光子学是与电子学平行的科学.半导体光子学是以半导体为介质的光子学,专门研究半导体中光子的行为和性能,着重研究光的产生？传输？控制和探测等特性,进一步设计半导体光子器件的结构,分析光学性能及探索半导体光子系统的应用.本书分为13章,包括光子材料？异质结构和能带？辐射复合发光和光吸收？光波传输模式;超晶格和量子阱？发光管？激光器？探测器？光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理;器件结构和特性以及光子晶体？光子集成等方面.作者在中国科学院大学(原研究生院)兼职教学18年,本书以该课程的讲义为基础历时3年写成,力求对半导体光子学的基本概念？光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和讨论,尽可能地提供明晰的物理图像和翔实的数据与图表.
本书共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。 本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到 研究，覆盖范围较广。
本书沿半导体全产业链的发展历程，分基础、应用与制造三条主线展开。其中，基础线主要覆盖与半导体材料相关的量子力学、凝聚态物理与光学的一些常识。应用线从晶体管与集成电路的起源开始，逐步过渡到半导体存储与通信领域。制造线以集成电路为主展开，并介绍了相应的半导体材料与设备。 三条主线涉及了大量与半导体产业相关的历史。笔者希望能够沿着历史的足迹，与读者一道在浮光掠影中领略半导体产业之全貌。 本书大部分内容以人物与公司传记为主，适用于 大多数对半导体产业感兴趣的读者；部分内容涉及少许与半导体产业相关的材料理论，主要为有志于深入了解半导体产业的求职者或从业人员准备，多数读者可以将这些内容略去，并不会影响阅读的连续性。
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。
《稀土在半导体光催化材料中的应用》总结了作者近年来关于轻稀土在半导体光催化材料应用方面的研究工作，同时对近年来国内外在二氧化钛光催化及稀土在光催化材料中的应用研究现状进行了综述。全书内容共8 章，分别
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
集成电路制造向几纳米节点工艺的发展，需要具有原子级保真度的刻蚀技术，原子层刻蚀（ALE）技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术：原子层工艺》主要内容有：热刻蚀、热各向 ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等，探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术，涵盖了定向和各向 ALE的全新研究和进展。《半导体干法刻蚀技术：原子层工艺》以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例，例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀，有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 《半导体干法刻蚀技术：原子层工艺》概念清晰，资料丰富，内容新颖，可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
传统软钎料合金在微电子工业中已得到了广泛的应用，然而软钎料合金已经不能满足第三代宽禁带半导体（碳化硅和氮化镓）器件的高温应用需求。新型银烧结/铜烧结技术和瞬态液相键合技术是实现高温器件可靠连接的关键技术，该技术对新能源电动汽车、轨道交通、光伏、风电以及国防等领域具有重要意义。本书较为全面地介绍了当前用于高温环境下的芯片连接所涉及的新型互连材料的理论基础、工艺方法、失效机制、工艺设备、质量控制与可靠性。 本书可作为功率电子领域材料、工艺和可靠性工程师的参考书，也可作为高校相关专业的教材。
本书从历史的角度对半导体物理学的发展及半导体设备和应用程序的发展提供了迷人的概述。本书内容涵盖了该学科从上世纪成立之初到新千年的发展，用一种可读性强的、非正式的写作方式，一方面，它强调纯科学、材料、设备和商业推拉之间的相互作用；另一方面，它还阐述了各种半导体装置的发展背景和系统要求，以及说明这些发展是如何顺应消费者需求的。本书适合物理、电气工程、材料科学等专业领域的教师、学生、从业人员，以及非专业的科学爱好者。
近年来.以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发 瞩目.第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业.已成为 半导体领域的重点研究方向.本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术.内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较.GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性.以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等.本书适合从事GaN和SiC功率半导体技术的科研工作者、工程师阅读.也可作为高等院校微电子科学与工程、电力电子技术等相关专业的教材.
《半导体工程导论》第1章概述了半导体区别于其他固体的基本物理特性，这些特性是理解半导体器件工作原理的必要条件。第2章回顾了半导体材料，包括无机、化合物、有机半导体材料。同时，第2章也介绍了有代表性的 缘体和导体的材料，它们是构成可以工作的半导体器件和电路所 的组成部分。而这些器件和电路是在第3章概述的。第4章是关于半导体工艺的基础知识，并且用通俗的语言讨论了半导体制造中使用的方法、设备、工具和介质。在概述了半导体工艺技术之后，第5章讨论了主流半导体制造工艺中涉及的各单步工艺。第6章简要概述了半导体材料和工艺表征的基本原理。 《半导体工程导论》适合半导体工程及相关领域的学生、研究人员和专业人士阅读。
本书基于当前半导体行业制造过程中存在的问题，介绍了多种改进的批间控制和过程监控算法及其性能。第1章为半导体制造过程概述，包括 外研究现状和发展趋势。第2、3章介绍批间控制、控制性能和制造过程监控。第4～7章讨论机台干扰、故障、度量时延对系统性能的影响，提出多种批间控制衍生算法，包括双产品制程的EWMA批间控制算法、变 因子EWMA批间控制算法、偏移补偿批间控制算法、基于T-S模糊模型的批间控制算法。第8～11章介绍半导体制造过程的性能和过程监控方法，包括：设计模型评价指标进行建模质量评估；提出基于时间序列模型的批间控制系统过程监控方法，进一步提出二维动态批次过程的建模和稳定性评价指标；提出基于数据的故障预测方法。
《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》重点介绍了SiC和GaN宽禁带半导体高频开关和微波功率器件与电路的新进展与实用制备技术。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》共5章：章介绍电力电子和固态微波器件的发展及其在雷达领域的应用；第2章介绍SiC和GaN宽禁带半导体材料，包括SiC和GaN单晶、SiC的同质外延生长、GaN的异质外延生长；第3章介绍SiC高频功率器件，包括SiC功率二极管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介绍GaN微波功率器件与电路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N极性GaN HEMT；第5章介绍正在发展中的固态新型器件，包括太赫兹器件、金刚石器件和二维材料器件。 《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》可供从事宽禁带半导体和雷达、通信、电子对抗以及电力电子应用等领域的科研人员参考。
本书在介绍半导体照明器件——发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光%26nbsp;电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统
