光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。特别是在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律（器件集成度每两年左右翻一番）得以继续。本书覆盖现代光刻技术的主要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺，内容直接取材于国际先进集成电路制造技术，为了保证先进性，特别侧重于 32nm 节点以下的技术。书中引用了很多工艺实例，这些实例都是经过生产实际验证的，希望能对读者有所启发。

本书介绍了人工智能芯片相关的基础领域知识，分析了人工智能处理面临的挑战，由此引出全书的重点：人工智能芯片的架构设计、数据复用、网络映射、存储优化以及软硬件协同设计技术等领域前沿技术。书中还讨论了最新研究成果，并辅以实验数据进行比较分析，最后展望了人工智能芯片技术的发展方向。

《射频集成电路设计》主要介绍射频模拟电路的基础知识以及设计时应该考虑的技术要点，内容涉及噪声、低噪声放大器、混频器、压控振荡器、锁相环、模拟基带、接收机的设计、发射机的设计。此外，在各电路设计中通过公式来说明其基本原理，并尽可能给出推导过程。再进一步，介绍了为改善以往射频模拟电路的缺点而开发的射频电路技术的原理，为学习射频集成电路设计的技术人员提供了开发指引。

本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。本书共分为6章，分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM 单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容，读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知，了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。

本书主要介绍微/纳机电系统(MEMS/NEMS)谐振器动力学设计理论、分析方法及应用技术。全书共9章，主要内容包括：MEMS/NEMS技术基础和MEMS/NEMS谐振器技术的发展历程与发展趋势；谐振器的工作原理、谐振结构设计理论及分析技术；谐振器件制备涉及的材料、微纳加工工艺及技术；谐振器中存在的丰富非线性现象和复杂动力学行为；微纳尺度下的能量耗散理论、阻尼特性、作用机制及测试方法；谐振器中应用的各种振动激励与检测原理及技术；通道式MEMS/NEMS谐振器检测原理、动力学设计与分析技术；微纳尺度下谐振器件的模态弱耦合作用机制、谐振器设计及传感技术；谐振器中存在的典型失效模式与失效机理，以及多种可靠性评估方法和测试技术。

集成微波光子技术通过微波光子器件的集成，可显著降低微波光子系统的体积、质量和功耗，是微波光子学的主要发展方向之一。《集成微波光子技术》系统介绍集成微波光子芯片的原理设计、芯片制备和封装测试技术，并对面向微波光子信号产生、处理和传输等不同功能的集成微波光子芯片的研究进展进行了详细的梳理和总结。

《忆阻类脑计算》阐述基于忆阻器的神经网络设计与实现，主要包括基于忆阻器的仿生突触与仿生神经元实现方案、采用模拟值和脉冲编码的神经网络算法原理与忆阻交叉阵列实现方案、卷积神经网络算法原理与忆阻交叉阵列实现方案、全光神经网络算法原理与基于忆阻器光学特性的实现方案、忆阻阵列在稀疏编码等其他与神经网络架构相似的应用实现等内容。

随着集成电路技术的发展，嵌入式存储器在片上系统上所占的比重越来越大，嵌入式存储器对于系统性能的提升和功耗的优化作用越来越关键。本书系统介绍当前主流的嵌入式存储器和近年兴起的新型嵌入式存储器，前者包括 SRAM、eDRAM和eFlash，后者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。在内容安排上，本书侧重介绍各类嵌入式存储器的单元结构、阵列、电路技术以及应用。

《硅基射频集成电路和系统》以硅基射频集成芯片系统为核心，介绍射频电路和系统基础、射频集成电路基本理论和设计方法，以及国内外硅基射频集成电路和系统技术的*新进展。《硅基射频集成电路和系统》分为射频电路和系统设计基础知识、射频收发机集成电路技术和面向特定应用的射频集成电路与系统技术三个部分。**部分主要包括射频电路和系统基础与高频器件及模型；第二部分主要包括射频收发通道和频率综合器的关键电路技术；第三部分面向低功耗物联网、可重构射频系统和毫米波雷达等应用介绍相关射频集成电路与系统技术。

本书由Veena S. Chakravarthi博士倾力撰写，是超大规模集成电路设计领域入门者的综合指南。本书紧密结合行业前沿动态，系统梳理了SoC设计的全流程，涵盖从基础概念到复杂芯片开发的各个环节。书中不仅详细介绍了SoC的定义、组成、设计策略和开发周期，还深入介绍了逻辑设计、硬件描述语言、综合与静态时序分析、可测试性设计、设计验证、物理设计与验证及封装等各个环节，涵盖了SoC设计所需的全部关键步骤，内容丰富且系统。本书以实例设计为主，丰富的设计案例和参考实例可帮助读者更好地理解和应用所学知识。 本书适合电子、电气、计算机科学等相关专业的学生，以及VLSI设计领域的初学者和从业者，可帮助他们掌握必 备技能，应对行业挑战。

本书共19章，涵盖先进集成电路工艺的发展史，集成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件参数与工艺相关性，DFM（Design for Manufacturing），集成电路检测与分析、集成电路的可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装等内容。再版时加强了半导体器件方面的内容，增加了先进的FinFET、3D NAND存储器、CMOS图像传感器以及无结场效应晶体管器件与工艺等内容。

《高密度电路板技术与应用》是 PCB先进制造技术 丛书之一。《高密度电路板技术与应用》针对电子产品小型化、多功能化带来的IC节距减小、信号传输速率提高、互连密度提高、线路长度局部缩短，讲解高密度线路及微孔制作技术。 《高密度电路板技术与应用》共15章，分别介绍了高密度互连技术的演变，高密度电路板的结构、特性、材料、制程，以及线路与微孔制作工艺、表面处理、电气测试、质量评价；还介绍了埋入式元件、先进封装与系统封装等前沿技术。

本书将全新的穿越方程和高频电磁场结构仿真软件(HFSS)相结合，对各类微波铁氧体器件进行了仿真设计。列举了各种结构的环行器、隔离器的设计范例，探索了获得高性能、高稳定性和高可靠性的设计途径，对其非互易性应用穿越方程进行了深入探讨；对各类变场器件如移相器、开关进行了仿真设计，应用穿越方程对其非互易相移、开关相移(或差相移)和磁化相移进行计算，提供了有效设计数据；对幅/相可控类器件如变极化器和全极化器介绍了多种实施方案，给出了仿真设计结果，理论上对法拉第旋转和变极化机制进行了探讨，用穿越方程计算了双模器件的变极化系数。在设计层面上具有一定的创新性；从旋磁理论层面上，给出了各类器件各种形式的三维电磁场穿越方程，弥补了经典旋磁器件理论中**方程的局限性。

后摩尔时代将硅通孔（through silicon via，TSV）技术等先进集成封装技术作为重要发展方向。本书系统介绍作者团队在TSV三维集成方面的研究工作，包括绪论、TSV工艺仿真、TSV工艺、TSV三维互连电学设计、三维集成微系统的热管理方法、三维集成电学测试技术、TSV转接板技术、TSV三维集成应用、发展趋势。为了兼顾全面性、系统性，本书综述国内外相关技术进展。

全书主要介绍了集成电路中与等离子体设备相关的内容，具体包括集成电路简史、分类和发展方向以及面临的挑战，气体放电的基本原理和典型应用、等离子体刻蚀工艺与设备、等离子体表面处理技术与设备、物理气相沉积设备与工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺与设备、高密度等离子体化学气相沉积工艺与设备、炉管设备与工艺等。

本书将超大规模集成电路（Very Large Scale Integration，VLSI）中物理设计流程中的总体布线问题与Steiner 小树算法相结合，构建了多种有效的布线算法。本书分为8章，各章内容具体安排如下。 第1章介绍VLSI布线问题的基本知识；第2章介绍直角结构Steiner 小树的构建算法；第3章介绍绕障直角结构steiner 小树的构建算法；第4章介绍考虑障碍中布线资源重利用的直角结构steiner 小树的构建算法；第5章介绍直角结构总体布线算法；第6章介绍直角结构VLsI层分配算法；第7章介绍基于轨道分配的详细布线算法；第8章介绍FPGA布线算法。 本书主要面向计算机科学、自动化科学、人工智能等相关学科专业高年级本科生、研究生以及广大研究计算智能的科技工作者。

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的 进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 本书自出版以来得到了 外读者的好评和青睐，被许多 知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名 公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

本书从实用角度出发，结合企业实际设计项目，使学生掌握电路绘制及电路板设计过程。内容包括三音电子门铃版图设计、电池充电器电路版图设计、硬盘信号控制模块电路版图设计、双频无线话筒接收器电路版图设计、串行接口电路设计等内容。本书打破了传统的学科式教材模式，所选项目都是由企业专家和工程师从上百个项目中精挑细选的，具有很强的代表性，能够 覆盖课程的知识点和技能点。

铁电负电容场效应晶体管 针对后摩尔时代集成电路产业日益严重的功耗问题，简要介绍芯片功耗、工作电压和场效应晶体管亚阈值特性的关系，并通过解析铁电负电容场效应晶体管陡峭亚阈值特性工作机理，阐明铁电负电容场效应晶体管技术对于突破后摩尔时代功耗瓶颈的关键作用。为明确铁电负电容场效应晶体管领域的发展现状，本书讲述该领域各个方面的代表性研究成果，一方面阐述已经取得的成果，另一方面希望通过剖析亟待解决的关键技术问题，指明未来发展方向。 本书主要内容包括氧化铪基铁电材料，铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程、基本电学特性、电容匹配原则、负微分电阻（NDR）效应以及频率响应特性等。此外，本书还详细阐述了铁电负电容效应存在性研究及其本质探索的相关内容。 本书是一本理论与实践并重的专业技术

本书从数字集成电路测试与可测性设计的基本概念出发，系统介绍了数字集成电路测试的概念、原理及方法。主要内容包括：数字集成电路测试基础、测试向量生成、可测性设计与扫描测试、边界扫描测试、内建自测试、存储器

本书是集成电路领域相关专业的一本入门教材，主要介绍与集成电路设计相关的基础知识。全书共分10章，以集成电路设计为核心，全面介绍现代集成电路技术。内容主要包括半导体材料与器件物理、集成电路制造技术、典型

《MEMS三维芯片集成技术》一书由微机电系统（MEMS）领域的 专家江刺正喜教授主编，对MEMS器件的三维集成与封装进行了全面而系统的探索，梳理了业界前沿的MEMS芯片制造工艺，详细介绍了与集成电路成熟工艺兼容的MEMS技术，重点介绍了已被广泛使用的硅基MEMS以及围绕系统集成的技术。主要内容包括：体微加工、表面微加工、CMOS MEMS、晶圆互连、晶圆键合和密封、系统级封装等。 本书全面总结了各类MEMS三维芯片的集成工艺以及目前 进的技术， 适合MEMS器件、集成电路、半导体等领域的从业人员阅读，为后摩尔时代半导体行业提供了发展思路以及研究方向，并且为电路集成和微系统的实际应用提供了一站式参考。