辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
随着节能环保、低碳社会意识的普及和深入，LED照明技术的应用已活跃于商业和家居照明领域。本书围绕着LED照明工程设计与施工的技术主题，深入浅出地介绍了LED照明原理和LED照明器材，照明工程设计基础，照明配电、照明控制及智能化技术，室内、外照明工程的设计、施工和验收方法，并列举了典型照明工程设计案例，具有较强的现实指导意义。本书可供从事建筑、道路、景观等照明工程设计、施工、验收的工程技术人员阅读，也可供大专院校相关专业师生参考。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
重庆市科委面上项目成果。主要以纳米半导体催化剂三氧化钨和氮化碳为例，研究了从材料合成到光催化性能测试等一系列的核心问题，主要包括三氧化钨网格结构的诱导合成；三氧化钨网格光催化活性的研究；氧化银三氧化钨异质结光催化亚甲基蓝的研究；三氧化钨网格负载Pt的制备及电催化性质研究；钒酸铜氮化碳异质结在可见光下的光催化固氮研究；纳米半导体催化剂在结构设计上的进展对光催化性能的促进作用。本书内容详实，层次分明，涵盖了半导体纳米材料的特性，纳米材料的合成方法，能带理论，光催化材料结构设计技术以及光电催化技术。本书兼顾了科学性和应用性，有利于组织教学和广大读者的自学，亦可供半导体物理、纳米材料光催化等领域的科研工作者和技术人员参考使用。
本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里，通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。 本书主要围绕“史前文明”——电子管时代、“新石器时代”——晶体管时代、“战国时代”——中小规模集成电路时代、“大一统秦朝”——大规模和超大规模集成电路时代、“大唐盛世”——特大规模和巨大规模集成电路时代、“走进新时代”——移动互联时代、“拥抱未来”——半导体科技的展望，对半导体领域涉及的技术发展情况、关键的人和事件等进行了描述，对未来的产业发展进行了展望，为我们勾勒了一幅半导体技术也是人类社会发展的蓝图。 不管你是芯片行业的从业人员，还是对芯片产业感兴趣的人，抑或是对科技、对历史感兴趣，本书都 适合你闲暇之时拿来阅读，从中了解信息社会的发展情况与未来趋势，相信定会有所收获。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
俞建峰、储建平编写的《LED照明产品质量认证与检测方法》全面系统地介绍了LED照明产品的 外 标准和技术法规、LED生产质量工艺、LED驱动电源和散热设计等关键技术，给出了LED产品检测案例，分析了LED照明产品质量不合格的原因，具体内容包括 外LED照明概况及我国LED照明产业存在的问题、 外LED照明产品质量认证要求、LED照明产品电气安全检测、LED照明产品性能检测、电磁兼容检测、光生物安全检测、光度与色度检测、LED寿命试验、LED灯具散热设计分析、LED灯具驱动器设计分析、LED照明产品生产企业关键生产工艺质量监控。 本书适合从事LED照明产品研发设计、生产制造、质量检测和产品应用的工程技术人员阅读，也可供LED产品进出口 贸易人员、政府产品质量监管人员、认证与检测机构技术人员参考，还可作为高等院校光电、半导体专业学生的参考用书。
《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（上册 第2册）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）；III、V、VI族元素特性的实验数据（C）；各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）；各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）；以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。
本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基GaNLED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。 本书可用作高等学校半导体、微电子、光电子、材料科学与工程等学科专业的教辅用书；也可供上述相关领域，特别是Si基GaN材料及芯片领域的科研工作者及从业人员参考。
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中 常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。
《LED照明设计与检测技术》内容涵盖LED的基础知识及LED照明灯具的设计和检测。《LED照明设计与检测技术》首先对LED灯珠的主要参数、功能名称、特点、应用、封装、内部结构等知识进行介绍；接下来介绍了LED室内照明产品，如LED荧光灯、LED射灯、LED吸顶灯、LED球泡灯等的设计与检测方法、性能要求；结合当前LED照明发展，还介绍了室外或商业照明的产品，如LED路灯、LED投光灯、LED隧道灯、LED工矿灯等产品的设计与检测方法、性能要求；然后将作者多年LED照明设计经验与实用技巧逐一进行介绍,同时也介绍在生产或设计中的检测方法，让读者通过对本书相关内容的阅读，达到举一反三的效果。《LED照明设计与检测技术》理论联系实践，图文并茂、深入浅出，具有较强的实用性、参考性，适合从事LED研发、生产和应用的工程技术人员阅读，同时也可以作为LED爱好者、初
LED照明具有耗电少、寿命长、色彩丰富、耐震动、可控性强等特点。近几年，LED照明产业发展迅速，在不同领域均具有较强优势。随着我国产业结构调整、发展方式转变进程的加快，LED照明产业迎来了新的发展机遇。 文尚胜主编的《LED照明应用技术（本科）》由经验丰富的高校教师和企业技术人员共同编写，通过大量的插图与表格系统介绍了LED照明光学设计技术、LED散热设计技术、LED驱动设计技术、LED智能照明控制技术、LED照明设计技术、LED灯具测试技术、LED照明的其他技术及应用等。内容翔实丰富、简明实用，同时具备理论性和实操性。本书可作为本科院校相关专业高年级学生和研究生的教材和参考书，也可作为照明制造业从业人员的培训参考资料，而且对希望系统全面了解LED照明应用技术的人士而言，也将是一部不可多得的专业读物。
