《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学(相图)、电学、光学和缺陷性能,材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术,《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲镉汞外延所使用的碲锌镉衬底材料进行了专门的介绍。在论述材料与器件关系的部分,《碲镉汞材料物理与技术》从性能参数、结构和工艺的角度分析了材料与器件的相互关系,并就材料和器件未来的发展进行了讨论。在介绍和论述的过程中,作者力求在每一个细节上都能全面反映外已公开报道的研究内容和结果。 《碲镉汞材料物理与技术》可供从事碲镉汞材料研究和生产的科研人员、工程技术人员和研
这是一本半导体科普书,介绍了半导体的相关知识。在开始学习之前,通过序章,首先介绍半导体有什么了不起之处、半导体的类型和作用、半导体是如何制造的,以及半导体发挥作用的领域。之后通过5章具体的内容,阐述半导体是什么,晶体管是如何制造的,用于计算的半导体,用于存储的半导体,光电、无线和功率半导体等。此外,本书在每章 配有“半导体之窗”,补充了一部分相关知识。本书适合对半导体感兴趣的初学者阅读,对于学生也有很高的科普阅读价值。
本书共包括15章:章概述了半导体制造工艺;第2章介绍了基本的半导体工艺技术;第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片,以及早期的制造工艺技术;第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长,以及硅外延技术;第5章讨论了半导体工艺中的加热过程;第6章详细介绍了光学光刻工艺;第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论;第8章讨论了离子注入工艺;第9章详细介绍了刻蚀工艺;0章介绍了基本的化学气相沉积(CVD)和电介质薄膜沉积工艺,以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积(ALD)工艺过程;1章介绍了金属化工艺;2章讨论了化学机械研磨(CMP)工艺;3章介绍了工艺整合;4章介绍了先进的CMOS、DRAM和NAND闪存工艺流程;5章总结了本书和半导体工业未来的发展。
本书共11章,以硅集成电路为中心,重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大,设计可靠性越来越重要,在设计阶段借助可靠性仿真技术,评价设计出的集成电路可靠性能力,针对电路设计中的可靠性薄弱环节,通过设计加固,可以有效提高产品的可靠性水平,提高产品的竞争力。
本书是“现代学徒制教学标准”重量教学改革项目的建设成果。全书分为SMT物料基础、SMT物料的编码管理规则、SMT物料管理系统和MINI音箱物料管理实训,共计4章,前3章系统地讲述了各种物料的识别与检测、SMT物料管理编码管理规则和SMT物料管理系统,第4章为综合实训部分,完整地阐述了电子产品物料按照生产计划进行的物料采购、仓库管理、物料的领用等过程。