本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
本书共十七章， 分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容，包括结构和结合性质，半导体中的电子状态，载流子的平衡统计，过剩载流子，接触现象，半导体表面和MIS结构，微结构和超晶格，半导体的光吸收，半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题，包括载流子的散射，热现象，复杂能带输运，热载流子，强磁场下的输运和磁光现象，半导体中自旋相关的现象，非晶态半导体等七章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。
全书共十六章，分上下两册出版，上册主要包括一般教学中所涉及的比较基本的内容，包括结构和结合性质、半导体中的电子状态、载流子的平衡统计、电荷输运现象、过剩载流子、pn结、半导体的表面层及MIS结构、金属－半导体接触和异质节等八章.下册则收入了一些专题，包括载流子的散射、热现象、光发射、非晶态半导体等八章.本书可供学过固体物理学课程的大学生、研究生以及有关方面的工作人员阅读、参考。
