本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》共10章，47个专题，近300张图片（包括书末40余幅珍贵图片，既有著名的科学家，也有珍贵的原型器件和先进的仪器设备）。首先概述了半导体研究的对象、范围和早期历史，以猫须探测器为例介绍了半导体的早期应用，说明了材料、物理和器件这三者的相互作用在半导体研究中的重要性。然后是个晶体管的诞生、少子法则的确立以及硅基半导体的迅猛发展和巨大成功。接下来是化合物半导体的发展，重点介绍了微波器件、发光二极管和激光器、红外探测器以及它们在光通信领域掀起的革命浪潮。最后以太阳能电池和液晶显示器为例介绍了多晶半导体和非晶半导体。《当代科学技术基础理论与前沿问题研究丛书·物理学名家名作译丛:半导体的故事》还穿插介绍了半导体对基础物理学研

随着信息时代的发展，量子计算机逐步展现出对传统公钥密码系统的破坏性，使得依赖传统公钥密码系统的网络安全与数据信息无法得到可靠保障，迫切要求对网络及信息安全系统进行革新。后量子密码与其芯片技术是未来应对量子计算机攻击威胁的关键力量。本书首先介绍了后量子密码的研究背景、算法理论以及当前的研究现状，其次由后量子密码芯片面临的技术挑战引出了对核心算子高效硬件实现、侧信道攻击防御机制设计等关键技术的讨论， 详细介绍了不同后量子密码芯片的设计思路与实现结果。本书的研究成果与 后量子密码前沿技术同步，有利于我国下一代密码技术的发展，尤其是可以促进自主后量子密码的理论与应用研究，推动我国自主研制符合 标准且具有 竞争力的后量子密码芯片。

《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》是一本实用而 的关于半导体芯片理论、制造和工艺设计的书籍。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》对半导体制造工艺和所需设备的解释是基于它们所遵守的基本的物理、化学和电路的规律来进行的，以便读者无论到达世界哪个地方的洁净室，都能尽快了解所使用的工艺和设备，并知道使用哪些设备、采用何种工艺来实现他们的设计和制造目标。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》理论结合实际，大部分的描述均围绕着实际设备和工艺展开，并配有大量的设备图、制造工艺示意图和半导体芯片结构图。《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南》主要包括如下主题：基本概念，例如等离子设备中的阻抗失配和理论，以及能带和Clausius-Clapeyron方程；半导体器件和制造设备的基础知识，包括直流和

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。

本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。

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本书在介绍IGBT和IPM结构与特性的基础上，结合外电力电子器件的应用和发展趋势，全面系统、深入浅出地阐述了IGBT和IPM的典型电路和应用技术，突出实用性。全书共7章，分别介绍了电力电子器件的发展和研发动向、IGBT的结构和工作特性、IGBT功率模块、IGBT驱动电路设计、IGBT保护电路设计、IGBT应用电路设计以及IGBT在现代电源领域中的应用。 本书题材新颖实用，内容丰富，文字通俗，具有很高的实用价值，可供电信、信息、航天、军事及家电等领域从事电源开发、设计和应用的工程技术人员和高等院校相关专业师生阅读参考。

《第三代半导体产业人才发展指南》汇集了 20余家行业协会、产业协会、研究机构、高校等的学者、研究人员、产业人士、技术专家，全景解析了我国第三代半导体产业发展及人才状况，剖析了第三代半导体产业政策，并给出了第三代半导体产业从业人员能力体系、第三代半导体产业贯通人才培养体系、第三代半导体产业从业人员能力提升体系建设的指导方案。*后从宏观上剖析了第三代半导体产业 化人才培养和第三代半导体产业人才培养案例。

《太阳能LED路灯设计与应用》结合我国绿色照明工程计划及外太阳能LED路灯技术的发展动态，全面系统地阐述了太阳能LED路灯的设计与应用技术。全书共7章，深入浅出地阐述了太阳能LED路灯的基础知识、太阳能电池、VRLA蓄电池、太阳能LED路灯控制器、LED固态光源与驱动技术、太阳能LED路灯设计、太阳能LED路灯安装与维护。《太阳能LED路灯设计与应用》题材新颖实用，内容丰富，深入浅出，通俗易懂，具有较高的实用价值。本书是从事太阳能LED路灯研发、设计、生产、应用与维护的工程技术人员的读物，也可供从事太阳能LED路灯生产应用的管理人员及相关专业高等院校、职业技术学校的师生阅读参考。

本书主要介绍LED照明的各项实用应用技术，主要包括：LED照明光学设计技术、LED照明散热设计技术、LED照明驱动设计技术、LED智能照明控制技术、LED照明设计技术、LED照明的其他技术、LED灯具测量技术及LED照明的应用。全书重基础、宽口径、多原理、少工艺，注重原理与机制的阐述，图文并茂、深入浅出。

《真空镀膜原理与技术》阐述了真空镀膜的应用，真空镀膜过程中薄膜在基体表面生长过程；探讨了薄膜生长的影响因素；具体地介绍了真空镀膜的各种方法，包括真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀以及化学气相沉积的原理、特点、装置及应用技术等。力求避开烦琐的数学公式，尽量用简单的语言阐述物理过程。通俗易懂、简单易学。 《真空镀膜原理与技术》可作为高等学校相关专业的本科生教材，也可用作研究生教材或相关行业工程技术人员的参考书。

本书介绍了从晶体生长到集成器件和电路的完整的半导体制造技术，其中包括制造流程中主要步骤的理论和实践经验。本书适合于物理、化学、电子工程、化学工程和材料科学等专业本科高年级或硕士研究生一年级学生《集成电路制造》课程的教学。该课程授课时间为一个学期，不要求必须开设相应的实验课。同时，本书也可供在半导体工业领域工作的工程师和科学家参考。 本书的章简要回顾了半导体器件和关键技术的发展历史，并介绍了基本的制造步骤。第二章涉及晶体生长技术。后面几章是按照集成电路典型制造工艺流程来安排的。第三章介绍硅的氧化技术。第四章和第五章分别讨论了光刻和刻蚀技术。第六章和第七章介绍半导体掺杂的主要技术；扩散法和离子注入法。第八章涉及一些相对独立的工艺步骤，包括各种薄层淀积的方法。本书最后三章集中讨

稳定受控的半导体制造工艺是实现芯片高可靠性水平的重要方法。本书从工序能力指数、统计过程控制和实验设计三个方面展开，详细讲述三种技术的常规理论和特殊应用方法和模型。内容包括常规工序能力指数，特殊工序能力指数，常规过程控制技术，特殊过程控制技术，实验设计及工艺表征以及系统健康管理概念。

《太阳能光伏发电系统设计及安装》主要介绍了小型光伏发电系统设计、安装，包括光伏模块、蓄电池控制、逆变器、光伏系统离网(并网)、功率跟踪和脉宽调制技术等。本书的目的是让读者直接进入光伏生产环境，并且具有独立安装合格光伏系统所需的知识。本书不是学院式的学术著作，而是一本与常见的同类著作风格迥异、深入浅出的实用教程。读者可以通本书系统地学到现场实际的光伏系统设计及安装知识。 《太阳能光伏发电系统设计及安装》可作为光伏系统设计安装的培训教材，也适用于光伏发电系统的设计、建设和运行人员和对光伏系统有兴趣的工程师、专业技术人员及任何无专业背景的有兴趣的读者阅读。

为满足培养面向半导体照明上游产业外延、芯片研发和工程应用型人才的需要，本书以LED外延和芯片技术为重点，结合LED外延结构设计方法，贴近LED芯片结构的的制造工艺技术，给出了完整的LED从外延生长、芯片制备和封装技术的知识体系。 全书包括三个部分。部分是外延技术，包括LED材料外延生长技术原理和设备、半导体材料检测技术、蓝绿光LED外延结构设计与制备、黄红光LED外延结构设计与制备。第二部分是芯片技术，包括LED芯片结构及制备工艺、蓝绿光LED芯片高光提取技术、红黄光LED芯片结构设计与制备工艺，从LED芯片制备基本工艺技术到整体工艺流程，以及先进的高光效结构设计，涵盖了GaN和AlGaInP两个材料系的芯片结构特性及制备过程，介绍了高压LED结构及制备技术。第三部分是LED封装技术, 从封装的目的、光学设计和热学设计方面对封装技术进行了介绍

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《半导体激光器理论基础》针对半导体激光器，强调其理论基础和理论的系统性。主要内容包括：光增益理论、光波导理论、谐振腔理论、半导体发光、速率方程分析和典型半导体激光器的理论。 《半导体激光器理论基础》可以作为光电子专业研究生课程的试用教材，也可以供相关专业的教师和科技人员参考。

This volume is one of a series originally issued under anotherimprint. The other volumes ithis series are as follows：Characterizatioof Catalytic Materialsisrael E. Wachs；Characterizatioof Metals and AlloysPaul H. Holloway and P. N Vaidyanathan；Characterizatioof CeramicsRona/d E. Loehman；Characterizatioof PolymersNed J. Chou， StepheR Kowalczyk， Ravi Saraf， and Ho—Ming Tong；CharacterizatioiCompound Semiconductor ProcessingGary McGuire and Yale Strausser；Characterizatioof Integrated Circuit Packaging MaterialsThomas M. Moore and Robert G. McKenna；Characterizatioof Composite MaterialsHatsuo Ishida；Characterizatioof Tribological MaterialsWilliam A. Glaeser；Characterizatioof Optical MaterialsGregory J. Exarhos；Characterizatioof Organic ThiFilmsAbraham Ulman.

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房海明编著的《LED灯具设计与案例详解》是为 适应我国LED照明技术推广应用的需要，快速提高广 大照明技术人员的设计能力和效率而编写的。 《LED灯具设计与案例详解》共分10章，内容包 括LED照明产业的发展、LED芯片封装知识、灯具的设 计原则、相关标准和检测、风光互补LED路灯设计及 市电路灯设计、LED防爆灯设计、LED投光灯设计、 LED球泡灯设计、LED灯具模拟分析、LED照明产品认 证、LED工程案例分析和附录“LED技术问答”。本书 内容以灯具设计和工程案例解析为主，同时也介绍了 有关LED照明的基础知识。 本书既适合从事LED照明设计和应用的工程技术 人员学习和参考，也适合高等院校相关专业的师生参 考使用。

化合物半导体加工中的表征一书是为使用化合物半导体材料与设备的科学家与工程师准备的，他们并不是表征专家。在研发与gaas、gaa1as、lnp及hgcdte基设备的制造中通常使用的材料与工艺提供常见的分

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