本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基GaNLED材料与芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术，并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。 本书可用作高等学校半导体、微电子、光电子、材料科学与工程等学科专业的教辅用书；也可供上述相关领域，特别是Si基GaN材料及芯片领域的科研工作者及从业人员参考。
半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性，获取有效数据，是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。袁益让、刘蕴贤著的《半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用(精)》主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法，半导体问题的区域分裂和局部加密网格方法，半导体瞬态问题的块中心差分方法等经典理论部分，以及半导体问题的混合元一特征混合元方法、混合元一分数步差分方法、半导体瞬态问题的有限体积元方法、半导体问题的混合有限体积元一分数步差分方法、电阻抗成像的数值模拟方法和半导体问题数值模拟的间断有限元方法等现代数值模拟方法和技术。 本书可作为信息与计算数学、数学与应用数学、计算机软件、
本书共8章。第1章介绍滤波器的发展史，着重分析射频滤波器的种类及体声波滤波器的研发进展。第2章和第3章从体声波滤波器的物理基础出发，基于声波的传输理论与材料的压电理论推导出器件仿真模型，并以两款体声波滤波器的设计案例介绍设计方法的应用，展现关键影响因素在设计过程中的调整规律。第4～6章依次介绍了AIN薄膜的制备与表征方法、体声波滤波器的关键制备工艺与封装技术，结合本书作者团队的研究成果，表明了单晶AlN体声波滤波器（SABAR）技术路线较多晶AIN路线的优势。第7章着重介绍体声波滤波器在民用通信、国防、传感及医学领域的应用。第8章分析与展望了体声波滤波器的前沿技术，涉及SABAR滤波器、温度补偿型体声波滤波器、四工器、XBAR、YBAR等。 本书可作为射频通信、芯片制造、半导体等行业从业人员，特别是研发人员的参考书
随着 的集成电路工艺节点不断向纳米级推进，对半导体纳米器件的研究就显得越发重要。本书详细介绍了半导体纳米器件的物理学原理、结构、制造工艺及应用等内容。开篇介绍了这一研究领域在过去几十年的发展；前半部分重点介绍电子纳米器件，包括准一维电子气、强电子相关的测量、量子点的热电特性、单电子源、量子电流标准、电子量子光学、噪声测量、拓扑 缘体纳米带、硅量子比特器件等；后半部分介绍光电子纳米器件，包括半导体量子点单光子源的电学控制、量子点太阳能电池、量子点激光器、纳米线激光器，以及氮化物单光子源等内容。 本书可供半导体器件、材料、物理相关科研人员和工程技术人员阅读参考，也可作为高校相关专业的拓展学习资料。
本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用，内容集学术性与实用性为一体。全书共12章，内容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论，InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析，LED的应用， 介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
《半导体物理性能手册(第1卷)(英文版)》系Springer手册精选原版系列。《半导体物理性能手册(第1卷)(英文版)》主要包括Diamond（C）、Silicon（Si）、Germanium（C）、Gray Tin（a—Sn）、Cubic Silicon Carbide（3C—SiC）、Hexagonal Silicon Carbide（2H—，4H—，6H—SiC，etc.）、Rhombohedral Silicon Carbide（15R—，21R—，24R—SiC，etc.）等内容。
本书涵盖了实现半导体太阳电池数值分析所需的器件物理模型、数据结构、数值算法和软件实施等四部分内容，着重于物理模型的来龙去脉、数据结构的面向对象、数值算法的简洁高效、软件实施的完整详尽， 终方便读者快速开发面向自己工作的数值分析工具。本书建立在作者20年来从事III-V族多结太阳电池器件物理与制备技术的经验基础上，相关内容是十几年来开发具有自主知识产权的多异质结太阳电池数值分析软件工作的总结与提炼，部分内容作为上海航天技术研究院研究生的专业课讲授过。
本书为“低维材料与器件丛书”之一。过去二十多年，半导体纳米线因其独特结构与优异性能引起了世界各国科学家的高度关注与广泛研究，半导体纳米线功能器件在不同领域都展现出巨大的前景。本书基于作者多年的科研工作，并结合 外的 研究进展，系统介绍了半导体纳米线功能器件的研究成果。内容涵盖了从半导体纳米线功能器件的发展现状和加工技术、不同功能器件的研究进展、多场耦合调控到损伤与服役行为研究。对基于半导体纳米线的电子器件、发光器件、光电转换器件、力电转换器件、传感器件等代表性功能器件进行了详细介绍。本书对半导体纳米线功能器件的发展具有重要的推动意义与学术参考价值。 本书同时涵盖了半导体纳米线功能器件研究的基础知识与 进展，既可以作为高等院校相关学科研究生和高年级本科生的专业学习参考用书，
本书为“低维材料与器件丛书”之一。过去二十多年，半导体纳米线因其独特结构与优异性能引起了世界各国科学家的高度关注与广泛研究，半导体纳米线功能器件在不同领域都展现出巨大的前景。本书基于作者多年的科研工作，并结合 外的 研究进展，系统介绍了半导体纳米线功能器件的研究成果。内容涵盖了从半导体纳米线功能器件的发展现状和加工技术、不同功能器件的研究进展、多场耦合调控到损伤与服役行为研究。对基于半导体纳米线的电子器件、发光器件、光电转换器件、力电转换器件、传感器件等代表性功能器件进行了详细介绍。本书对半导体纳米线功能器件的发展具有重要的推动意义与学术参考价值。 本书同时涵盖了半导体纳米线功能器件研究的基础知识与 进展，既可以作为高等院校相关学科研究生和高年级本科生的专业学习参考用书，
半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性，获取有效数据，是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。袁益让、刘蕴贤著的《半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用(精)》主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法，半导体问题的区域分裂和局部加密网格方法，半导体瞬态问题的块中心差分方法等经典理论部分，以及半导体问题的混合元一特征混合元方法、混合元一分数步差分方法、半导体瞬态问题的有限体积元方法、半导体问题的混合有限体积元一分数步差分方法、电阻抗成像的数值模拟方法和半导体问题数值模拟的间断有限元方法等现代数值模拟方法和技术。 本书可作为信息与计算数学、数学与应用数学、计算机软
