由于高压直流在远距离大容量输电和系统联网方面的明显优势，使得它在我国电网建设中得到了广泛的应用。随着直流输电工程设计和设备制造全面国产化的实施，可供设计人员使用的直流工程设计手册类工具书，目前还是一个
《电力避雷器》(作者熊泰昌)在简洁、系统地叙述电力避雷器基础理论和特性计算的同时，从工厂制造、新产品研发、质量检测、用户选型与投运行后监测等一系列工程实际出发，详细介绍了避雷器的电气特性、典型结构和高压试验技术及专用试验回路的设计方法和与特性检测相关的其他测量技术；另外，还介绍了避雷器的维护检修方法、国内外产品的发展，并详述了运行中避雷器的监测和故障分析方法、智能电网中有关避雷器遥测、遥感的新技术等科研动态。 《电力避雷器》主要供从事过电压保护工作、电气成套设计选型和避雷器制造业的技术人员阅读，也可作为有关电力专业的师生学习、参考。
由于高压直流在远距离大容量输电和系统联网方面的明显优势，使得它在我国电网建设中得到了广泛的应用。随着直流输电工程设计和设备制造全面国产化的实施，可供设计人员使用的直流工程设计手册类工具书，目前还是一个
《高压放电与演示系统》是介绍高压技术中气体放电的基础理论和放电演示的书籍，内容包括：高压放电的基础理论，高压放电的演示。产生高压放电的电源装置，高电压技术中的安全等；在附录中还收录了球隙放电电压表。 20世纪末以来，我国的经济得到了空前的发展。在科教兴国的战略指导下，我国的科技教育事业日新月异，同时人们已经意识到，由于资源的有限性决定了竞争是不可避免的，而所有的竞争归根结底是人才的竞争，所以必须大力发展教育事业，提高教育水平。培养有理论水平，有的实践经验，有经济、法律常识等复合型人才给高等教育人才培养提出了新的挑战。现阶段有许多的大学都在争取成为世界大学，为国家培养世界人才努力奋斗。
由于高压直流在远距离大容量输电和系统联网方面的明显优势，使得它在我国电网建设中得到了广泛的应用。随着直流输电工程设计和设备制造全面国产化的实施，可供设计人员使用的直流工程设计手册类工具书，目前还是一个
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《高压放电与演示系统》是介绍高压技术中气体放电的基础理论和放电演示的书籍，内容包括：高压放电的基础理论，高压放电的演示。产生高压放电的电源装置，高电压技术中的安全等；在附录中还收录了球隙放电电压表。 20世纪末以来，我国的经济得到了空前的发展。在科教兴国的战略指导下，我国的科技教育事业日新月异，同时人们已经意识到，由于资源的有限性决定了竞争是不可避免的，而所有的竞争归根结底是人才的竞争，所以必须大力发展教育事业，提高教育水平。培养有理论水平，有的实践经验，有经济、法律常识等复合型人才给高等教育人才培养提出了新的挑战。现阶段有许多的大学都在争取成为世界大学，为国家培养世界人才努力奋斗。
《高压放电与演示系统》是介绍高压技术中气体放电的基础理论和放电演示的书籍，内容包括：高压放电的基础理论，高压放电的演示。产生高压放电的电源装置，高电压技术中的安全等；在附录中还收录了球隙放电电压表。 20世纪末以来，我国的经济得到了空前的发展。在科教兴国的战略指导下，我国的科技教育事业日新月异，同时人们已经意识到，由于资源的有限性决定了竞争是不可避免的，而所有的竞争归根结底是人才的竞争，所以必须大力发展教育事业，提高教育水平。培养有理论水平，有的实践经验，有经济、法律常识等复合型人才给高等教育人才培养提出了新的挑战。现阶段有许多的大学都在争取成为世界大学，为国家培养世界人才努力奋斗。
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
《先进的高压大功率器件－－原理特性和应用》共11章。章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断（GTO）晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）结构和基极电阻控制晶闸管（BRT）结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。0章介绍了发射极开关晶闸管（EST），该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导
肖如泉、王诗雪、何金良、阳然编写的《高压电工基础》是一本介绍高电压技术基础的书。从人们对高压电工技术的认识规律出发，了解 高电压技术在国民经济中的重要作用，《高压电工基础》从以下几方面进行介绍：绪论部分介绍了我 国高电压的一些情况；篇叙述了电力系统过电压的产生、传播规律和防 护；第二篇讲述了高电压绝缘，内容包括气体、液体、固体和组合绝缘；第三篇对高电 压试验技术作了较全面的介绍，并对一些新技术作了一些说明；第四篇介绍了高电压的 安全问题。 《高压电工基础》可作为高等学校电工类专业的教材，亦可供电工技术 人员参考。
肖如泉、王诗雪、何金良、阳然编写的《高压电工基础》是一本介绍高电压技术基础的书。从人们对高压电工技术的认识规律出发，了解高电压技术在国民经济中的重要作用，《高压电工基础》从以下几方面进行介绍：绪论部分介绍了我国高电压的一些情况；篇叙述了电力系统过电压的产生、传播规律和防护；第二篇讲述了高电压绝缘，内容包括气体、液体、固体和组合绝缘；第三篇对高电压试验技术作了较全面的介绍，并对一些新技术作了一些说明；第四篇介绍了高电压的安全问题。《高压电工基础》可作为高等学校电工类专业的教材，亦可供电工技术人员参考。
高压水射流清洗技术是一项新型清洗技术，该技术具有高效、节能、无污染、无腐蚀，设备通用性强，清洗成本低等特点。本书全面论述了高压水射流清洗技术的原理与特点、清洗装置、工艺方法与影响因素等；重点从工程应用角度，对高压水射流清洗技术在石油化工、造船工业、造纸工业、车辆清洗中的应用进行了讨论，对合理、优化应用高压水射流清洗技术和高效节能、节水型清洗装置的开发等进行了探讨；最后介绍了近年来国内外高压水射流清洗技术与装置的应用与进展。书中理论阐述简明扼要，注重反映工艺技术的实际应用和新技术、新工艺的发展。本书适合于清洗行业及相关工程领域的工程技术人员、大专院校等研究人员阅读，也可供有关科研部门的研究人员参考。
本书对建筑物和供配电系统的防雷与接地技术进行了较为详细的介绍。全书可分为两个主要部分：部分防雷保护部分，即雷电的基本知识，雷电过电压的分类和防护设备，电力装置和建筑物的防雷保护；第二部分接地技术部分，即供配电系统电气设备的接地，信息系统的接地，智能建筑的防雷接地，接地电阻，接地网的设计、施工与实例，接地装置的运行维护。本书可供从事电气设计、安装施工与技术开发工作的技术人员阅读，也可作为高等工科院校电气类相关专业学生的选修和参考书。
