本书共包括15章： 章概述了半导体制造工艺； 第2章介绍了基本的半导体工艺技术； 第3章介绍了半导体器件、 集成电路芯片， 以及早期的制造工艺技术； 第4章描述了晶体结构、 单晶硅晶圆生长， 以及硅外延技术； 第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论； 第8章讨论了离子注入工艺； 第9章详细介绍了刻蚀工艺； 0章介绍了基本的化学气相沉积（CVD）和电介质薄膜沉积工艺， 以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、 原子层沉积（ALD）工艺过程； 1章介绍了金属化工艺； 2章讨论了化学机械研磨（CMP）工艺； 3章介绍了工艺整合； 4章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程； 5章总结了本书和半导体工业未来的发展。

本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华外延、非晶衬底上氮化物准范德华外延、准范德华外延氮化物的柔性剥离及转移、准范德华外延氮化物器件散热以及Ⅲ族二维氮化物。 全书内容新颖，循序渐进，理论性和应用性强，可供从事第三代半导体材料以及半导体照明领域相关的研究生、科研人员与企业研发人员等阅读参考。

本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。 本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。《功率半导体器件与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前主要的几类功率半导体器件，包括pi 二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容，《功率半导体器件与应用》详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时，作为长期从事新型功率半导体器件研发的国际知名专家，作者斯蒂芬? 林德（Stefan Linder ）还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析，力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。《功率半导体器件与应用》既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。

本书系统地介绍了电子束曝光技术的发展历史和原理、系统的组成和分类、应用和发展前景，同时详细介绍了多种先进的电子束曝光机的性能和技术指标，电子光学柱、精密工件台等分部件和掩模版制作、电子束直刻等关键技术。全书共分10章，第一章为电子束曝光技术概论；第二章为电子束曝光机中的电子光学系统；第三章为工件台及激光干涉仪精密定位；第四章为图形发生器；第五章为检测、对准和校正技术；第六章为电子束曝光机的计算机控制技术和数据转换；第七章为电子束曝光制图艺；第八章为真空控制系统；第九章为国内外几种束曝光机的介绍；第十章为电子束曝光技术的应用和发展前景。 本书可作为微电子专业领域的科技人员和从事微电子、微光学、微机械等微纳加工技术领域的科技人员的技术参考书，财同时还可作为高等院校专业教师、研究