半导体行业现在是世界上最大、最有价值的行业之一,与我们的生活、工作和学习密切相关。这本书是为非专业人士提供的科技指南,介绍与半导体有关的各种基础知识,包括物理、材料和电路,分立元件和集成电路系统、应用和市场,以及半导体的历史、现状和未来。 这本书适合所有对半导体感兴趣的读者。中学生完全可以读懂这本书,专业人士也可以从中了解到市场、投资和政策制定方面的信息。
这是一本介绍半导体工作原理的入门类读物。全书共分4章,包括第1章的半导体的作用、类型、形状、制造方式、 产业形态;第2章的理解导体、绝缘体和半导体的区别,以及P型半导体和N型半导体的特性;第3章的PN结、双极型晶体管、MOS晶体管、 CMOS等;第4章涵盖了初学者和行业人士应该知道的技术和行业词汇表。 本书适合想学习半导体的初学者阅读,也可以作为相关企事业单位人员的科普读物。
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人
本书首先深入探讨了量子力学基础及其在物质、能带理论、半导体和集成电路等领域的应用。从电子的波动性质、不确定性原理到量子隧穿效应,逐步揭示量子世界的奥秘。接着,通过能带理论和半导体能带结构的解析,阐明了半导体材料的电子行为。此外,还详细介绍了掺杂半导体、晶格振动以及载流子输运现象等关键概念。最后,探讨了MOS结构、场效应晶体管以及集成电路的工作原理。本书内容丰富,结构清晰,能够帮助读者深入理解量子力学在半导体技术中的重要作用。 本书适合有一定物理基础的学生和从事半导体相关工作的人员阅读。
《半导体产业人才发展指南》对我国半导体产业的人才发展状况进行了系统性的梳理,从产业角度出发,围绕产教融合,多维度、多视角地展现了我国半导体产业人才发展面临的机遇与挑战。具体内容包括:第1章介绍了全球及我国半导体产业现状及前景和趋势;第2章分析和介绍了半导体产业人才状况;第3章介绍并简要分析了半导体产业人才政策;第4章介绍了半导体产业从业人员能力体系,提出了以DMP-Based(设计、制造、封测为基础)的半导体产业链相关人才能力体系建设的思路和方法;第5章介绍了半导体产业贯通人才培养方案;第6章就半导体产业从业人员技能提升培训体系与知识更新工程做了具体且有一定前瞻性的介绍和阐述;第7章介绍了半导体产业国际化人才培养及引进的相关内容;第8章就半导体产业人才培养与发展进行了思考和展望。 本书适合半导体产业从业者及产业相关
本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺
本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先,对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断,讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性,包括其独特的物理和化学属性,以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性,分别就互连技术和衬底展开论述,同时,介绍了磁性材料,并对不同材料结构的热性能,以及冷却技术和散热器设计进行了介绍。然后,考虑到功率器件的质量必须通过各种测试和可靠性验证方法来评估,还介绍了瞬态热测试的原理和方法,同时阐述了各种可靠性测试的机理和选择动机。最后,就计算机辅助工程模拟方法列举了许多经典案例。 通过本书的学习,读者可以建立起宽禁带功率半导体器件封装的全面概念,为进一步深入研究打下基础。本书可作为封装或微电子等专业的高年级本科生和研究
本书共包括15章:章概述了半导体制造工艺;第2章介绍了基本的半导体工艺技术;第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片,以及早期的制造工艺技术;第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长,以及硅外延技术;第5章讨论了半导体工艺中的加热过程;第6章详细介绍了光学光刻工艺;第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论;第8章讨论了离子注入工艺;第9章详细介绍了刻蚀工艺;0章介绍了基本的化学气相沉积(CVD)和电介质薄膜沉积工艺,以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积(ALD)工艺过程;1章介绍了金属化工艺;2章讨论了化学机械研磨(CMP)工艺;3章介绍了工艺整合;4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程;5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件:原理、特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。 《国际电气工程先进技术译丛·功率半导体器件:原理、特性和可靠性》内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的的成果。本书是一本精心编著,并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版,必将有助于我国电力电子事业的发展。
本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强(IE)等新技术进行了详细介绍。 本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书,也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。
《OLED显示基础及产业化》从OLED技术知识、OLED关键技术、OLED显示、OLED照明、OLED产业现状及发展趋势、OLED市场现状及发展趋势及OLED的应用价值及发展可能性的分析几方面,深入浅出的进行了较为详细的阐述。《OLED显示基础及产业化》对从事OLED技术研究、相关产品开发和生产的有关工程人员和大专院校师生来说,是正确理解相关技术的重要参考书,同时也是面向我国广大消费者普及OLED技术知识,指导消费者选择和正确使用OLED电视机的指南。
本书基于TFT-LCD工厂生产的实践,科学原理与工程应用相结合。介绍了TFT-LCD的基本概念,组成材料,工艺和设计流程等;列举了高品质、低成本的设计理念和设计方法;最后在以低温多晶硅LTPS工艺为例,介绍中小尺寸,特别是便携式TFT-LCD产品的发展。对一线技术人员及电子专业的学生具有重要的参考价值。