本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心,由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管环境中的材料退化机制尚未明晰,书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计,以尽量阐明未来的发展方向。本书对于我国宽禁带(国内也称为第三代)半导体产业的发展有积极意义,适合相关的器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读。
《晶圆级芯片封装技术》主要从技术和应用两个层面对晶圆级芯片封装(Wafer-Level Chip-Scale Package,WLCSP)技术进行了全面的概述,并以系统的方式介绍了关键的术语,辅以流程图和图表等形式详细介绍了先进的WLCSP技术,如3D晶圆级堆叠、硅通孔(TSV)、微机电系统(MEMS)和光电子应用等,并着重针对其在模拟和功率半导体方面的相关知识进行了具体的讲解。《晶圆级芯片封装技术》主要包括模拟和功率WLCSP的需求和挑战,扇入型和扇出型WLCSP的基本概念、凸点工艺流程、设计注意事项和可靠性评估,WLCSP的可堆叠封装解决方案,晶圆级分立式功率MOSFET封装设计的注意事项,TSV/堆叠芯片WLCSP的模拟和电源集成的解决方案,WLCSP的热管理、设计和分析的关键主题,模拟和功率WLCSP的电气和多物理仿真,WLCSP器件的组装,WLCSP半导体的可靠性和一般测试等内容。 《晶圆级芯
脉冲功率技术在军事和工业的众多领域都有着广泛应用。脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件之一,由于半导体器件具有体积小、寿命长、可靠性高等优点,脉冲功率开关出现了半导体化的趋势。本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述,然后分别论述了电流控制型器件(具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管)和电压控制型器件(具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用,特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关(包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管)的机理模型和实际运用等问题 ,论述了部分新型碳化硅基器件,最后阐述了脉冲功率应用技术。
本书改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅(Si)为中心的半导体元器件,笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理 的图,其实是能带图。全书共7章,包括半导体以及MOS晶体管的简单说明、半导体的基础物理、PN结二极管、双极性晶体管、MOS电容器、MOS晶体管和超大规模集成电路器件。在本书 ,附加了常量表、室温下(300K)的Si基本常量、MOS晶体管、麦克斯韦 玻尔兹曼分布函数、关于电子密度n以及空穴密度p的公式、质量作用定律、PN结的耗尽层宽度、载流子的产生与复合、小信号下的共发射极电路的电流放大倍数、带隙变窄以及少数载流子迁移率、阈值电压Vth、关于漏极电流ID饱和的解释。本书主要面向具有高中数理基础的半导体初学者,也可供半导体、芯片从业者阅读。
本书在充分调研电子领域各岗位实际需求的基础上,对电子元器件的识别、检测、选用和代换的知识技能进行汇总,以 职业资格标准为指导,系统、全面地介绍电子元器件的识别、检测、选用与代换的综合技能。 本书引入\\\\\\\"微视频互动”学习的全新学习模式,将\\\\\\\"图解”与\\\\\\\"微视频”教学紧密结合,力求达到 的学习体验和学习效果。