的研究和应用等十个实验。半导体器件实验包括二极管特性参数测量、稳压二极管特性测量、双极型晶体管直流参数测量、场效应管直流参数测量、晶体管基极电阻测量、晶体管特征频率测量、数字电桥测量电位器的电阻值、集成电路特性测量、太阳能电池测量等十个实验。
本书共分上、下两篇：上篇主要叙述拉曼光谱学的理论和实验基础，从广义散射的高度，介绍了拉曼光谱的理论，从实验工作需要的角度，相当具体地介绍了有关拉曼光谱实验的内容。下篇在理论上探讨了低维纳米半导体拉曼谱的基本特征后，以激发光特性以及低维纳米体系的尺寸、形状和材料极性对拉曼光谱的影响为纲，较全面地总结和介绍了低维纳米半导体的拉曼光谱学。本书附录收集和整理了理论和实验方面的一些较深入和具体的内容。
本书以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的激发谱和光电响应行为，Andreev反射和单
本书以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的激发谱和光电响应行为，Andreev反射和单
本书以高温超导体为背景，主要是介绍d波超导体在超导相的物理性质，作为实例也分析和总结了高温超导体的一些实验结果；强调物理图像的描述，对重要的理论结果都有比较完整的推导，反映了作者对高温超导前沿问题的理解，同时也部分融入了他自己的研究成果。 全书共分13章。第1章介绍了超导的一些基本概念，并简要综述了BCS超导理论的基本思路和框架。其中对一些在超导研究中日益显得重要的基本概念，例如超导准粒子的概率流与电流密度的差异、非对角长程序与BCS平均场理论的关系、对称性自发破缺与迈斯纳效应等，也做了讨论。第2章介绍了高温超导的一些微观模型。第3至13章系统介绍了d波超导体的各种热力学和电磁响应函数的物理性质，其中包括超导能隙函数和比热等随温度的变化行为，d波超导体准粒子的激发谱和光电响应行为，Andreev反射和单
松下照男编著的《超导体中的磁通钉扎》主要讲述了普遍存在于金属超导体、高温超导体和MgB2超导体等材料中的磁通钉扎机制、特性和由磁通钉扎所引起的电磁现象，利用源于非超导杂质或晶界的凝聚能相互作用和Nb—Ti中人工Nb钉扎的动能相互作用对超导体的磁通钉扎机制进行了阐释。书中详细地论述了与临界电流密度相关的求和理论，也讨论了由磁通钉扎所引起的磁滞和交流损耗。该交流损耗源于非超导杂质中电子运动的阻尼损耗，而该运动则源于磁通运动引起的电场，读者将了解到为什么这个原因也能造成磁滞型的交流损耗。书中讨论了高温超导体中磁通钉扎对涡旋相图的影响，另外描述了超导体的各向异性、晶粒尺寸、电场强度等对不可逆场的影响。本书也介绍了 近一段时期的各种高温超导体和MgB2超导体临界电流特性的研究进展。 本书还涉及以下方
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