丛书共计23分册，860余万字，以激光技术的进展为核心，围绕高功率、高亮度激光器，激光束的传输、控制以及在国防中的应用三个领域，系统且重点突出地介绍了现代激光技术的发展与应用。丛书包含现代激光技术的进展、关键科学技术问题，所有编写人员都是长期从事该领域研究并获得重要成果的研究人员，因此，书中不仅理论系统，还含有大量作者的心得体会、研究成果，实用价值很高，性强。 丛书可供从事激光技术研究的科研工作者和工程技术人员参考，同时对于物理学、光学、电子技术等专业的本科生、硕士及博士研究生来说，也是一套非常有价值的参考书。 丛书已由国防工业出版社公开出版发行，丛书码洋2099元/套。
《常用晶闸管触发器集成电路及应用》是“高科实用电力电子技术丛书”之一。《常用晶闸管触发器集成电路及应用》详细介绍了各种常用晶闸管触发器集成电路及其使用技术，内容包括常用晶闸管触发器集成电路的型号、引脚排列、参数限制、内部结构和工作原理、应用举例及典型工作波形等，列举并细致分析了多个已批量投入工程实际中应用的典型电力电子变流系统专用控制板实例。 《常用晶闸管触发器集成电路及应用》理论联系实际，内容丰富，图文并茂，语言通俗易懂，是一本实用电力电子技术参考书，可作为晶闸管为主功率器件的电力电子变流设备及特种电源设计、调试、安装和制造及研究开发的技术人员的实用参考书，也可供工科院校和从事电力电子行业及相近专业的广大师生参考。
经典半导体制备及器件光刻工艺通常受制于价格高昂的设备、繁琐冗长的制程及严重水电消耗。作者刘静教授带领团队研发的液态金属印刷半导体技术，以一种自下而上的全新方式实现了对Ga2O3、GaN等第三代、第四代以及 多类型半导体的大面积低成本印制，由此可快速构筑二极管、三极管、晶体管乃至集成电路和功能芯片，这一模式打破了传统半导体制造理念与应用技术瓶颈，正以其普惠化特点展示出巨大发展空间，可望为芯片制造业注入新的活力。为促进这一新兴领域的繁荣和发展，本书旨在介绍液态金属印刷半导体技术的基本原理、典型途径和应用问题，以助力 多基础研发和工业实践，继而推动行业进步。尤其在当前我国众多半导体与芯片行业陷入严峻的卡脖子的背景下，本书的出版具有重要的现实意义。
《OLED显示基础及产业化》从OLED技术知识、OLED关键技术、OLED显示、OLED照明、OLED产业现状及发展趋势、OLED市场现状及发展趋势及OLED的应用价值及发展可能性的分析几方面，深入浅出的进行了较为详细的阐述。《OLED显示基础及产业化》对从事OLED技术研究、相关产品开发和生产的有关工程人员和大专院校师生来说，是正确理解相关技术的重要参考书，同时也是面向我国广大消费者普及OLED技术知识，指导消费者选择和正确使用OLED电视机的指南。
光泵浦面发射半导体激光器是一种新型的半导体激光器，它兼有常规电泵浦边发射和面发射半导体激光器的优点，具有输出功率高、光束质量好、转换效率高、光谱调谐范围宽、输出波长覆盖紫外到中红外波段等突出优势，已经成为当前国际研究的热点之一。《光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术》针对光泵浦面发射半导体激光器的设计理论、制备工艺及输出特性展开了详尽介绍，内容包括半导体增益介质芯片设计与外延生长、芯片封装制备工艺、芯片的热特性、激光器输出特性及其调制特性等。
本书的内容与1984年版的内容完全不同。本书介绍补充了这二十年来半导体科研、生产中最常用的各种检测、分析方法和原理。全书共分7章，包括引论，半导体的高分辨X射线衍射，光学检测与分析，表面、薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体中的应用和半导体深中心的表征。书中根据实践列举了一些实例，同时有大量参考文献和常用的数据，以便读者进一步参考和应用。 本书可供从事半导体科研和生产的科研人员，大专院校老师和研究生使用。
本书是在国家自然科学基金委员会信息科学部的支持下，邀请了三十余位工作在半导体研究领域线的知名专家撰写而成的。本书系统介绍了当前国际、半导体科学和技术各个领域，包括半导体材料的生长、物理问题、重要实验和理论结果、器件结构和应用等方面的基础知识、研究现状、发展趋势和有待解决的关键问题。
本书是一本系统介绍碳化硅半导体材料及器件的专著，主要论述了SiC材料与器件中的相关基础理论，内容包括：SiC材料特性、SiC同质外延和异质外延、SiC欧姆接触、肖特基势垒二极管、大功率PiN整流器、SiC微波二极管、SiC晶闸管、SiC静态感应晶体管、SiC衬底材料生长、SiC深能级缺陷、SiC结型场效应晶体管，以及SiCBJT等。书中涉及SiC材料制备、外延生长、测试表征、器件结构与工作原理、器件设计与仿真、器件关键工艺、器件研制与性能测试，以及器件应用等多个方面。在论述这些基础理论的同时，重点总结了近年来SiC材料与器件的主要研究成果，以及今后的发展趋势。
《光学投影曝光微纳加工技术》系统介绍主流光刻技术——光学投影光刻的工作原理、系统组成、应用和发展前景，详细介绍投影光刻物镜、掩模硅片对准、激光定位工件台、分辨力增强技术以及整机集成。
房海明编著的《LED灯具设计与案例详解》是为 适应我国LED照明技术推广应用的需要，快速提高广 大照明技术人员的设计能力和效率而编写的。
传感器在降低环境风险、保障人身及财产安全等方面发挥了重要作用。采用氧化物半导体气敏材料制作的传感器以其成本低、耗能少、制作和使用方便、响应灵敏等优点越来越受到人们的广泛关注。本书除了系统总结作者近年来在该领域取得的重要研究成果之外，还详细阐述了氧化物半导体气敏材料的敏感机理、研究进展、发展趋势及存在问题，重点介绍了几种不同微纳米结构材料的制备与性能。 全书内容新颖充实、方法具体、数据翔实、分析深入，将对更好地开发新型气敏材料，具有较好的指导和帮助作用。本书主要供无机非金属材料、新材料及纳米材料、气敏材料、光催化、锂离子电池等领域的科研人员、技术人员阅读或参考，也可作为相关专业大专院校师生的教学参考书。
太阳电池可以实现太阳光直接转换为电力，目前晶体硅太阳电池是光伏发电的主流产品。 本书首先介绍了晶体硅的物理特性、太阳电池基本结构和标准电池工艺；并在介绍多晶硅原料制备原理、硅源化合物材料性能和制备基础上，着重介绍高纯多晶硅和太阳级多晶硅的制备与各种提纯生产工艺；最后，详细阐述了硅的晶体生长和硅片的生产工艺。 本书可供大专院校从事光伏、半导体材料与器件、材料科学与工程等领域的师生作为教学参考书，也可供从事太阳能光伏研究、技术开发和产业生产的科技人员和工程师参考。
本书主要叙述了全球半导体晶圆制造业线产布局的现状，是目前对全球半导体晶圆制造业 线产现状进行梳理的书籍。编者历时多年，通过与各大公司的沟通和跟踪整理，决定以全球半导体晶圆制造业发展为主线，辅以晶圆材质（Si、GaAs、SiC、GaN、InP）和尺寸（3 ～ 12英寸），按照总部所在国划分，对现有的晶圆制造设施进行了全面的梳理，包括产能、工艺节点、产品，还对相关资产转移情况进行了整理；并透过对全球半导体晶圆制造公司的发展情况、业务整合、财务信息、经营团队、产品与市场、重大战略合作协议等方面的整理和归纳，让读者可以对他们的运营方式有个比较全面的了解。
本书是一本关于LED照明的质量可靠性研究、失效分析及产品设计的工具书。全书共6章，简要介绍了LED照明产业的发展现状及质量可靠性技术的基本情况，对LED道路照明灯具、LED隧道灯等的灯具结构进行了详细的介绍；阐述了LED灯具常见失效模式和类型，以及失效分析设备和手段；详细介绍了LED驱动电源失效分析，及电路类型和元器件选型对LED驱动电源的影响，并对电脑及其周边产品具体案例进行分析，帮助读者理解设计和对策内容。
以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。 本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。 本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半导体器件
本书以作者及其研究团队多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二极管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用，内容集学术性与实用性为一体。全书共12章，内容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论，InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析，LED的应用，最后介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
本手册内容包括各种电力电子设备的基本原理、设计方法和应用技术。全手册分为两大部分。部分包括有关电力电子设备的通用资料、基本元器件和单元、基本电路计算及设计、配套件等共性内容。第二部分为各类电力电子设备的原理与设计，包括各类交直流电机调速装置用变流器、高压大容量电力电子装置、牵引变流器、感应加热电源、交流电力控制器、开关电源、焊机电源、不间断电源、照明电力电子技术、无功补偿和谐波抑制装置等内容。书中配有大量计算实例，以便读者能很快地掌握设计计算技能。 本手册主要供从事电力电子设备研究、设计和应用的工程技术人员使用，对于从事电力电子技术专业学习和研究的大专院校师生也有较大的参考价值。
以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。 本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。 本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半导体器件
本书收录了4.3万余个各种型号的国外晶体三极管的参数、外代换型号和外形图，以参数表的形式展现给广大读者。参数表按晶体三级管参数的主次和数值的大小顺序编排，读者既可根据型号查阅参数和代换型号，也能根据参数选择型号。 本书收录的晶体三极管型号齐全，查阅方便，适合家电维修人员、无线电爱好者，机电设计和广播通信等部门的工程技术人员及有关院校师生使用。
