本书主要阐述真空电子学太赫兹源基本原理及相关技术，内容分为两部分共九章：第一部分是第1章至第7章，主要阐述太赫兹史密斯-珀塞尔辐射源、超短电子束团的太赫兹辐射源、行波管、返波管、扩展互作用速调管、回旋管的基本原理，以及新型太赫兹辐射源的方法和相关研制成果、实验等，在此基础上，阐述了太赫兹源的基本应用。第二部分是第8章和第9章太赫兹真空电子器件相关技术，主要是阴极技术和微纳加工技术，分别介绍太赫兹阴极高发射机理及太赫兹微纳结构制备方法。

分子界面化学是唯象界面化学的发展方向，本书是在以分子问相互作用理论为基础，对界面现象作长期研究的基础上撰写而成的具有自己特色的分子界面化学理论的专著。 全书共八章，前四章为讨论分子界面化学的理论基础；后四章是分子界面化学理论对一些界面现象的应用。在理论基础方面着重介绍了物理界面在界面现象中所起的作用，提出了物理界面界面层模型，表面力等概念，讨论了物理界面界面层模型界面热力学与传统的界面热力学的异同之处。并应用统计力学讨论了Stefen公式、表面力、系统压力结构等内容。在这些界面现象理论基础中引入了分子理论，着重介绍了诱导力的计算，以此讨论了纯物质、溶液表面力与分子间相互作用力之间的关系。在界面现象方面讨论了润湿理论、表面相平衡理论和溶液表面现象理论；并在统计分析分布结构的气体压力

《自旋电子学导论(下卷)(精)》由工作在自旋电子学研究领域里的国内外50余位学者撰写而成。全书分两卷、共28章，各章均由该领域富有研究经验的知名专家负责，较全面地介绍和论述了目前自旋电子学研究领域中的各个重要研究方向及其进展，并重点关注自旋电子学的关键材料探索、物理效应研究及其原理型器件的设计开发和实际应用。本书适合物理(特别是自旋电子学)及相关领域的大学本科高年级学生、研究生、教师、工程师和科研工作者等参考阅读。

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。