本书讲述了功率半导体器件的基本原理,涵盖Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;综合分析和呈现了不同类型器件的封装形式、工艺流程、材料参数、器件特性和技术难点等;将功率器件测试分为特性测试、极限能力测试、高温可靠性测试、电应力可靠性测试和寿命测试等,并详细介绍了测试标准、方法和原理,同步分析了测试设备和数据等;重点从测试标准、方法、理论和实际应用各方面,详细介绍了高温可靠性测试和封装可靠性测试及其难点。本书结合企业实际需求,贴近工业实践,知识内容新颖,可为工业界以及高校提供前沿数据,为高校培养专业人才奠定基础。本书可作为功率半导体领域研究人员、企业技术人员的参考书,也可作为电力电子、微电子等相关专业高年级本科生和研究生教材。
《极紫外光刻》是一本论述极紫外光刻技术的专著。本书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不仅涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等方面,而且还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制、极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容。后本书还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺
《超高速光器件》是先进光电子技术丛书之4。书中简明扼要的介绍了各种超高速光器件。《超高速光器件》共9章,主要内容有:章概要介绍书中涉及到的各种超高速光器件;第2章介绍有关半导体器件的基础内容,第3-5章介绍有代表性的半导体激光器;第6-8章则介绍超高速光调制器、超高速光开关和超高速光探测器;第9章叙述量子线、量子点和光子晶体等。《超高速光器件》可作为高等院校相关专业的本科生及研究生,亦可供相关领域的研究人员、技术人员参考。
本书结合外高效功率器件(以MOSFET和IGBT为主)的发展和应用技术,系统地讲解了半导体功率器件基础知识、高效功率器件驱动与保护电路、高效功率器件集成驱动电路、现代功率器件模块化技术、功率器件应用设计实例等内容。本书内容新颖实用,文字通俗易懂,具有较高的实用价值,可供电信、信息、航天、军事、工控、电气传动及家电等领域从事功率器件应用设计的工程技术人员阅读,也可供高等院校相关专业的师生参考。
本书主要讲述了双极型集体管和场效应晶体管的基本原理和它们的频率特性,功率特性,开关特性及其描述这些特性的有关参数.为适应计算机模拟和计算机辅助设计需要,书中还介绍了常用的器件模型。此外,本书还简单介绍了一些新型器件及特点。本书适用于微电子学与微电子专业本科生。也可供相关专业研究生和本科生及从事微电子技术相关工作的科研与工程技术人员阅读参考。
本书是在国家自然科学基金委员会信息科学部的支持下,邀请了三十余位工作在半导体研究领域线的知名专家撰写而成的。本书系统介绍了当前国际、半导体科学和技术各个领域,包括半导体材料的生长、物理问题、重要实验和理论结果、器件结构和应用等方面的基础知识、研究现状、发展趋势和有待解决的关键问题。 本书适合从事半导体研究和教学的大学教师、科技工作者、工程技术人员、研究生、本科生以及科技管理部门有关工作人员和管理专家阅读和参考。
《OLED显示基础及产业化》从OLED技术知识、OLED关键技术、OLED显示、OLED照明、OLED产业现状及发展趋势、OLED市场现状及发展趋势及OLED的应用价值及发展可能性的分析几方面,深入浅出的进行了较为详细的阐述。《OLED显示基础及产业化》对从事OLED技术研究、相关产品开发和生产的有关工程人员和大专院校师生来说,是正确理解相关技术的重要参考书,同时也是面向我国广大消费者普及OLED技术知识,指导消费者选择和正确使用OLED电视机的指南。
场效应晶体管是半导体器件的重要门类之一,由于它具有普通晶体三极管所没有的独特优异性能而得到广泛应用,即使在集成电路迅速发展的,仍具有广阔的应用前景,将继续拓宽在各种仪器设备、家用电器、电子计算机机及其它电子领域中应用。随着改革开放的深入发展,我国直接进口、引进组装、开发生产的大量电子仪器设备和家用电器中,都应用着各种各样的场效应晶体管。从事以上各项工作的工程技术人员、维修人员及电子器材营销人员,都迫切需要一本内容准确、种类齐全、实用性强的场效应晶体管特性参数与代换手册。为此我们编写了本手册。
《半导体锗材料与器件》是全面深入探讨这一技术领域的著作,其内容涵盖了半导体锗技术研究的进展,阐述了锗材料科学、器件物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界及工业界从事该领域前沿研究的国际知名专家。《半导体锗材料与器件》还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工业和研究领域的工程师们而言,是一部必不可少的参考书,无论是专家还是初学者都将从《半导体锗材料与器件》中受益。锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料,近年来,由于其在微纳电子学领域的潜在优势,半导体锗材料又重新受到人们的关注。
本书力图以通俗易懂的方式,介绍电力电子器件的原理与应用技术,重点介绍了PN结原理,二极管、功率场效应晶体管(MOS.FET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、晶闸管、集成门极换向晶闸管(IGCT)的原理、特性、保护、驱动等。根据现代电力电子器件发展的特点,本书还介绍了NPT、PT、Trench结构,逆阻型IGBT等器件概念和SiC二极管、CoolMOS、同步整流器等新技术,另外结合器件的特点,介绍了相应的典型功率变换电路。本书可作为电力电子与电气传动专业及相关专业的工程技术人员和研究生的参考书,也可作为从事开关电源、变频器、逆变器、UPS等电力电子装置开发、设计工程技术人员的参考书。
为了满足半导体工艺和器件及其相关领域人员对计算机仿真知识的需求,帮助其掌握当前先进的计算机仿真工具,特编写本书。唐龙谷编著的《半导体工艺和器件仿真软件SilvacoTCAD实用教程(附光盘)》以SilvacoTCAD2012为背景,由浅入深、循序渐进地介绍了SilvacoTCAD器件仿真基本概念、Deckbuild集成环境、Tonyplot显示工具、ATHENA工艺仿真、ALTAS器件仿真、MixedMode器件电路混合仿真以及C注释器等高级工具。本书内容丰富、层次分明、突出实用性,注重语法的学习,例句和配图非常丰富;所附光盘含有书中具有独立仿真功能的例句的完整程序、教学PPT和大量学习资料。读者借助本书的学习可以实现快速入门,且能深入理解TCAD的应用。本书既可以作为高等学校微电子或电子科学与技术专业高年级本科生和研究生的,也可供相关专业的工程技术人员学习和参考。