随着节能环保、低碳社会意识的普及和深入,LED照明技术的应用已活跃于商业和家居照明领域。本书围绕着LED照明工程设计与施工的技术主题,深入浅出地介绍了LED照明原理和LED照明器材,照明工程设计基础,照明配电、照明控制及智能化技术,室内、外照明工程的设计、施工和验收方法,并列举了典型照明工程设计案例,具有较强的现实指导意义。本书可供从事建筑、道路、景观等照明工程设计、施工、验收的工程技术人员阅读,也可供大专院校相关专业师生参考。
《异构集成技术》一书主要内容涉及异构集成技术的基本构成、技术体系、工艺细节及其应用,涵盖有机基板上的异构集成、硅基板(TSV转接板、桥)上的异构集成、扇出型晶圆级/板级封装、扇出型RDL基板的异构集成、PoP异构集成、内存堆叠的异构集成、芯片到芯片堆叠的异构集成、CIS、LED、MEMS和VCSEL异构集成等方面的基础知识,随后介绍了异构集成的发展趋势。本书图文并茂,既有工艺流程详解,又有电子信息行业和头部公司介绍,插图均为彩色图片,一目了然,便于阅读、理解。 《异构集成技术》一书内容对于异构集成的成功至关重要,将为我国电子信息的教学研究和产业界的研发制造提供参考,具有较强的指导价值,并将进一步推动我国 封装技术的不断进步。
《第三代半导体产业人才发展指南》汇集了 20余家行业协会、产业协会、研究机构、高校等的学者、研究人员、产业人士、技术专家,全景解析了我国第三代半导体产业发展及人才状况,剖析了第三代半导体产业政策,并给出了第三代半导体产业从业人员能力体系、第三代半导体产业贯通人才培养体系、第三代半导体产业从业人员能力提升体系建设的指导方案。*后从宏观上剖析了第三代半导体产业 化人才培养和第三代半导体产业人才培养案例。
半导体制造作为微电子与集成电路行业中 重要的环节,其工艺可靠性是决定芯片性能的关键。本书详细描述和分析了半导体器件制造中的可靠性和认定,并讨论了基本的物理和理论。本书涵盖了初始规范定义、测试结构设计、测试结构数据分析,以及工艺的 终认定,是一本实用的、全面的指南,提供了验证前端器件和后端互连的测试结构设计的实际范例。 本书适合从事半导体制造及可靠性方面的工程师与研究人员阅读,也可作为高等院校微电子等相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
本书依据《半导体分立器件和集成电路装调工 职业技能标准》,详细介绍了半导体分立器件和集成电路装调工(技师、 技师)应具备的理论知识、实际操作技能、培训与管理知识。重点讲述了芯片装架、分立器件和集成电路键合、内部目检、 封帽、封帽后处理、常用元器件检验、微电子器件基础工艺、厚膜混合集成电路制造工艺、电镀技术、贴装元器件工艺质量控制、基片加工制备、典型多层布线技术、多芯片混合集成电路装配知识等方面的操作技能,简要介绍了管理与培训等方面的内容。
本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础,全书共分十一章。 章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,第十一章介绍了溶液法技术及发光器件的制备。 本书文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。本书具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 本书读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生
本书采用双色图解的方式及通俗易懂的语言,详细讲解智能手机的维修知识,使读者能够轻松掌握智能手机软硬件维修的技能。 本书以常见的苹果、华为、小米等品牌智能手机为例,主要介绍了智能手机维修的基础知识、检修工具与技法、识图方法、原理与模块电路、硬件维修技能、软件维修技能、文件系统等内容。 本书内容实用,理论与实践结合,适合手机维修技术人员及业余爱好者、手机使用者等自学使用,也可用作培训机构、职业院校相关专业的教材及参考书。
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速率方程理论是从微观唯象观点,以唯象参数为工具,以粒子数守恒为依据的速率方程为分析手段的半导体激光器件物理理论,从全局上揭示半导体激光器的激射阈值相变、模式的竞争、谱系结构等静态行为和激射延迟、过冲、振荡过渡等瞬态行为,大小信号调制的方式方法及其速率、动态频谱结构、动态单模化、光模注入锁定、激光的双稳态、自脉动、分叉、混沌、量子噪声和谱线展宽,载流子在量子阱、量子线、量子点等量子低维结构中的捕获和逃逸等动力学行为及其物理机制。其任务是挖掘激光器件的潜能,发现和提出可能的新器件或新性能新应用,提出优化器件现有性能等的器件设计方案。 郭长志编著的《半导体激光器速率方程理论(上半导体激光器设计理论)(精)》论述既重基础又涉前沿,既重物理概念又重推导编程演算,适合有关专业的大学高年级