辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

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垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一，也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法，较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书，读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

半导体行业现在是世界上最大、最有价值的行业之一，与我们的生活、工作和学习密切相关。这本书是为非专业人士提供的科技指南，介绍与半导体有关的各种基础知识，包括物理、材料和电路，分立元件和集成电路系统、应用

本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。

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速率方程理论是从微观唯象观点，以唯象参数为工具，以粒子数守恒为依据的速率方程为分析手段的半导体激光器件物理理论，从全局上揭示半导体激光器的激射阈值相变、模式的竞争、谱系结构等静态行为和激射延迟、过冲、振荡过渡等瞬态行为，大小信号调制的方式方法及其速率、动态频谱结构、动态单模化、光模注入锁定、激光的双稳态、自脉动、分叉、混沌、量子噪声和谱线展宽，载流子在量子阱、量子线、量子点等量子低维结构中的捕获和逃逸等动力学行为及其物理机制。其任务是挖掘激光器件的潜能，发现和提出可能的新器件或新性能新应用，提出优化器件现有性能等的器件设计方案。 郭长志编著的《半导体激光器速率方程理论(上半导体激光器设计理论)(精)》论述既重基础又涉前沿，既重物理概念又重推导编程演算，适合有关专业的大学高年级

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随着芯片集成度的增加，以硅芯片光互连为特征的硅基光电集成是微电子发展方向之一，其关键瓶颈问题是硅基光源材料与器件。同时，硅基光电子在生物、显示等领域还有重要应用前景。因此，该领域一旦突破，将对未来信息产业的发展产生重大影响。本书在阐述硅基发光材料和器件的基本原理的基础上，重点阐述 外的**研究进展。本书主要包括：硅基光电子与发光材料的总体概述；硅基杂质与缺陷发光；硅基纳米材料与发光器件；稀土离子掺杂的硅基电致发光器件；硅基量子点发光材料与器件；硅基量子阱和能带调控发光材料与激光器件；硅基氧化物半导体薄膜发光器件；硅基ⅢⅤ族化合物半导体发光材料与器件；硅基有机发光材料与器件；硅基光波导和光电集成。

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本书从半导体激光学科的科学意义与战略价值、发展趋势和特点、 外发展态势、发展思路和发展方向、发展机制与政策建议等方面系统地研究了高功率、高光束质量半导体激光学科及产业的发展规律，并结合 的实际情况为我国高功率、高光束质量半导体激光学科及产业的发展提出了相关建议。

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