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    • 半导体激光器理论基础
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    • 杜宝勋 /2024-04-01/ 科学出版社
    • 本书针对半导体激光器,强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括:光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。

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    • 半导体的检测与分析(第二版)
    •   ( 129 条评论 )
    • 许振嘉 /2024-12-01/ 科学出版社有限责任公司
    • 本书的内容与1984年第一版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章,包括引论,半导体的高分辨X射线衍射,光学检测与分析,表面、薄膜成分分析,扫描探针显微学在半导体中的运用,透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例,同时附有大量参考文献和常用的数据,以便读者进一步参考和应用。

    • ¥60.8 ¥98 折扣:6.2折
    • 宽禁带半导体电子材料与器件
    •   ( 139 条评论 )
    • 沈波,唐宁 /2024-03-01/ 科学出版社
    • 宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质,不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性,而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系,在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件,从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

    • ¥97.5 ¥150 折扣:6.5折
    • 半导体器件电离辐射总剂量效应
    •   ( 45 条评论 )
    • 陈伟何宝平姚志斌马武英 /2023-12-01/ 科学出版社
    • 辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对,长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种,会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加,甚至功能失效,因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量效应问题。本书主要介绍空间辐射环境与效应、体硅CMOS器件电离辐射总剂量效应、双极器件电离辐射总剂量效应、SOI器件电离辐射总剂量效应、电离辐射总剂量效应模拟试验方法、MOS器件电离辐射总剂量效应预估、纳米器件电离辐射总剂量效应与可靠性、系统级电离辐射总剂量效应等内容。

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    • 垂直腔面发射激光器--原理制备及测试技术
    •   ( 5 条评论 )
    • 范鑫烨//白成林//张丙元//姜夕梅... /2019-03-01/ 科学
    • 垂直腔面发射激光器是半导体激光器的重要成员之一,也是光纤通信领域里的一个研究热点。本书全面阐述了垂直腔面发射激光器的基础理论、外延技术、制备工艺及测试方法,较为系统、完整地介绍了垂直腔面发射激光器的种类、性能指标、应用以及未来的发展趋势。通过阅读本书,读者可以全面了解相关的前活技术和应用前景。

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    • 半导体中的自旋物理学
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    • 姬扬 /2024-09-01/ 科学出版社有限责任公司
    • 本书是由M.I.Dyakonov教授主编的一本关于半导体中的自旋物理学的图书,共13章,每一章都是由从事该方向研究多年、长期处于研究前沿的专家撰写的,详尽描述了半导体自旋物理学当前研究的全貌。首先概述了半导体物理学和自旋物理学的基本知识(第1章);然后讨论了量子阱和量子点中自由载流子和激子的自旋动力学(第2-4章);第5章详细介绍了研究半导体自旋电子学的光学实验方法,包括时间分辨荧光光谱、时间分辨法拉第/克尔旋转谱以及一种新测量技术--自旋噪音谱;第6章讨论了载流子的自旋动力学,而第7章研究了硅材料中受限电子的自旋性质;第8-9章讨论了自旋流与电荷流之间的关系;第10章专门讲述自旋注入问题;第11-12章详尽叙述了电子和原子核之间的超精细相互作用;第13章也就是最后一章讨论了稀磁性半导体的基本物理性质和光学性质。这是一本非常好的

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    • 半导体湿法刻蚀加工技术
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    • 陈云,陈新 /2024-03-01/ 科学出版社
    • 本书全面阐述了半导体刻蚀加工及金属辅助化学刻蚀加工原理与工艺,详细讲述了硅折点纳米线、超高深径比纳米线、单纳米精度硅孔阵列三类典型微/纳米结构的刻蚀加工工艺,并对第三代半导体碳化硅的电场和金属辅助化学刻蚀复合加工、第三代半导体碳化硅高深宽比微槽的紫外光场和湿法刻蚀复合加工工艺进行了详细论述。

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    • 半导体物理学
    •   ( 335 条评论 )
    • 黄昆,谢希德 /2024-04-01/ 科学出版社
    • 本书比较全面地介绍了有关半导体物理原理的基础知识. 内容包括:半导体中电子的运动状态,统计原理,在电磁场以及在有温差时的各种输运过程,光吸收和光电导的现象,非平衡载流子的运动,表面和接触的现象, pn 结的原理.

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    • 垂直型GaN和SiC功率器件
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    • [日] 望月 和浩Kazuhiro Mochizuki) /2022-07-01/ 机械工业
    • 近年来.以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发 瞩目.第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业.已成为 半导体领域的重点研究方向.本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术.内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较.GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性.以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等.本书适合从事GaN和SiC功率半导体技术的科研工作者、工程师阅读.也可作为高等院校微电子科学与工程、电力电子技术等相关专业的教材.

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    • 图解入门——半导体工作原理精讲
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    • [日]西久保靖彦 /2024-04-01/ 机械工业
    • 这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章,包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、产业形态;第2章的理解导体、 缘体和半导体的区别,以及P型半导体和N型半导体的特性;第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、CMOS等;第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读,也可以作为相关企 人员的科普读物。

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    • 半导体干法刻蚀技术(原子层工艺)/集成电路科学与工程丛书
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    • (美)索斯藤·莱尔|责编:刘星宁|译者:丁扣宝 /2023-09-01/ 机械工业
    • 集成电路制造向几纳米节点工艺的发展,需要具有原子级保真度的刻蚀技术,原子层刻蚀(ALE)技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》主要内容有:热刻蚀、热各向 ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等,探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术,涵盖了定向和各向 ALE的全新研究和进展。《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例,例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀,有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 《半导体干法刻蚀技术:原子层工艺》概念清晰,资料丰富,内容新颖,可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书,也可供相关领域的工程技术人员参考。

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    • 半导体数据手册:下册
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    • (德)马德朗 主编 /2014-03-01/ 哈尔滨工业大学出版社
    • 马德朗编著的《半导体数据手册(附光盘下)/Springer手册精选原版系列》内容涉及四面体键的化合物特性的实验数据,三、四、五、六族元素特性的实验数据,各族元素的二元化合物特性的实验数据,各族元素的三元化合物特性的实验数据以及硼,过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据等主要方面,以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂志和缺陷等。对于必要的背景知识和近期的发展均有较为完整和详细的阐述,适合不同层次的群体用于学习和研究。本册23章包括更多元素,更多二元化合物,更多三元化合物。

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    • 正版书籍 宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路 赵正平等著,王小谟,左群声 编 国防工业出版社
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    • 赵正平等著,王小谟,左群声 编 /2017-12-01/ 国防工业出版社
    • 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的新进展与实用制备技术。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》共5章:章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用;第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料,包括SiC和GaN单晶、SiC的同质外延生长、GaN的异质外延生长;第3章介绍SiC高频功率器件,包括SiC功率二极管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO;第4章介绍GaN微波功率器件与电路,包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N极性GaN HEMT;第5章介绍正在发展中的固态新型器件,包括太赫兹器件、金刚石器件和二维材料器件。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》可供从事宽禁带半导体和雷达、通信、电子对抗以及电力电子应用等领域的科研人员参考。

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    • 宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色
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    • 王凯悦 /2021-07-01/ 科学
    • 金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点,被认为是新一代理想的半导体材料,制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上,本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性,并在此基础上构建缺陷结构模型,揭示光致变色机理。

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    • 宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色
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    • 王凯悦 /2021-07-01/ 科学
    • 金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点,被认为是新一代理想的半导体材料,制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上,本书系统地介绍金刚石本征缺陷与杂质缺陷的光致发光特性,并在此基础上构建缺陷结构模型,揭示光致变色机理。

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    • 图解入门
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    • [日]原明人 /2025-01-01/ 机械工业
    • 本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应,逐步揭示量子世界的奥秘。接着,通过能带理论和半导体能带结构的解析,阐明了半导体材料的电子行为。此外,还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。 ,探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富,结构清晰,能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。 本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。

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    • 宽禁带功率半导体封装——材料、元件和可靠性
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    • [日]菅沼克昭Katsuaki Suganuma) /2024-10-01/ 机械工业
    • 本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先,对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断,讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性,包括其独特的物理和化学属性,以及它们在 环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性,分别就互连技术和衬底展开论述,同时,介绍了磁性材料,并对不同材料结构的热性能,以及冷却技术和散热器设计进行了介绍。然后,考虑到功率器件的质量必须通过各种测试和可靠性验证方法来评估,还介绍了瞬态热测试的原理和方法,同时阐述了各种可靠性测试的机理和选择动机。 ,就计算机辅助工程模拟方法列举了许多经典案例。 通过本书的学习,读者可以建立起宽禁带功率半导体器件封装的全面概念,为进一步深入研究打下基础。本书可作为封装或微电子等专业的高年级本科生和研究生的课

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    • 图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲
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    • [日]可靠性技术丛书编辑委员会 /2024-02-01/ 机械工业
    • 本书共分为4章,内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏,用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题,这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试,题型为5选1,希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括:半导体器件工艺及器件的相关技术人员,可靠性技术人员,失效分析技术人员,试验、分析、实验的负责人,以及大学生、研究生等。因此,罗列的内容层次从基础介绍到 研究,覆盖范围较广。

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    • 半导体工程导论
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    • [美]杰西鲁兹洛Jerzy Ruzyllo) /2022-02-01/ 机械工业
    • 《半导体工程导论》第1章概述了半导体区别于其他固体的基本物理特性,这些特性是理解半导体器件工作原理的必要条件。第2章回顾了半导体材料,包括无机、化合物、有机半导体材料。同时,第2章也介绍了有代表性的 缘体和导体的材料,它们是构成可以工作的半导体器件和电路所 的组成部分。而这些器件和电路是在第3章概述的。第4章是关于半导体工艺的基础知识,并且用通俗的语言讨论了半导体制造中使用的方法、设备、工具和介质。在概述了半导体工艺技术之后,第5章讨论了主流半导体制造工艺中涉及的各单步工艺。第6章简要概述了半导体材料和工艺表征的基本原理。 《半导体工程导论》适合半导体工程及相关领域的学生、研究人员和专业人士阅读。

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