本书全面、深入、系统地阐述了LED驱动电源设计的入门知识，并给出许多典型设计与应用实例。较之于靠前版，本书在内容上做了全面的修改与补充。全书共八章，内容主要包括LED及其驱动电源基础知识，LED驱动电源的基本原理，LED驱动电源的设计与应用指南，LED灯具保护电路的设计，从中、小功率到大功率及特大功率LED驱动IC的原理与应用。本书遵循先易后难、化整为零、突出重点和难点的原则，从LED驱动电源的基本原理，到LED驱动电源各单元电路的设计，再到整机电路设计，可帮助读者快速、全面、系统地掌握LED驱动电源的设计方法、设计要点及典型应用。

《半导体 封装技术》作者在半导体封装领域拥有40多年的研发和制造经验。《半导体 封装技术》共分为11章，重点介绍了 封装，系统级封装，扇入型晶圆级/板级芯片尺寸封装，扇出型晶圆级/板级封装，2D、2.1D和2.3D IC集成，2.5D IC集成，3D IC集成和3D IC封装，混合键合，芯粒异质集成，低损耗介电材料和 封装未来趋势等内容。通过对这些内容的学习，能够让读者快速学会解决 封装问题的方法。 《半导体 封装技术》可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。

《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》是一本实用而 的关于半导体芯片理论、制造和工艺设计的书籍。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》对半导体制造工艺和所需设备的解释是基于它们所遵守的基本的物理、化学和电路的规律来进行的，以便读者无论到达世界哪个地方的洁净室，都能尽快了解所使用的工艺和设备，并知道使用哪些设备、采用何种工艺来实现他们的设计和制造目标。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》理论结合实际，大部分的描述均围绕着实际设备和工艺展开，并配有大量的设备图、制造工艺示意图和半导体芯片结构图。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》主要包括如下主题：基本概念，例如等离子设备中的阻抗失配和理论，以及能带和Clausius-Clapeyron方程；半导体器件和制造设备的基础知识，包括直流和

本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性，以及功率应用中不同类型的器件结构，同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造，以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计，以及SiC和GaN功率器件的应用。 对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读，也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书。

本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。

丛书共计23分册，860余万字，以激光技术的进展为核心，围绕高功率、高亮度激光器，激光束的传输、控制以及在国防中的应用三个领域，系统且重点突出地介绍了现代激光技术的发展与应用。丛书包含现代激光技术的进展、关键科学技术问题，所有编写人员都是长期从事该领域研究并获得重要成果的研究人员，因此，书中不仅理论系统，还含有大量作者的心得体会、研究成果，实用价值很高，性强。 丛书可供从事激光技术研究的科研工作者和工程技术人员参考，同时对于物理学、光学、电子技术等专业的本科生、硕士及博士研究生来说，也是一套非常有价值的参考书。 丛书已由国防工业出版社公开出版发行，丛书码洋2099元/套。

本书讨论了在基底面上的自组装半导体量子点的侧向排列方法的几个策略，从纯粹自发排序机制，到以光刻定位为手段的强迫排列。本书同时讨论了长程和短程序，并指出了将来在单个芯片上集成单个量子点器件的可能方法。本

《第三代半导体产业人才发展指南》汇集了 20余家行业协会、产业协会、研究机构、高校等的学者、研究人员、产业人士、技术专家，全景解析了我国第三代半导体产业发展及人才状况，剖析了第三代半导体产业政策，并给出了第三代半导体产业从业人员能力体系、第三代半导体产业贯通人才培养体系、第三代半导体产业从业人员能力提升体系建设的指导方案。*后从宏观上剖析了第三代半导体产业 化人才培养和第三代半导体产业人才培养案例。

本书从光的特性入手，详细介绍了半导体材料光电特性以及光、电相互作用机制和基本物理过程，重点阐述了半导体太阳能电池、光电导器件、光电二极管、光电耦合器件、CMOS图像传感器、发光二极管和半导体激光器等半导体光电子器件的工作机制、基本物理过程、基本性能曲线、关键参数及影响器件性能的因素等。 本书既可作为微电子、光电子及相关学科的硕士研究生、本科生的学习用书，又可作为半导体光电子器件研究、生产及应用开发技术人员的参考用书。

本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。 本书可作为电子科学与技术类低年级本科生的，也可供高年级本科生以及研究生等参考使用。

随着信息时代的发展，量子计算机逐步展现出对传统公钥密码系统的破坏性，使得依赖传统公钥密码系统的网络安全与数据信息无法得到可靠保障，迫切要求对网络及信息安全系统进行革新。后量子密码与其芯片技术是未来应对量子计算机攻击威胁的关键力量。本书首先介绍了后量子密码的研究背景、算法理论以及当前的研究现状，其次由后量子密码芯片面临的技术挑战引出了对核心算子高效硬件实现、侧信道攻击防御机制设计等关键技术的讨论， 详细介绍了不同后量子密码芯片的设计思路与实现结果。本书的研究成果与 后量子密码前沿技术同步，有利于我国下一代密码技术的发展，尤其是可以促进自主后量子密码的理论与应用研究，推动我国自主研制符合 标准且具有 竞争力的后量子密码芯片。

本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。

本书结合外LED热设计应用技术，以LED热设计与工程应用为本书的核心内容，全面系统地阐述了LED热设计基础知识和LED热设计实用技术。全书共5章，系统地讲述了LED热设计基础知识、大功率LED衬底及基板、大功率LED热设计、LED驱动电路热设计、LED灯具热设计等内容。

本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

本书共8章，内容包括LED照明基础知识、LED路灯设计组装、LED工矿灯设计组装、LED日光灯设计组装、LED平板灯设计组装、LED洗墙灯设计组装、LED斗胆灯设计组装、LED照明工程案例详解。本书内容以灯具设计组装和工程案例解析为主，同时也介绍了有关LED照明基础方面的知识。本书结合作者多年从事LED照明行业的经验，理论联系实践，深入浅出，图文并茂，具有很强的实用性和参考性，适合从事LED照明设计和应用的工程技术人员，也可以作为LED初学者，爱好者及高等院校电子、电气、光电等相关专业的教材或参考书，是一本即学即用的参考书籍。

光泵浦面发射半导体激光器是一种新型的半导体激光器，它兼有常规电泵浦边发射和面发射半导体激光器的优点，具有输出功率高、光束质量好、转换效率高、光谱调谐范围宽、输出波长覆盖紫外到中红外波段等突出优势，已经成为当前国际研究的热点之一。《光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术》针对光泵浦面发射半导体激光器的设计理论、制备工艺及输出特性展开了详尽介绍，内容包括半导体增益介质芯片设计与外延生长、芯片封装制备工艺、芯片的热特性、激光器输出特性及其调制特性等。